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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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最近,AlGaN/GaN肖特基二極管(SBD)受到了越來越多的關(guān)注。該器件具有關(guān)斷速度快、擊穿電壓高導(dǎo)通電阻小等特點,因而被業(yè)界廣泛地認(rèn)為是下一代功率器...
作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件,新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領(lǐng)域,并且將進(jìn)一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領(lǐng)域。
我國擁有世界最大的汽車消費市場,為堅持可持續(xù)發(fā)展基本國策,需大力發(fā)展環(huán)保?節(jié)能?經(jīng)濟(jì)的電動汽車[1]?車主因擔(dān)心駕駛電動汽車突然沒電引起的焦慮問題主要有...
新型電力系統(tǒng)面臨的發(fā)展要求和挑戰(zhàn)
高比例新能源的技術(shù)挑戰(zhàn)在于抗擾性弱,暫態(tài)電壓失穩(wěn),慣量缺失。新能源滲透率提高,電網(wǎng)強(qiáng)度下降,暫態(tài)穩(wěn)定性問題更加凸顯。Grid Forming構(gòu)網(wǎng)技術(shù)是解...
2023-12-06 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)IGBT功率器件 2k 0
氮化鎵(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢...
除牽引逆變器外,輔助轉(zhuǎn)換器、鐵路電池充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器尤其受益于SiC功率模塊帶來的開關(guān)頻率提升。開關(guān)頻率的增加通常允許減小無源元件(如變壓器、...
第一代半導(dǎo)體材料以硅(Si)和鍺(Ge)為代表,它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)的發(fā)展,第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵(GaAs)和銻化銦(InSb...
IGBT頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn) 中國有哪些優(yōu)秀的IGBT廠商
隨著新能源的爆火,IGBT缺貨成了近年來的“家常便飯”。根據(jù)富昌電子的數(shù)據(jù),目前英飛凌、安森美、意法半導(dǎo)體等IGBT國際大廠的訂單整體處于相對飽滿的狀態(tài)...
對功率器件動態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán),測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一...
功率器件及功率模塊的散熱計算,其目的是在確定的散熱條件下選擇合適的散熱器,以保證器件或模塊安全、可靠地工作。目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件,但大功...
ADI出色的熱設(shè)計和緊湊型電源設(shè)計解決方案
隨著技術(shù)不斷進(jìn)步,所有電子系統(tǒng)中包含的功能內(nèi)容數(shù)量不斷增多,可用空間卻在不斷減少。手機(jī)有觸摸屏、手電筒、省電模式和精巧的攝像頭。以前汽車儀表盤上只有基本...
Revasum與SGSS建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
Revasum是一家專門從事半導(dǎo)體器件制造過程中所用資本設(shè)備的設(shè)計和制造的公司,宣布與提供高性能材料和創(chuàng)新解決方案的圣戈班表面解決方案(SGSS)建立戰(zhàn)...
技術(shù)資料#UCC24612 高頻多模同步整流控制器
UCC24612 是一款高性能同步整流器控制器和驅(qū)動器,適用于標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平 N 溝道 MOSFET 功率器件。通過實現(xiàn)近乎理想的二極管仿真UCC246...
功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)(九)——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散
樣品活動進(jìn)行中,掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識,才能完成精確熱設(shè)計...
2024-12-16 標(biāo)簽:功率器件測量功率半導(dǎo)體 2k 0
1940年貝爾實驗室在研究雷達(dá)探測整流器時,發(fā)現(xiàn)硅存在PN結(jié)效應(yīng),1958年美國通用電氣(GE)公司研發(fā)出世界上第一個工業(yè)用普通晶閘管,標(biāo)志著電力電子技...
MOS產(chǎn)品朝著高性能、低功耗、高安全、高穩(wěn)定性和高可靠性等方向演進(jìn),如何才能做出更好的MOS產(chǎn)品?好的封裝是提升性能的一個關(guān)鍵。TOLL封裝是一種無引線...
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
功率IC是一種將多個功率器件、控制器件和其他輔助器件集成到一個芯片上的電子器件,其主要用途是控制和管理電源、電流和電壓等,實現(xiàn)不同電路和設(shè)備的穩(wěn)定和安全...
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