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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

場(chǎng)效應(yīng)管的雪崩電流解析

在電子工程領(lǐng)域,場(chǎng)效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡(jiǎn)稱FET)作為一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電路中。其中,功...

2024-05-31 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管 3.3k 0

以MCS251單片機(jī)為主控器的激光器電流精度控制電路設(shè)計(jì)

以MCS251單片機(jī)為主控器的激光器電流精度控制電路設(shè)計(jì)

為了使激光器輸出穩(wěn)定的激光,對(duì)流過激光器的電流要求非常嚴(yán)格,供電電路必須是低噪聲的穩(wěn)定的恒流源。恒流源可以從0A~2. 5A 之間連續(xù)可調(diào),以適應(yīng)不同規(guī)...

2018-08-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體控制器51單片機(jī) 3.3k 0

授人以魚不如授人以漁,這些三極管放大電路簡(jiǎn)便設(shè)計(jì)技巧,讓你可以少走彎路

授人以魚不如授人以漁,這些三極管放大電路簡(jiǎn)便設(shè)計(jì)技巧,讓你可以少走彎路

放大電路的核心元件是三極管,所以要對(duì)三極管要有一定的了解。用三極管構(gòu)成的放大電路的種類較多,我們用常用的幾種來解說一下。圖1是一共射的基本放大電路,一般...

2017-04-18 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體放大電路 3.3k 0

一文解讀電荷的復(fù)合

一文解讀電荷的復(fù)合

根據(jù)前面的分析,電子或者空穴產(chǎn)生于導(dǎo)帶和價(jià)帶中是一個(gè)統(tǒng)計(jì)概率,這個(gè)概率符合費(fèi)米分布規(guī)律。

2023-11-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT電荷 3.3k 0

存儲(chǔ)器卡及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類介紹

存儲(chǔ)器,顧名思義是存儲(chǔ)設(shè)備。在諸多電子設(shè)備中,存儲(chǔ)器是必不可少的重要組件。為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的了解,本文將對(duì)存儲(chǔ)器卡以及半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類予以介紹。

2020-12-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器卡 3.3k 0

半導(dǎo)體的工作原理 N型和P型半導(dǎo)體有什么區(qū)別?

半導(dǎo)體光放大器 (SOA) 是半導(dǎo)體中發(fā)現(xiàn)的一種放大光的元件。用戶可以在用于實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心之間通信的光收發(fā)器模塊中找到 SOA。

2023-04-06 標(biāo)簽:集成電路二極管半導(dǎo)體 3.3k 0

選擇正裝芯片還是倒裝芯片?一文幫你做決策

選擇正裝芯片還是倒裝芯片?一文幫你做決策

在半導(dǎo)體行業(yè)中,芯片裝配方式的選擇對(duì)產(chǎn)品的性能、穩(wěn)定性和成本具有重要影響。正裝芯片和倒裝芯片是兩種常見的芯片裝配方式,它們?cè)谠O(shè)計(jì)、工藝、性能和應(yīng)用方面存...

2024-06-19 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體芯片封裝 3.3k 0

詳解芯片封裝的工藝步驟

詳解芯片封裝的工藝步驟

芯片封裝是半導(dǎo)體制造過程中至關(guān)重要的一步,它不僅保護(hù)了精密的硅芯片免受外界環(huán)境的影響,還提供了與外部電路連接的方式。通過一系列復(fù)雜的工藝步驟,芯片從晶圓...

2025-08-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶圓芯片封裝 3.3k 0

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(2)

MOSFET結(jié)構(gòu)解析(2)

MOS結(jié)構(gòu)加上一對(duì)背靠背的PN結(jié),就構(gòu)成一個(gè)MOSFET。如果MOS結(jié)構(gòu)在零柵壓時(shí)半導(dǎo)體表面不是反型的,此時(shí)由于PN結(jié)的反向截止效果,源漏之間不會(huì)導(dǎo)通。...

2023-11-30 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體晶體管 3.3k 0

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)快恢復(fù)二極管

簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)快恢復(fù)二極管

整流用功率二極管必須要有較低的正向壓降以提高通態(tài)電流及降低通態(tài)功耗,同時(shí)還要具有較高的擊穿電壓,但對(duì)反向恢復(fù)時(shí)間的要求不高。開關(guān)用功率二極管則要求有較高...

2024-01-11 標(biāo)簽:二極管功率二極管半導(dǎo)體 3.3k 0

GaN和SiC功率器件的特性和應(yīng)用

GaN和SiC功率器件的特性和應(yīng)用

如今,圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn),第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來電子產(chǎn)品在高...

2024-10-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC氮化鎵 3.3k 0

隔離放大器會(huì)越來越多的應(yīng)用到半導(dǎo)體器件中

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李寧遠(yuǎn))隔離器件的使用在現(xiàn)今的半導(dǎo)體設(shè)備中越來越普遍了,既是為了滿足安全法規(guī),也為了提高芯片的整體性能。就放大器這一類別來說,傳統(tǒng)...

2022-01-26 標(biāo)簽:放大器半導(dǎo)體隔離器 3.3k 0

關(guān)于半導(dǎo)體電子類廠房諧波治理的探討和治理方案

關(guān)于半導(dǎo)體電子類廠房諧波治理的探討和治理方案

各式各樣的電力電子裝置在運(yùn)轉(zhuǎn)過程中都會(huì)產(chǎn)生諧波,污染電力系統(tǒng),導(dǎo)致諧波危害越來越嚴(yán)重,成了電網(wǎng)大公害?;诖?,本文探討了諧波產(chǎn)生的原因以及影響,針對(duì)當(dāng)前...

2023-01-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體整流器變頻器 3.3k 0

TVS二極管的特點(diǎn)和應(yīng)用實(shí)例

TVS二極管,即瞬態(tài)電壓抑制器(Transient Voltage Suppressors),又稱雪崩擊穿二極管,是一種用于保護(hù)電子電路的重要器件。它采...

2024-07-24 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體TVS 3.3k 0

mos管的原理與特點(diǎn)介紹

mos管的原理與特點(diǎn)介紹

MOS管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的簡(jiǎn)稱,是一種廣泛應(yīng)用于集成電路中的微型電子元件。 MOS管即MOSFET,中文全稱是金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)...

2024-06-09 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體MOS管 3.3k 0

變?nèi)荻O管的工作原理 變?nèi)荻O管的作用特點(diǎn)

變?nèi)荻O管的工作原理 變?nèi)荻O管的作用特點(diǎn)

變?nèi)荻O管為特殊二極管的一種。當(dāng)外加順向偏壓時(shí),有大量電流產(chǎn)生,PN(正負(fù)極)結(jié)的耗盡區(qū)變窄,電容變大,產(chǎn)生擴(kuò)散電容效應(yīng);

2024-04-04 標(biāo)簽:半導(dǎo)體變?nèi)荻O管可變電容器 3.3k 0

熱電偶測(cè)溫準(zhǔn)確性的影響因素

熱電偶作為一種常見的溫度測(cè)量元件,其測(cè)溫原理主要基于熱電效應(yīng),特別是塞貝克效應(yīng)(Seebeck effect)。這一原理揭示了當(dāng)兩種不同的導(dǎo)體或半導(dǎo)體材...

2024-08-28 標(biāo)簽:熱電偶溫度測(cè)量半導(dǎo)體 3.3k 0

電子能量損失譜(EELS)技術(shù)解析

電子能量損失譜(EELS)技術(shù)解析

電子能量損失譜(EELS)是一種通過分析高能入射電子與材料原子發(fā)生非彈性碰撞后能量損失特征的先進(jìn)表征技術(shù),可用于獲取材料的成分、化學(xué)態(tài)及電子結(jié)構(gòu)信息。其...

2025-08-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體顯微鏡電子束 3.3k 0

硅面臨的挑戰(zhàn) 硅以外的半導(dǎo)體材料選擇

隨著技術(shù)的快速發(fā)展,硅作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的局限性逐漸顯現(xiàn)。探索硅的替代材料,成為了科研領(lǐng)域的重要任務(wù)。在本文中,我們將探討硅面臨的挑戰(zhàn)以及可能的替代材料。

2024-01-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管半導(dǎo)體材料 3.3k 0

固態(tài)繼電器的安裝步驟和注意事項(xiàng)

  固態(tài)繼電器是用半導(dǎo)體器件代替?zhèn)鹘y(tǒng)電接點(diǎn)作為切換裝置的具有繼電器特性的無觸點(diǎn)開關(guān)器件,單相SSR為四端有源器件,其中兩個(gè)輸入控制端,兩個(gè)輸出端,輸入輸...

2023-03-18 標(biāo)簽:繼電器半導(dǎo)體固態(tài)繼電器 3.3k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    ESP8266
    +關(guān)注
    wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200,但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率,只能使用4800bps,那么設(shè)置的時(shí)候,必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
  • TMS320F28335
    TMS320F28335
    +關(guān)注
    TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
  • 靜電防護(hù)
    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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