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標(biāo)簽 > 功率器件
功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級(jí)功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測(cè)試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。
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瑤芯微完成數(shù)億元C輪融資,促進(jìn)高端功率器件及碳化硅產(chǎn)品研發(fā)
近日,瑤芯微電子科技(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“瑤芯微”)完成數(shù)億元C輪融資。本輪融資由盛石資本、同創(chuàng)偉業(yè)聯(lián)合領(lǐng)投,參與資本方包括基石資本、美的投資等,...
功率半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于感應(yīng)加熱電源、電力交通功率變換器、牽引變電站、不間斷電源等各種工業(yè)設(shè)備中,焊接設(shè)備也不例外。在不斷發(fā)展和創(chuàng)新的背景下,焊接設(shè)備將繼續(xù)...
聞泰科技推出車規(guī)級(jí)1200V SiC MOSFET
在全球新能源汽車加速普及的今天,續(xù)航短、充電慢成為行業(yè)發(fā)展瓶頸。為突破這兩大痛點(diǎn),高功率電壓系統(tǒng)對(duì)1200V耐壓功率芯片的需求愈發(fā)迫切,1200V Si...
昌龍智芯650V-3300V氧化鎵功率器件發(fā)布:國(guó)產(chǎn)高壓半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)從“跟跑”到“領(lǐng)跑”的跨越
2026年4月,昌龍智芯正式發(fā)布覆蓋650V至3300V電壓等級(jí)的氧化鎵功率器件系列,標(biāo)志著我國(guó)在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破,填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該電壓...
“***”瑞森半導(dǎo)體(REASUNOS)將亮相2023慕尼黑上海電子展
2023/7/11-13日瑞森半導(dǎo)體上海慕尼黑電子展,原廠品牌、產(chǎn)能充足、產(chǎn)品豐富,1000多款熱銷產(chǎn)品供您選擇,誠邀參與
從缺芯潮緩解轉(zhuǎn)向下游市場(chǎng)需求疲軟,在半導(dǎo)體賽道的周期性[寒冬]之下,各家企業(yè)相繼采取措施,減產(chǎn)、縮減投資等逐漸成為行業(yè)廠商度過危機(jī)的主要方式之一。
安建半導(dǎo)體出席第36屆功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際研討會(huì)
在前不久結(jié)束的ISPSD2024 征稿評(píng)比中,安建半導(dǎo)體以工作單位獨(dú)立參加碳化硅領(lǐng)域投稿,在口頭報(bào)告錄取率僅只有12.4%的激烈角逐下,成功入圍口頭報(bào)告...
2024-06-12 標(biāo)簽:集成電路功率器件功率半導(dǎo)體 1.5k 0
奔向太空!EPC Space推動(dòng)耐輻射GaN功率器件全球布局
近日,EPC Space宣布與全球領(lǐng)先的電子元件和服務(wù)分銷商——安富利(Avnet)簽署了一項(xiàng)重要的分銷協(xié)議。根據(jù)協(xié)議,安富利將成為EPC Space耐...
陜西先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺(tái)全面啟用
陜西光電子先導(dǎo)院先進(jìn)光子器件工程創(chuàng)新平臺(tái)在西安全面啟用。該平臺(tái)具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項(xiàng)核心工藝,將為光子產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目提供產(chǎn)品研發(fā)、中試、檢...
近日,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布了一項(xiàng)重要決策,將在GaN功率半導(dǎo)體領(lǐng)域加強(qiáng)與臺(tái)積電的合作。據(jù)悉,羅姆將全面委托臺(tái)積電代工生產(chǎn)GaN功率...
這地年產(chǎn)值150億元的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件項(xiàng)目一期竣工
據(jù)傳感器專家網(wǎng)獲悉,比亞迪功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。這是濱海新區(qū)2023年重大項(xiàng)目竣工投產(chǎn)儀式上投資總額最大的項(xiàng)目。 據(jù)了解,位于...
2023-12-08 標(biāo)簽:功率器件傳感控制器比亞迪半導(dǎo)體 1.5k 0
在電氣領(lǐng)域,漏極和源極之間的漏電流 (I DSS ) 或柵極和源極之間的漏電流 (I GSS ) 是功率 MOSFET 故障的一般類別。將故障分析集中在...
2022-07-29 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件 1.5k 0
東芝推出600V小型智能功率器件,助力降低電機(jī)功率損耗
TPD4162F采用新工藝制造,與東芝當(dāng)前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設(shè)備降低總體功率損耗。
瑞能半導(dǎo)體再次榮獲海爾卡奧斯創(chuàng)智物聯(lián)戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)
日前,全球領(lǐng)先的國(guó)際化功率器件品牌瑞能半導(dǎo)體,在海爾卡奧斯創(chuàng)智物聯(lián)2023年度優(yōu)秀供應(yīng)商評(píng)比中榮獲戰(zhàn)略供應(yīng)商獎(jiǎng)。
氮化硅陶瓷基板有利于提高功率器件的可靠性及高導(dǎo)熱性
隨著能源的轉(zhuǎn)換、汽車的電氣化、高速鐵路的普及,控制能量的功率器件的負(fù)載越來越大。結(jié)果,作為功率器件的主要部件的半導(dǎo)體元件產(chǎn)生的熱量也在增加。由于熱量會(huì)降...
芯聯(lián)集成宣布與理想汽車正式簽署戰(zhàn)略合作框架協(xié)議
據(jù)介紹,按照雙方協(xié)議簽署,芯聯(lián)集成將和理想汽車在碳化硅(SiC)領(lǐng)域展開全面戰(zhàn)略合作,雙方將一起積極推動(dòng)產(chǎn)品化進(jìn)程,共同提升雙方的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
安建半導(dǎo)體是一家專注于半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷售的公司,主要產(chǎn)品包括高性能溝槽柵場(chǎng)截止型絕緣柵雙極性晶體管、屏蔽柵溝槽型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、高壓場(chǎng)效應(yīng)晶...
2024-04-18 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)晶體管功率器件安建半導(dǎo)體 1.5k 0
青銅劍技術(shù)推出全新碳化硅驅(qū)動(dòng)核
近年來,隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟,行業(yè)對(duì)碳化硅功率器件的應(yīng)用需求正日益趨向多樣化、集成化及輕量化。碳化硅功率器件具有極低的門極電荷與導(dǎo)通阻抗、極高的開關(guān)...
創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級(jí),青銅劍科技出席電氣化交通前沿技術(shù)論壇
7月7日至8日,由清華大學(xué)、英國(guó)諾丁漢大學(xué)與中車株洲電力機(jī)車研究所聯(lián)合主辦,深圳青銅劍科技股份有限公司等企業(yè)支持的電氣化交通前沿技術(shù)論壇在清華大學(xué)成功舉...
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