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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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電子封裝中的高導(dǎo)熱平面陶瓷基板及金屬化技術(shù)研究
隨著大功率器件朝著高壓、高電流以及小型化的方向發(fā)展,這對于器件的散熱要求變得更為嚴格。陶瓷基板因其卓越的熱導(dǎo)率和機械性能,被廣泛應(yīng)用于大功率器件的封裝工藝中。
關(guān)于固態(tài)RF烹飪產(chǎn)品的最佳腔體設(shè)計方案的介紹
將固態(tài)RF功率器件用于烹飪產(chǎn)品需要考慮許多因素,比如腔體尺寸和形狀、功率饋入方式與位置、功率等級和散熱方式等。本次會議重點介紹實現(xiàn)最佳腔體的設(shè)計和仿真方法。
在實際上生產(chǎn)中,扁線電機會比當(dāng)前的圓線生產(chǎn)要求更高的穩(wěn)定性和合格率。今天我們就來看看,扁線電機定子生產(chǎn)過程中,當(dāng)下主流的6大核心工序!
陶瓷覆銅板是在高溫,流動氣氛下銅帶與陶瓷基片通過高溫熔煉和擴散過程而形成的一種高導(dǎo)熱、高絕緣強度的復(fù)合材料,既具有陶瓷的高導(dǎo)熱性、高電絕緣性、高機械強度...
功率器件,作為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的核心組件,扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓,還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動汽車、通...
金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...
碳化硅功率器件在中高壓電力電子系統(tǒng)中的應(yīng)用優(yōu)勢
光伏,電動汽車,儲能充電等電力電子系統(tǒng)向更高電壓發(fā)展是目前行業(yè)中的趨勢。
2022-08-01 標(biāo)簽:功率器件碳化硅瑞能半導(dǎo)體 3.6k 0
從電子流動的方向出發(fā),阻礙電子流動的參數(shù)為電阻,在高頻領(lǐng)域稱為阻抗,在實際電路中,電路工作過程會產(chǎn)生大量功耗,所有的功耗均需要進行能量轉(zhuǎn)換,其中,熱能是...
推挽式開關(guān)電源是一種常見的電源拓撲結(jié)構(gòu),廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在推挽式開關(guān)電源中,MOS管是核心的功率器件之一,其性能直接影響到整個電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性...
SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率,高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來, GeneSiC 開創(chuàng)了高性能, 堅固, 和可靠的碳化硅 (SiC) 用于汽車、...
大功率IGBT和SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計方案
隨著新能源技術(shù)的快速發(fā)展,對大功率半導(dǎo)體器件的需求日益增加。特別是在可再生能源領(lǐng)域,需要能夠承載巨大電流的功率器件。然而,由于生產(chǎn)成本、技術(shù)難度以及市場...
由于電遷移效應(yīng),金屬線可能會斷裂并短路。EM會增加導(dǎo)線電阻,這會導(dǎo)致電壓下降,從而導(dǎo)致設(shè)備降速。由于短路或開路,它還可能導(dǎo)致電路永久性故障。
硅終端金剛石半導(dǎo)體與場效應(yīng)管器件研究進展
金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,近年來成為大家關(guān)注的熱點。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進展,但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒有很好解決。氫終端...
2023-08-17 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 3.5k 0
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率器件。IGBT的寄生電容是指在IGBT內(nèi)部由于結(jié)構(gòu)原因產(chǎn)生的電容,這些電容會影響IGBT的...
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