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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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功率半導(dǎo)體是指用于高電壓、高電流應(yīng)用的半導(dǎo)體器件,其功能包括但不限于以下幾個(gè)方面: 開(kāi)關(guān)控制:功率半導(dǎo)體器件常常用于開(kāi)關(guān)控制電路中,通過(guò)控制其導(dǎo)通和截止...
2023-02-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件功率半導(dǎo)體 3.3k 0
多Chiplet異構(gòu)集成的先進(jìn)互連技術(shù)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨傳統(tǒng)芯片縮放方法遭遇基本限制的關(guān)鍵時(shí)刻。隨著人工智能和高性能計(jì)算應(yīng)用對(duì)計(jì)算能力的需求呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),業(yè)界已轉(zhuǎn)向多Chiplet異構(gòu)集成作為...
PN結(jié)如何形成 PN結(jié)伏安特性的解釋 MOSFET基礎(chǔ)知識(shí)
當(dāng)n型半導(dǎo)體與p型半導(dǎo)體接觸時(shí),電子與空穴都從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散,稱為擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。當(dāng)電子進(jìn)入p型區(qū)域,空穴進(jìn)入n型區(qū)域后,即與對(duì)方多子復(fù)合,留下了固定...
引言 本文簡(jiǎn)要綜述了所提出的清洗機(jī)制。然后介紹了聚VA刷摩擦分析結(jié)果。在摩擦分析中,刷的粘彈性行為、平板的表面潤(rùn)濕性以及刷的變形是重要的。此外,我們還介...
2022-03-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PVA半導(dǎo)體工藝 3.3k 0
新型超快速單脈沖技術(shù)解決傳統(tǒng)遷移率測(cè)量挑戰(zhàn)
溝道有效遷移率 (μeff) 通過(guò)載流子速度和驅(qū)動(dòng)電流影響MOSFET性能。它是互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的關(guān)鍵參數(shù)之一 (CMOS) 技術(shù)。 隨著新型介電材...
5G毫米波高頻段成為2020年半導(dǎo)體供應(yīng)鏈重點(diǎn)發(fā)展策略
由于5G天線設(shè)計(jì)、RF模塊異質(zhì)集成的復(fù)雜程度,在測(cè)試上,勢(shì)必須要更精密的量測(cè)系統(tǒng)與模擬工具的輔助,在研發(fā)階段就需要進(jìn)行精準(zhǔn)的數(shù)值估算,這也成為如Keys...
意法半導(dǎo)體SPC56xS系列微控制器在汽車TFT顯示器儀表板上的應(yīng)用
20年來(lái),汽車電子系統(tǒng)的復(fù)雜性大幅提高,大量的新功能要求向駕駛員顯示大量的狀態(tài)信息。這種狀態(tài)信息通常是利用簡(jiǎn)單的LED、字段式LCD或者點(diǎn)陣式LCD顯示...
GOB是GLUE ON THE BOARD板膠的簡(jiǎn)稱,GOB工藝是一種新型光學(xué)導(dǎo)熱納米填充材料,通過(guò)特殊工藝。將常規(guī)LED顯示屏PCB板及其貼片燈珠和雙...
淺析IGBT中的MOS結(jié)構(gòu)—Rds(on)
在推導(dǎo)MOS的IV特性時(shí),我們通過(guò)建立了電阻R和電壓V之間的關(guān)系,從而消除歐姆定律中的電阻R,得到電流與電壓之間的關(guān)系,但這里所討論的電阻僅僅是溝道電阻。
雪崩二極管與普通二極管在多個(gè)方面存在顯著差異,這些差異主要體現(xiàn)在其工作原理、特性、應(yīng)用領(lǐng)域以及內(nèi)部結(jié)構(gòu)等方面。
FTF2011中國(guó)站開(kāi)幕式演講:飛思卡爾半導(dǎo)體
飛思卡爾半導(dǎo)體銷售和市場(chǎng)副總裁兼亞太區(qū)總經(jīng)理汪凱在FTF2011中國(guó)站開(kāi)幕式的主題演講
晶體三極管出現(xiàn)之前是真空電子三極管在電子電路中以放大、開(kāi)關(guān)功能控制電流。早期,由于鍺晶體較易獲得,主要研制應(yīng)用的是鍺晶體三極管。硅晶體出現(xiàn)后,由于硅管生...
關(guān)于中國(guó)大陸存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展分析
在這三家國(guó)字號(hào)存儲(chǔ)IDM當(dāng)中,晉華相對(duì)來(lái)說(shuō)更傾向于引進(jìn)技術(shù)、合作發(fā)展的策略,無(wú)論是研發(fā),還是人才,其與聯(lián)電都有著緊密的合作關(guān)系。這樣的合作關(guān)系就是一把雙...
線繞電阻器是通過(guò)將電阻絲纏繞在不導(dǎo)電的磁芯上制成的。電阻絲通常由合金(鎳鉻合金或錳銅)制成,不導(dǎo)電芯通常是陶瓷或玻璃纖維棒。電阻絲以螺旋狀纏繞在非導(dǎo)電芯...
碳化硅(SiliconCarbide,SiC)器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表,近年來(lái)在電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。
隨著半導(dǎo)體器件的尺寸不斷縮小,集成電路(IC)設(shè)計(jì)的規(guī)模越來(lái)越大,芯片集成度越來(lái)越高,使得芯片測(cè)試越來(lái)越困難。為了提高集成電路的成品率,研究人員把更多的...
利用磁性瓷材料的上述性質(zhì)可構(gòu)成熱反應(yīng)器開(kāi)關(guān),它由感溫鐵氧體和磁鐵組成,并由溫度控制導(dǎo)向開(kāi)關(guān)。這種熱反應(yīng)器開(kāi)關(guān)可用作電爐、干燥器、電子爐的溫度控制,以及防...
淺析IGBT成為熱門(mén)的技術(shù)原因及應(yīng)用
近年IGBT這個(gè)專業(yè)名詞非常的熱。電子、半導(dǎo)體、汽車、能源、電力、控制系統(tǒng)等行業(yè),好像都涉及到了這個(gè)名詞。
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