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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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硅晶圓相對(duì)容易處理,并且良好的實(shí)踐和自動(dòng)設(shè)備已將晶圓斷裂降至低水平。然而,砷化鎵晶圓并不是那么堅(jiān)韌,斷裂是主要的晶圓良率限制因素。在砷化鎵制造線上,電路...
AEC-Q系列標(biāo)準(zhǔn)中的靜電放電(ESD)測(cè)試
什么是靜電放電(ESD)lectro-StaticDischarge,是指在特定環(huán)境下,由于靜電的積累到達(dá)一定程度后,電荷以迅速釋放的方式恢復(fù)電平衡的現(xiàn)...
由于宇航電源整體及其組件面臨的綜合挑戰(zhàn),GaN功率器件的全面應(yīng)用至今尚未達(dá)成。但是,隨著GaN功率器件輻照強(qiáng)化及驅(qū)動(dòng)方式的創(chuàng)新改良,宇航電源將會(huì)得到更大...
PFIB技術(shù)在半導(dǎo)體領(lǐng)域中的應(yīng)用
新一代封裝技術(shù)中出現(xiàn)了嵌入多個(gè)芯片的復(fù)雜系統(tǒng)設(shè)計(jì)。倒裝芯片和銅柱互連、多MEMS-IC系統(tǒng)以及新型傳感器設(shè)計(jì)等技術(shù)的出現(xiàn),都體現(xiàn)了這一演變趨勢(shì)。這種技術(shù)...
光電集成芯片的材料主要包括有機(jī)聚合物材料、硅基半導(dǎo)體材料、鈮酸鋰以及一些磁性材料。這些材料的選擇取決于具體的應(yīng)用需求和集成芯片的設(shè)計(jì)。
飛行時(shí)間系統(tǒng)設(shè)計(jì)的應(yīng)用概述
這是我們飛行時(shí)間(ToF)系列的第一篇文章,將概述連續(xù)波(CW)CMOS ToF相機(jī)系統(tǒng)技術(shù)及其相對(duì)于機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用傳統(tǒng)3D成像解決方案的優(yōu)勢(shì)。后續(xù)文章將...
晶體管的開(kāi)關(guān)模式和放大模式的區(qū)別
晶體管的開(kāi)關(guān)模式和放大模式是其在電子電路中兩種截然不同的工作模式,它們?cè)谠怼⑻攸c(diǎn)、應(yīng)用以及電路行為等方面都存在顯著的差異。以下是對(duì)這兩種模式的詳細(xì)對(duì)比分析。
寬禁帶半導(dǎo)體如何改進(jìn)可再生能源設(shè)計(jì)?
幾十年來(lái),以MOSFET和IGBT為代表的硅技術(shù)一直是功率逆變器的主要開(kāi)關(guān)解決方案。這兩種器件自問(wèn)世以來(lái)就一直在通過(guò)改進(jìn)設(shè)計(jì)來(lái)降低轉(zhuǎn)換器中的開(kāi)關(guān)損耗,以...
第六屆進(jìn)博會(huì)于近日在上海國(guó)家會(huì)展中心正式收官,ASML2023進(jìn)博之旅也圓滿落幕! 今年,ASML繼續(xù)以“光刻未來(lái),攜手同行”為主題,攜全景光刻解決方案...
超短脈沖激光加工技術(shù)在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)用
隨著集成電路高集成度、高性能的發(fā)展,對(duì)半導(dǎo)體制造技術(shù)提出更高要求。超短脈沖激光加工作為一種精密制造技術(shù),正逐步成為半導(dǎo)體制造的重要工藝。闡述了超短脈沖激...
集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配設(shè)備安裝與連接環(huán)節(jié)有哪些注意事項(xiàng)?
設(shè)備安裝與連接是集成電路新建項(xiàng)目機(jī)電二次配施工流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),以下是該環(huán)節(jié)的一些注意事項(xiàng):
2025-01-06 標(biāo)簽:集成電路半導(dǎo)體集成電路設(shè)備 1.9k 0
薄膜厚度高精度測(cè)量 | 光學(xué)干涉+PPS算法實(shí)現(xiàn)PCB/光學(xué)鍍膜/半導(dǎo)體膜厚高效測(cè)量
透明薄膜在光學(xué)器件、微電子封裝及光電子領(lǐng)域中具有關(guān)鍵作用,其厚度均勻性直接影響產(chǎn)品性能。然而,工業(yè)級(jí)微米級(jí)薄膜的快速測(cè)量面臨挑戰(zhàn):傳統(tǒng)干涉法設(shè)備龐大、成...
構(gòu)網(wǎng)型儲(chǔ)能變流器(Grid-Forming PCS)技術(shù)路線演進(jìn)
隨著全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化加速轉(zhuǎn)型,電力系統(tǒng)正經(jīng)歷著百年來(lái)最深刻的變革。傳統(tǒng)的以同步發(fā)電機(jī)為主導(dǎo)的電力系統(tǒng),依賴于其巨大的旋轉(zhuǎn)機(jī)械慣量來(lái)維持電網(wǎng)頻率和電壓...
基于Si NCs和2D WSe2混合結(jié)構(gòu)的突觸器件
作為即將到來(lái)的“超越摩爾”時(shí)代最重要的技術(shù)之一,神經(jīng)形態(tài)計(jì)算在很大程度上取決于突觸器件的發(fā)展。本文利用硼(B)摻雜硅納米晶體(Si NCs)的強(qiáng)寬帶光吸...
說(shuō)起變頻器,在看的各位一定不陌生!變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。那么下面這18個(gè)有關(guān)變頻器的問(wèn)題,你們知道幾個(gè)?
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì)
本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開(kāi)關(guān)的優(yōu)勢(shì),以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開(kāi)關(guān)損耗,開(kāi)關(guān)損耗會(huì)被...
2023-09-21 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC電子開(kāi)關(guān) 1.9k 0
IC集成推動(dòng)實(shí)現(xiàn)平板相控陣天線設(shè)計(jì)
本文將簡(jiǎn)要描述相控陣芯片組的發(fā)展如何推動(dòng)平面相控陣天線的實(shí)現(xiàn),并采用示例輔助解釋和說(shuō)明。
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