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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里?

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碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料,碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領(lǐng)域,處于寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的前端,是前沿、基礎(chǔ)的核心關(guān)鍵材料。

2023-10-09 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車功率器件SiC 2.2k 0

IGBT和SiC柵極驅(qū)動(dòng)器基礎(chǔ)知識(shí)(一)

大家好,看到TI一篇關(guān)于IGBT和SiC器件柵極驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的文檔,雖然比較基礎(chǔ),但是概括的比較好,適合電力電子專業(yè)的初學(xué)者,總體內(nèi)容如下。

2022-11-25 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 2.2k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有...

2024-02-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 2.2k 0

上海貝嶺IGBT與MOSFET高效能功率器件產(chǎn)品介紹

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在工業(yè)自動(dòng)化、新能源應(yīng)用和高效電源系統(tǒng)蓬勃發(fā)展的今天,對(duì)功率半導(dǎo)體器件的性能、效率和可靠性提出了前所未有的高要求。上海貝嶺作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的模擬及功率半導(dǎo)體...

2025-09-16 標(biāo)簽:MOSFETIGBT功率器件 2.2k 0

B1506A功率器件分析儀在車規(guī)級(jí)大功率半導(dǎo)體測(cè)試中的應(yīng)用

“降價(jià)了降價(jià)了?。?!某某汽車又降價(jià)了,最近的汽車交易市場(chǎng)價(jià)格戰(zhàn)打的火熱啊,趕緊抓住機(jī)會(huì),搞一輛新車,到底是買傳統(tǒng)車還是新能源呢?別急,我們講一下新能源新在哪里。

2023-06-09 標(biāo)簽:新能源汽車DC-DC功率器件 2.2k 0

電力電子裝置EMI濾波器平面集成研究

順應(yīng)逆變器高頻化和集成化發(fā)展,針對(duì)開關(guān)頻率提高所帶來嚴(yán)重的電磁干擾問題,采用平面磁集成結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)雙級(jí)EMI濾波器。在EIE型磁芯上實(shí)現(xiàn)雙級(jí)EMI濾波器所需...

2023-04-16 標(biāo)簽:電磁兼容濾波器功率器件 2.2k 0

BGA植球中助焊劑的應(yīng)用工序及核心要求

BGA植球中助焊劑的應(yīng)用工序及核心要求

BGA植球中,助焊劑是保障焊球定位與焊接質(zhì)量的核心輔料,僅在焊球放置前的焊盤預(yù)處理后集中涂覆,兼具粘結(jié)固定焊球、清除氧化層、防二次氧化的作用。其性能要求...

2025-12-16 標(biāo)簽:smtBGA功率器件 2.2k 0

常見電源拓?fù)浼爱a(chǎn)品介紹

常見電源拓?fù)浼爱a(chǎn)品介紹

去年源自危機(jī)感開的公眾號(hào),自從技術(shù)轉(zhuǎn)崗業(yè)務(wù),加上市場(chǎng)趨勢(shì)向下,總覺得要多積累一些東西來增加自身的價(jià)值,也逐漸理解業(yè)務(wù)未必就是把技術(shù)放下,也意識(shí)到哪怕不放...

2024-01-11 標(biāo)簽:PFC功率器件LLC 2.2k 0

同軸分流器在SiC和GaN器件中的測(cè)量應(yīng)用

同軸分流器在SiC和GaN器件中的測(cè)量應(yīng)用

隨著現(xiàn)代電力電子的高速發(fā)展,SiC/GaN 功率器件的應(yīng)用越來越廣泛,工程師經(jīng)常要測(cè)量頻率高達(dá)數(shù)百 kHz,電流高達(dá)數(shù)十安培的功率電路。

2024-03-13 標(biāo)簽:功率器件SiCGaN 2.2k 0

三菱電機(jī)功率器件發(fā)展史

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三菱電機(jī)從事功率半導(dǎo)體開發(fā)和生產(chǎn)已有六十多年的歷史,從早期的二極管、晶閘管,到MOSFET、IGBT和SiC器件,三菱電機(jī)一直致力于功率半導(dǎo)體芯片技術(shù)和...

2024-07-24 標(biāo)簽:MOSFET三菱電機(jī)功率器件 2.2k 0

功率器件的保護(hù)方法

保險(xiǎn)絲常串接在電路的電源輸入端用以控制整個(gè)電路的總電流。其工作原理是靠電路出現(xiàn)故障后增大的故障電流流過保險(xiǎn)絲時(shí)導(dǎo)致其發(fā)熱升溫自行熔化,以切斷電源供給達(dá)到...

2019-06-11 標(biāo)簽:功率功率器件 2.2k 0

垂直型GaN-on-GaN功率二極管浪涌特性研究

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近日,中國(guó)科大微電子學(xué)院兩篇論文入選第35屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議(IEEE ISPSD)。IEEE ISPSD是功率半導(dǎo)體器件和集成電路領(lǐng)域...

2023-06-13 標(biāo)簽:二極管MOSFET半導(dǎo)體 2.2k 0

IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用

IGBT導(dǎo)熱機(jī)理及導(dǎo)熱材料的作用

根據(jù) IGBT 熱傳導(dǎo)示意圖所示,芯片內(nèi)損耗產(chǎn)生的熱能通過芯片傳到外殼底座,再由外殼將少量的熱量直接傳到環(huán)境中去(以對(duì)流和輻射的形式),而大部分熱量通過...

2024-03-06 標(biāo)簽:散熱器散熱片IGBT 2.2k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(七)——熱等效模型

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/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、SiCMOSFET高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確熱設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率...

2024-12-03 標(biāo)簽:功率器件熱設(shè)計(jì)等效模型 2.2k 0

注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

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為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enha...

2025-05-21 標(biāo)簽:工藝IGBT功率器件 2.2k 0

功率ic和模擬ic的區(qū)別在哪

功率IC是專門用于電力轉(zhuǎn)換和控制的電子器件,可以將低電壓、低電流的信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流的信號(hào)。它通常被用于控制高功率電源和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用,比如在工業(yè)...

2023-02-18 標(biāo)簽:IC功率器件功率IC 2.1k 0

SiC的物性和特征

SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 2.1k 0

一文帶您看懂如何避免因助焊劑使用不當(dāng)導(dǎo)致的焊接不良?

一文帶您看懂如何避免因助焊劑使用不當(dāng)導(dǎo)致的焊接不良?

助焊劑是電子封裝焊接的關(guān)鍵輔料,使用不當(dāng)易引發(fā)虛焊、橋連、殘留腐蝕、空洞等不良,嚴(yán)重影響器件可靠性。其選用需精準(zhǔn)匹配場(chǎng)景:汽車電子需車規(guī)級(jí)無鹵助焊劑,耐...

2025-12-20 標(biāo)簽:汽車電子BGA功率器件 2.1k 0

功率二極管的優(yōu)點(diǎn)以及缺點(diǎn)

功率二極管作為一種常用的電子元器件,具有以下優(yōu)點(diǎn): 高速開關(guān)能力:功率二極管具有快速的開關(guān)速度和反向恢復(fù)時(shí)間,能夠在高頻率下進(jìn)行快速的開關(guān)操作,廣泛應(yīng)用...

2023-02-18 標(biāo)簽:二極管功率二極管功率器件 2.1k 0

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    米爾是一家專注于ARM嵌入式軟硬件開發(fā)的高新技術(shù)企業(yè)。在以客戶為中心的指引下,米爾為嵌入式領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的ARM工業(yè)控制板、ARM核心板、ARM開發(fā)工具、充電樁計(jì)費(fèi)控制單元及充電控制板等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。
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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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瑞薩 沁恒股份 全志 國(guó)民技術(shù) 瑞芯微 兆易創(chuàng)新 芯??萍?/a> Altium
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
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視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
NB-IoT LoRa Zigbee NFC 藍(lán)牙 RFID Wi-Fi SIGFOX
Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
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