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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

碳化硅(SiC)功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著科技的不斷進(jìn)步,電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而,隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展,傳統(tǒng)...

2023-12-06 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 2.8k 0

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅(SiC)功率器件特性及應(yīng)用

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,相比于傳統(tǒng)的硅材料,具有更高的熱導(dǎo)率、更大的電場(chǎng)擊穿強(qiáng)度和更高的載流子遷移率等特點(diǎn)。

2024-04-10 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 2.8k 0

幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

幾種led襯底的主要特性對(duì)比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為:襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中,襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底,GaN自然是最適合用來作為GaN外延...

2023-08-10 標(biāo)簽:led功率器件氮化鎵 2.8k 0

GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用

GaN功率器件在工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域的應(yīng)用

GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。

2022-08-12 標(biāo)簽:電機(jī)控制功率器件氮化鎵 2.8k 0

DBA基板未來應(yīng)用領(lǐng)域分析

DBA基板未來應(yīng)用領(lǐng)域分析

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,各種新型材料也不斷涌現(xiàn)。其中,直接覆鋁陶瓷基板(DBA基板)因其優(yōu)良的性能表現(xiàn)備受矚目,成為電子行業(yè)中備受關(guān)注的材料之一。 DB...

2023-06-20 標(biāo)簽:功率器件DBA陶瓷基板 2.8k 0

功率器件與集成電路的區(qū)別

在電子工程領(lǐng)域,功率器件和集成電路是兩個(gè)重要的分支,它們各自在特定的應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)揮著重要的作用。關(guān)于兩者間的定義常會(huì)引起混淆,接下來就讓小編來帶您梳理一...

2023-12-29 標(biāo)簽:集成電路二極管MOSFET 2.8k 0

碳化硅規(guī)?;瘧?yīng)用的技術(shù)難點(diǎn)

碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要包括襯底、外延、器件設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)等環(huán)節(jié)。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造,下游是終端應(yīng)用。

2023-03-22 標(biāo)簽:逆變器功率器件碳化硅 2.8k 0

功率半導(dǎo)體生命周期中的測(cè)試挑戰(zhàn)

功率半導(dǎo)體生命周期中的測(cè)試挑戰(zhàn)

盡管他們可以在一兩個(gè)領(lǐng)域中積累專家級(jí)知識(shí),但他們很少能了解同行們?cè)诋a(chǎn)品開發(fā)周期其他領(lǐng)域面臨的測(cè)試和表征挑戰(zhàn)。他們有時(shí)需要與其他工程師協(xié)作,在他們走出舒適...

2017-08-25 標(biāo)簽:測(cè)試測(cè)量泰克功率器件 2.8k 0

銀膠vs銀漿:一字之差,卻是電子焊接的“兩種技術(shù)路線”!

銀膠vs銀漿:一字之差,卻是電子焊接的“兩種技術(shù)路線”!

銀膠與銀漿是差異顯著的材料:銀膠是“銀粉+樹脂”的粘結(jié)型材料,靠低溫固化實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電與固定,適合LED封裝、柔性電子等熱敏低功率場(chǎng)景,設(shè)備簡單(點(diǎn)膠機(jī)+烘箱...

2025-10-17 標(biāo)簽:銀膠功率器件燒結(jié) 2.8k 0

絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

絕緣柵Si基GaN平面器件關(guān)鍵工藝

傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系,其中X金屬可為Ni,Mo,PT,Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高...

2023-04-29 標(biāo)簽:功率器件GaN金屬 2.8k 0

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南

隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的介紹和選型指南

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源...

2023-05-17 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器電源電路 2.8k 0

絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)器件技術(shù)

絕緣柵GaN基平面功率開關(guān)器件技術(shù)

GaN基功率開關(guān)器件能實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電能轉(zhuǎn)換效率和工作頻率,得益于平面型AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中高濃度、高遷移率的二維電子氣(2DEG)。圖1示出絕緣柵...

2023-04-29 標(biāo)簽:功率器件GaN開關(guān)器件 2.8k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(一)——功率半導(dǎo)體的熱阻

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本...

2024-10-22 標(biāo)簽:熱阻功率器件功率半導(dǎo)體 2.8k 0

電源紋波的產(chǎn)生及測(cè)量方法

電源紋波的產(chǎn)生及測(cè)量方法

使用帶有地線環(huán)的示波器探頭,將探針直接接觸正輸出的管腳,線環(huán)直接接觸負(fù)輸出的管腳,這是由于使得環(huán)路盡量短,這樣從示波器中讀出的峰值為輸出線上的紋波與噪聲。

2024-03-14 標(biāo)簽:示波器功率器件EMI濾波器 2.7k 0

車用電控設(shè)備(50w)散熱器的設(shè)計(jì)與測(cè)試

車用電控設(shè)備(50w)散熱器的設(shè)計(jì)與測(cè)試

在汽車電控設(shè)備設(shè)計(jì)中,電子器件是設(shè)備中的關(guān)鍵器件,電子器件散熱設(shè)計(jì)的好壞直接影響整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。文章介紹了一種車用電控設(shè)備中50w散熱器的設(shè)計(jì),并從使...

2013-06-14 標(biāo)簽:新能源汽車PCB散熱器 2.7k 0

DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題

DOH技術(shù)工藝方案解決陶瓷基板DBC散熱挑戰(zhàn)問題

引言:隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展,功率器件對(duì)散熱性能和可靠性的要求不斷提高。陶瓷基板作為功率器件散熱封裝中的關(guān)鍵材料,以其優(yōu)異的電絕緣性、高熱導(dǎo)率和機(jī)械強(qiáng)度...

2025-03-01 標(biāo)簽:IGBT散熱功率器件 2.7k 0

三相pwm逆變電路的特點(diǎn)有哪些

三相PWM逆變電路是一種將直流電能轉(zhuǎn)換為三相交流電能的電力電子裝置,廣泛應(yīng)用于工業(yè)、電力、交通等領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹三相PWM逆變電路的特點(diǎn)、工作原理、...

2024-07-05 標(biāo)簽:數(shù)字信號(hào)功率器件直流電 2.7k 0

功率器件的開關(guān)波形分析

功率器件,特別是如功率MOSFET和IGBT等,在電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們的開關(guān)波形分析對(duì)于理解器件性能、優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)以及確保系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)...

2024-07-19 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 2.7k 0

SiC功率器件和模塊!

SiC(碳化硅)是一種由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場(chǎng)強(qiáng)(擊穿場(chǎng))和帶隙...

2022-11-22 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2.7k 0

常見的幾種功率半導(dǎo)體器件

半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件,那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢?今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手,全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。

2023-12-14 標(biāo)簽:二極管晶閘管功率器件 2.7k 0

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    工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項(xiàng)目之一。該項(xiàng)目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟(jì)技術(shù)部聯(lián)合資助,投資預(yù)計(jì)達(dá)2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平,建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠,在商業(yè)流程及價(jià)值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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      網(wǎng)絡(luò)文件系統(tǒng),英文Network File System(NFS),是由SUN公司研制的UNIX表示層協(xié)議(presentation layer protocol),能使使用者訪問網(wǎng)絡(luò)上別處的文件就像在使用自己的計(jì)算機(jī)一樣。
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    麒麟960(kirin 960)是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動(dòng)設(shè)備芯片,麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心,小核心為A53,組成四大四小的big.LITTLE組合,GPU為Mali G71 MP8。
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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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