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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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適用微型逆變器500-1000W控制板應(yīng)用方案，包含MCU設(shè)計(jì)參考例程，上海貝嶺功率mos,igbt,ldo,運(yùn)放，比較器，存儲器等在逆變器產(chǎn)品應(yīng)用的方案。
FPGA或SoC電源的應(yīng)用中的集成柔性功率器件使用
使用四個獨(dú)立的器件為這個系統(tǒng)供電：兩個LP3982 300mA單通道LDO和兩個TLV62084 2A降壓轉(zhuǎn)換器。
2020-05-10 標(biāo)簽：fpgaDC-DC轉(zhuǎn)換器電源管理IC 1.9k 3
功率二極管的功率特性是指它在電路中的功率承受能力和穩(wěn)定性。 一般來說，功率二極管的承受功率與其封裝形式、材料、結(jié)構(gòu)等因素有關(guān)。常見的功率二極管封裝形式包...
上海貝嶺功率器件在電動輕便摩托車控制器的應(yīng)用解析
在中國電動兩輪車已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ钪斜夭豢缮俚慕煌üぞ摺ｋS著電動自行車國家標(biāo)準(zhǔn)的不斷改進(jìn)，電動自行車向著低速、高安全性和長續(xù)航里程等方向逐漸演進(jìn)。與此...
碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導(dǎo)通電阻低，開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn)。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...
中國汽車工業(yè)協(xié)會最新數(shù)據(jù)顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產(chǎn)銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場占有率達(dá)到25%。由此可...
功率二極管是一種高電流和電壓的二極管承受能力是用于交流電源轉(zhuǎn)換成直流電源，或用于控制高壓電路的電流。功率二極管的主要特性是能夠承受大電流和電壓，因此通常...
安森美GaN功率器件iGaN NCP5892x系列更簡單容易
GaN功率器件的應(yīng)用在消費(fèi)類產(chǎn)品電源近年相當(dāng)普及，大大提升了電源的效率和功率密度，其優(yōu)點(diǎn)和用量遞增，也逐漸延伸到服務(wù)器和工業(yè)電源領(lǐng)域。? 安森美（ons...
【泰克電源設(shè)計(jì)與測試】致工程師系列之二：功率器件的標(biāo)定及選擇
采用雙脈沖法，用信號發(fā)生器設(shè)置脈寬為1uS，周期為2.5uS，脈沖次數(shù)為2次，示波器采用單次觸發(fā)。
2020-03-10 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)示波器功率器件 1.9k 0
SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強(qiáng)等特點(diǎn)，...
功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還...
從成本到性能，燒結(jié)銅緣何成為汽車電子行業(yè)新寵？
本文從微焊料廠家視角出發(fā)，剖析了燒結(jié)銅受企業(yè)青睞的原因。在成本上，其價(jià)格遠(yuǎn)低于燒結(jié)銀，具有極大成本優(yōu)勢；性能方面，導(dǎo)電導(dǎo)熱性優(yōu)異，熱穩(wěn)定性和可靠性出色；...
大電流的快速切換會導(dǎo)致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設(shè)備共用一個或多個電源軌，則可能會對控制電路產(chǎn)生干擾。
降低高/低功率器件干擾耦合的設(shè)計(jì)原則。在蜂窩電話PCB上，通?？梢詫⒌驮胍舴糯笃麟娐贩旁赑CB的某一面，而將高功率放大器放在另一面，并最終通過雙工器把...
碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車（BEV）電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動以及太陽能和風(fēng)力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)...
共讀好書 杜隆純 何勇 劉洪偉 劉曉鵬 （湖南國芯半導(dǎo)體科技有限公司 湖南省功率半導(dǎo)體創(chuàng)新中心） 摘要： 針對SiC功率器件封裝的高性能和高可靠性要求，...
如何利用IT2800源表快速實(shí)現(xiàn)MOSFET器件的I-V特性測試？
MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，是電路設(shè)計(jì)中常用的功率開關(guān)器件，為壓控器件;其特點(diǎn)是用柵極電壓來控制漏極電流，具備驅(qū)動電路簡單，驅(qū)動功率小，開關(guān)...
2023-02-12 標(biāo)簽：MOSFET場效應(yīng)管功率器件 1.9k 0
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的進(jìn)步與發(fā)展，電子產(chǎn)品的發(fā)展趨向于微型化和密集化，電子器件的功率計(jì)散熱要求也隨之增加。
在進(jìn)行碳化硅、氮化鎵功率器件研發(fā)和特性評估、功率模塊開發(fā)和特性評估、電源設(shè)計(jì)器件選型、電源調(diào)試以及學(xué)術(shù)研究時，都需要對其驅(qū)動波形進(jìn)行測試，這時大多數(shù)工程...
氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案
摘要隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料SiC碳化硅因其優(yōu)異的物理和電學(xué)性能，在IGBT單管等高性能器件中得到了廣泛應(yīng)用。絕緣方案作為影響SiC...
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