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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分,有功率晶體管(MOSFET、IGBT等)、二極管、晶閘管、雙向可控硅...
24W電源模塊的設(shè)計涉及到多個方面,包括電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、功率器件選擇、控制策略、保護(hù)機(jī)制等。 電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 24W電源模塊通常采用開關(guān)電源技術(shù),其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)...
2024-07-08 標(biāo)簽:開關(guān)電源電源模塊功率器件 2.1k 0
100 V GaN FET 在 48 V 汽車和服務(wù)器應(yīng)用以及 USB-C、激光雷達(dá)和 LED 照明中很受歡迎。然而,小尺寸和最小的封裝寄生效應(yīng)為動態(tài)表...
2022-10-19 標(biāo)簽:功率器件GaN電源環(huán)路 2.1k 0
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案:從產(chǎn)品到應(yīng)用,一文讀懂(上篇)》文章中,我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件,讓大家...
2025-02-07 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體功率器件 2.1k 0
隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長期連續(xù)使用后會出現(xiàn)老化現(xiàn)...
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)變和可再生能源的普及,電力電子技術(shù)在現(xiàn)代社會中的作用日益凸顯。作為電力電子技術(shù)的關(guān)鍵元件,功率器件的性能直接影響著能源轉(zhuǎn)換和使用的效...
二十多年來,碳化硅(Silicon Carbide,SiC)作為一種寬禁帶功率器件,受到人們越來越多的關(guān)注。與硅相比,碳化硅具有很多優(yōu)點,如:碳化硅的禁...
傳統(tǒng)的GaN異質(zhì)外延主要在藍(lán)寶石襯底、Si襯底或者SiC襯底,在剝離的過程中,如藍(lán)寶石就特別困難,會產(chǎn)生較大的材料損耗和額外成本,且剝離技術(shù)也有待進(jìn)一步提高。
功率半導(dǎo)體器件是各類電子產(chǎn)品線路中不可或缺的重要組件。近年來,我國功率半導(dǎo)體器件制造企業(yè)通過持續(xù)的引進(jìn)消化吸收再創(chuàng)新以及自主創(chuàng)新,產(chǎn)品技術(shù)含量及性能水平...
2024-09-12 標(biāo)簽:功率器件功率半導(dǎo)體碳化硅 2.1k 0
針對手機(jī)開發(fā)的DC-DC轉(zhuǎn)換器用線繞型功率電感介紹
手機(jī)、便攜音樂播放器、便攜式游戲機(jī)、筆記本電腦等各種便攜式電子產(chǎn)品存在于我們的日常生活中。這些便攜式電子產(chǎn)品由電池供電,各個機(jī)器內(nèi)部都裝載著多個電源電...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(十)——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)
樣品活動進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計...
如何通過創(chuàng)新封裝技術(shù)提升功率器件性能
由于對提高功率密度的需求,功率器件、封裝和冷卻技術(shù)面臨獨特的挑戰(zhàn)。在功率轉(zhuǎn)換過程中,高溫和溫度波動限制了設(shè)備的最大功率能力、系統(tǒng)性能和可靠性。本文將總結(jié)...
微波半導(dǎo)體器件在微波系統(tǒng)中能發(fā)揮各方面性能,歸納起來,即在微波功率產(chǎn)生及放大,控制、接收三個方面。而微波功率器件要求有盡可能大的輸出功率和輸出效率及功率...
2023-02-16 標(biāo)簽:功率器件半導(dǎo)體器件微波功率 2k 0
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