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標(biāo)簽 > 功率器件

功率器件

功率器件

+關(guān)注43人關(guān)注

功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

三種功率器件的區(qū)別解析

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600-650V功率器件是Si SJ MOS(又稱Si 超結(jié)MOS),SiC MOS和GaN HEMT競(jìng)爭(zhēng)最為激烈的產(chǎn)品區(qū)間,其典型應(yīng)用為高頻高效高功率...

2025-08-16 標(biāo)簽:封裝功率器件SiC 4.2k 0

MDD肖特基二極管的雪崩耐量及其工程意義

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在功率器件的參數(shù)表中,我們常看到MOSFET的AvalancheEnergy(EAS)或AvalancheCurrent(IAR)指標(biāo),用于描述器件在雪...

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IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用實(shí)踐筆記 v3.0

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以下內(nèi)容發(fā)表在「SysPro系統(tǒng)工程智庫」知識(shí)星球-關(guān)于IGBT關(guān)鍵特性參數(shù)應(yīng)用指南v3.0版本-「SysPro|動(dòng)力系統(tǒng)功能解讀」專欄內(nèi)容,全文155...

2025-08-08 標(biāo)簽:IGBT晶體管功率器件 3.2k 0

Texas Instruments UCC57108EVM評(píng)估模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)

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Texas Instruments UCC57108EVM評(píng)估模塊是為評(píng)估UCC57108的功能而開發(fā)的。對(duì)于具有TO-220占位面積的電容性負(fù)載或功率...

2025-07-28 標(biāo)簽:功率器件評(píng)估模塊TO-220封裝 1.1k 0

氮化硅陶瓷射頻功率器件載體:性能、對(duì)比與制造

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氮化硅陶瓷憑借其獨(dú)特的物理化學(xué)性能組合,已成為現(xiàn)代射頻功率器件載體的關(guān)鍵材料。其優(yōu)異的導(dǎo)熱性、絕緣性、機(jī)械強(qiáng)度及熱穩(wěn)定性,為高功率、高頻率電子設(shè)備提供了...

2025-07-12 標(biāo)簽:射頻功率器件陶瓷基片 1.5萬 0

氧化鎵功率器件動(dòng)態(tài)可靠性測(cè)試方案

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在氮化鎵和碳化硅之后,氧化鎵(Ga?O?)正以超高擊穿電壓與低成本潛力,推動(dòng)超寬禁帶功率器件進(jìn)入大規(guī)模落地階段。

2025-07-11 標(biāo)簽:電源模塊功率器件氧化鎵 3.4k 0

瑞能650V 75A IGBT產(chǎn)品解析

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自“雙碳”目標(biāo)確定以來,我國(guó)能源綠色低碳轉(zhuǎn)型穩(wěn)步推進(jìn),光伏、風(fēng)電、儲(chǔ)能等新能源行業(yè)也迎來了井噴式發(fā)展。下圖是一個(gè)光伏系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖,其中逆變器作為光伏發(fā)電系...

2025-06-20 標(biāo)簽:逆變器IGBT功率器件 4.7k 0

功率器件電鍍的原理和步驟

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在功率半導(dǎo)體制程里,電鍍扮演著舉足輕重的角色,從芯片前端制程到后端封裝,均離不開這一關(guān)鍵工序。目前,我國(guó)中高檔功率器件在晶圓背面金屬化方面存在技術(shù)短板,...

2025-06-09 標(biāo)簽:晶圓電鍍功率器件 2.8k 0

泰克科技功率器件雙脈沖測(cè)試解決方案

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在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子技術(shù)領(lǐng)域,功率半導(dǎo)體器件的性能優(yōu)化至關(guān)重要。雙脈沖測(cè)試(DPT)作為一種關(guān)鍵的測(cè)試方法,為功率器件的動(dòng)態(tài)行為評(píng)估提供了精準(zhǔn)的手段...

2025-06-05 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器功率器件功率半導(dǎo)體 1.6k 0

新型功率器件的老化測(cè)試方法

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隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步,新型功率器件如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,這些器件在長(zhǎng)期連續(xù)使用后會(huì)出現(xiàn)老化現(xiàn)...

2025-06-03 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵碳化硅 2k 0

SiC功率器件在純電動(dòng)卡車中的應(yīng)用的秘密

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-回答星友xuu的提問,關(guān)于SiC功率器件在純電動(dòng)卡車中的應(yīng)用解析-文字原創(chuàng),素材來源:各廠商,網(wǎng)絡(luò)-本篇為知識(shí)星球節(jié)選,完整版報(bào)告與解讀在知識(shí)星球發(fā)布...

2025-06-01 標(biāo)簽:功率器件SiC純電動(dòng)車 632 0

浮思特 | 在工程襯底上的GaN功率器件實(shí)現(xiàn)更高的電壓路徑

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橫向氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)在中低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)。將這一材料體系擴(kuò)展至更高電壓等級(jí)需要器件設(shè)計(jì)和襯底技術(shù)的創(chuàng)新。本文總結(jié)...

2025-05-28 標(biāo)簽:晶體管功率器件GaN 1k 0

為什么要用電子負(fù)載?

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在現(xiàn)代電子設(shè)備的研發(fā)、測(cè)試和生產(chǎn)過程中,電子負(fù)載作為一種重要的測(cè)試工具,其應(yīng)用范圍廣泛且不可或缺。本文將從電子負(fù)載的定義、工作原理、優(yōu)勢(shì)以及實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景...

2025-05-26 標(biāo)簽:負(fù)載電子負(fù)載功率器件 1.3k 0

SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和注意事項(xiàng)

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通過并聯(lián)SiC MOSFET功率器件,可以獲得更高輸出電流,滿足更大功率系統(tǒng)的要求。本章節(jié)主要介紹了SiC MOSFET并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)靜態(tài)均流的基本要求和...

2025-05-23 標(biāo)簽:MOSFET功率器件SiC 2.2k 0

注入增強(qiáng)型IGBT學(xué)習(xí)筆記

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為了協(xié)調(diào)IGBT通態(tài)特性與關(guān)斷特性及短路特性之間的矛盾,提高器件的綜合性能和可靠性,在IGBT中引入了一種電子注入增強(qiáng)效應(yīng)(Injection Enha...

2025-05-21 標(biāo)簽:工藝IGBT功率器件 2.1k 0

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近年來,家居清潔產(chǎn)品正朝著無線化、智能化和高效能的方向快速發(fā)展。無繩吸塵器憑借其便捷性和靈活性,已成為市場(chǎng)主流。然而,為了滿足用戶對(duì)更長(zhǎng)續(xù)航、更強(qiáng)動(dòng)力和...

2025-05-24 標(biāo)簽:MOSFET東芝吸塵器 1.2k 0

GaN與SiC功率器件深度解析

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本文針對(duì)當(dāng)前及下一代電力電子領(lǐng)域中市售的碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)晶體管進(jìn)行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結(jié)構(gòu)差異。...

2025-05-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 2.6k 0

功率器件開關(guān)功耗測(cè)試詳細(xì)步驟 HD3示波器輕松搞定MOSFET開關(guān)損耗測(cè)試

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功率器件(MOSFET/IGBT) 是開關(guān)電源最核心的器件同時(shí)也是最容易損壞的器件之一。在開關(guān)電源設(shè)計(jì)中,功率器件的測(cè)試至關(guān)重要,主要包括開關(guān)損耗測(cè)試,...

2025-05-14 標(biāo)簽:MOSFET開關(guān)電源示波器 1.7k 0

電子封裝中的高導(dǎo)熱平面陶瓷基板及金屬化技術(shù)研究

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隨著大功率器件朝著高壓、高電流以及小型化的方向發(fā)展,這對(duì)于器件的散熱要求變得更為嚴(yán)格。陶瓷基板因其卓越的熱導(dǎo)率和機(jī)械性能,被廣泛應(yīng)用于大功率器件的封裝工藝中。

2025-05-03 標(biāo)簽:晶體管功率器件電子封裝 3.7k 0

YAGEO與Pulse產(chǎn)品在物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備中的應(yīng)用

隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)技術(shù)的快速發(fā)展,設(shè)備之間的高效、可靠連接成為關(guān)鍵課題。在物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)中,集成連接器模塊、功率器件與保護(hù)器件的協(xié)同應(yīng)用,不僅能確保數(shù)據(jù)與...

2025-04-25 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)保護(hù)器件功率器件 1.3k 0

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    ARM公司是一家知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)供應(yīng)商,它與一般的半導(dǎo)體公司最大的不同就是不制造芯片且不向終端用戶出售芯片,而是通過轉(zhuǎn)讓設(shè)計(jì)方案,由合作伙伴生產(chǎn)出各具特色的芯片。
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編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題

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st Murata Panasonic Altera Bourns 矽力杰 Samtec 揚(yáng)興科技
microchip TDK Rohm Silicon Labs 圣邦微電子 安費(fèi)諾工業(yè) ixys Isocom Compo
安森美 DIODES Nidec Intel EPSON 樂鑫 Realtek ERNI電子
TE Connectivity Toshiba OMRON Sensirion Broadcom Semtech 旺宏 英飛凌
Nexperia Lattice KEMET 順絡(luò)電子 霍尼韋爾 pulse ISSI NXP
Xilinx 廣瀨電機(jī) 金升陽 君耀電子 聚洵 Liteon 新潔能 Maxim
MPS 億光 Exar 菲尼克斯 CUI WIZnet Molex Yageo
Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長(zhǎng)晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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