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標簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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電動汽車 (EV) 市場的快速增長推動了對下一代功率半導(dǎo)體的需求，尤其是對碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體的需求尤為強勁。
槽式清洗與單片清洗是半導(dǎo)體、光伏、精密制造等領(lǐng)域中兩種主流的清洗工藝，其核心區(qū)別在于清洗對象、工藝模式和技術(shù)特點。以下是兩者的最大區(qū)別總結(jié)：1.清洗對象...
半導(dǎo)體行業(yè)之半導(dǎo)體材料特性（七）
盡管有這些優(yōu)點，但是砷化鎵材料仍不能取代硅材料進而變成主流的半導(dǎo)體材料。原因在于我們必須要在實際的材料性能和加工難度這兩個關(guān)鍵因素之間進行權(quán)衡。
碳化硅（ Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學(xué)特性，其中禁帶寬度 （2.3~3.3eV）約是Si 的3倍，擊穿電場強度（0.8×10...
下圖中描述了一個中等規(guī)模集成(MSI)/雙極顯微照片集成電路。選擇整合的水平，以便一些表面細節(jié)可以看到。高密度電路的元件非常小，以至于它們在整個芯片的顯...
ICL7660單片互補金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS電源電路數(shù)據(jù)手冊
Intersil ICL7660 和 ICL7660A 是單片互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）電源電路，與以前可用的器件相比，具有獨特的性能優(yōu)勢。ICL...
CMOS逆變器和TTL逆變器是數(shù)字電路中的兩種重要邏輯門電路，它們在多個方面存在顯著差異。以下是對這兩種逆變器區(qū)別的詳細解析。
設(shè)計人員不會因為想要而為其系統(tǒng)添加電流隔離，而是因為他們需要滿足國內(nèi)或國際安全法規(guī)。缺點是隔離直接放置在數(shù)據(jù)路徑中，從而引入延遲并降低系統(tǒng)性能。增加隔離...
噪聲（可以理解為疊加在理想波形上面的無用信息，如上圖所示）可以被分為兩大類：外部噪聲和內(nèi)部噪聲。
碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景
隨著科技的不斷進步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻...
半導(dǎo)體是一種特殊的電子材料，在純凈狀態(tài)下幾乎不導(dǎo)電，但是在摻雜雜質(zhì)或者施加電場的情況下，就能表現(xiàn)出優(yōu)異的導(dǎo)電和控制電流的能力。正因為這個能力，我們制造電...
基于可調(diào)柔性能量存儲裝置的新型感算集成系統(tǒng)
隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)及智慧醫(yī)療等新型信息交互領(lǐng)域的發(fā)展，基于傳統(tǒng)馮諾依曼架構(gòu)的計算機系統(tǒng)以及工藝迭代帶來的算力提升越來越難以滿足數(shù)據(jù)處理及復(fù)雜神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模...
再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標及應(yīng)用場景等方面。以下是具體分析：定義與來源差異普通晶圓：...
諸如高精度電機控制或等離子蝕刻機等工業(yè)應(yīng)用仍然無法充分利用先進高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的功能。由于這些系統(tǒng)監(jiān)視一個頻率為數(shù)百千赫的小輸入信號，以及其更小的諧波，它...
2023-04-17 標簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體電機 1.6k 0
傳統(tǒng)的透射電鏡（TEM）技術(shù)往往只能提供材料在靜態(tài)條件下的結(jié)構(gòu)信息，無法滿足科研人員對材料在實際應(yīng)用環(huán)境中動態(tài)行為的研究需求。為了克服這一局限性，原位T...
涂布后，所得抗蝕劑膜將含有 20-40% 重量的溶劑。后應(yīng)用烘烤過程，也稱為軟烘烤或預(yù)烘烤，包括在旋涂后通過去除多余的溶劑來干燥光刻膠。減少溶劑含量的主...
隨著摩爾定律指引下的晶體管微縮逼近物理極限，先進封裝技術(shù)通過系統(tǒng)微型化與異構(gòu)集成，成為突破芯片性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，在上世紀90年代已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，多年來氮化鎵已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體研究的熱點，被稱為第三代半導(dǎo)體，它具有更...
橢偏儀在半導(dǎo)體薄膜工藝中的應(yīng)用：膜厚與折射率的測量原理和校準方法
半導(dǎo)體測量設(shè)備主要用于監(jiān)測晶圓上膜厚、線寬、臺階高度、電阻率等工藝參數(shù)，實現(xiàn)器件各項參數(shù)的準確控制，進而保障器件的整體性能。橢偏儀主要用于薄膜工藝監(jiān)測，...
【DT半導(dǎo)體】獲悉，隨著人工智能（AI）技術(shù)的進步，對半導(dǎo)體性能的提升需求不斷增長，同時人們對降低半導(dǎo)體器件功耗的研究也日趨活躍，替代傳統(tǒng)硅的新型半導(dǎo)體...
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