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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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電氣繼電器構(gòu)造電路類型配置和輸入/輸出接口系統(tǒng)
到目前為止，我們已經(jīng)看到了的選擇輸入設(shè)備，可用于檢測或“感知”各種物理變量和信號(hào)，因此稱為傳感器。但是也有各種各樣的電氣和電子設(shè)備被歸類為用于控制或操作...
MOSFET，全稱Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是...
和Si晶體拉晶工藝類似，PVT法制備SiC單晶和切片形成晶圓過程中也會(huì)引入多種缺陷。這些缺陷主要包括：表面缺陷；引入深能級(jí)的點(diǎn)缺陷；位錯(cuò)；堆垛層錯(cuò)；以及...
雙極型晶體管，電子工業(yè)的基石，引領(lǐng)著人類科技發(fā)展的重要引擎。
在現(xiàn)代電子工業(yè)中，晶圓（Wafer）作為半導(dǎo)體芯片的基礎(chǔ)材料，其制造過程復(fù)雜且精細(xì)，直接決定了最終芯片的性能和質(zhì)量。晶圓制造工藝流程涵蓋了從原材料準(zhǔn)備到...
按施敏教授的觀點(diǎn)，半導(dǎo)體器件有四個(gè)最基本的結(jié)構(gòu)單元：金半接觸、PN結(jié)、異質(zhì)結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)。所有的半導(dǎo)體器件都可以看作是這四種基本結(jié)構(gòu)的組合，比如BJT由...
挑戰(zhàn)遠(yuǎn)不止石墨烯：隨著半導(dǎo)體公司尋求識(shí)別并利用下一波創(chuàng)新成果，高管們必須采取不同的方式。要理解看似完全不同的開發(fā)材料如何能夠創(chuàng)建新的業(yè)務(wù)模型和應(yīng)用程序，...
第三代化合物半導(dǎo)體SiC及GaN市場及應(yīng)用分析
SiC主要用于實(shí)現(xiàn)電動(dòng)車逆變器等驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的小量輕化。SiC器件相對(duì)于Si器件的優(yōu)勢之處在于，降低能量損耗、更易實(shí)現(xiàn)小型化和更耐高溫。
鈣鈦礦發(fā)光二極管(鈣鈦礦 LED)是一種在顯示、照明、通訊等領(lǐng)域均有重要潛力的新興技術(shù)。除了具有制備容易等成本優(yōu)勢，鈣鈦礦 LED 還具有可柔性制備、厚...
二極管是一種電子器件，具有單向?qū)щ娦?。它有兩個(gè)電極，正極和負(fù)極，當(dāng)在兩極間加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通；加上反向電壓時(shí)，二極管截止。二極管是由半導(dǎo)體材料制...
2024-01-03 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管 6.1k 0
超分辨光刻裝備落地，可實(shí)現(xiàn)10nm以下的芯片生產(chǎn)
國內(nèi)的半導(dǎo)體芯片對(duì)進(jìn)口依賴非常高，特別是高端的內(nèi)存、閃存、處理器等芯片，國內(nèi)的技術(shù)落后，還不能完全國產(chǎn)替代。國內(nèi)半導(dǎo)體在制造領(lǐng)域是落后最多的，很多人都知...
在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）和NMOS（N型金屬氧化物半導(dǎo)體）作為兩種重要的半導(dǎo)體技術(shù)，各自在電子領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作...
數(shù)碼管，也被稱作輝光管或LED數(shù)碼管，是一種能夠顯示數(shù)字、字母、符號(hào)等信息的電子設(shè)備。它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，如計(jì)算器、電子鐘表、電子秤、數(shù)碼相機(jī)、...
開爾文測夾（Kelvin Probe）是一種用于測量材料表面電勢的儀器，廣泛應(yīng)用于表面科學(xué)、材料科學(xué)、電子學(xué)等領(lǐng)域。在實(shí)際應(yīng)用中，開爾文測夾通常由四根線...
2024-08-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電荷信號(hào)發(fā)生器 6.1k 0
碳化硅單晶襯底加工技術(shù)的工藝及現(xiàn)狀研究
作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的襯底材料，碳化硅單晶具有優(yōu)異的熱、電性能，在高溫、高頻、大功率、抗輻射集成電子器件領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。碳化硅襯底加工精度直接影響器...
針對(duì)通信設(shè)備的半導(dǎo)體激光器溫度控制電路進(jìn)行建模與分析
本文對(duì)用于通信設(shè)備的半導(dǎo)體激光器溫度控制電路進(jìn)行了模型建立和分析，并從自動(dòng)控制的角度對(duì)溫控電路形式進(jìn)行了詳細(xì)的性能指標(biāo)分析和測試，通過對(duì)不同的控制方法的...
硅基轉(zhuǎn)接板2.5 D集成技術(shù)作為先進(jìn)的系統(tǒng)集成技術(shù)，近年來得到迅猛的發(fā)展。但硅基轉(zhuǎn)接板存在兩個(gè)的主要問題。
MOSFET的結(jié)構(gòu)、電學(xué)符號(hào)和電學(xué)特性
現(xiàn)在所有電子產(chǎn)品中的芯片、放大器中的基本結(jié)構(gòu)就是MOSFET，學(xué)好MOSFET是理解這些芯片、放大電路的前提。
這期內(nèi)容同樣是關(guān)于現(xiàn)有的ACF控制器SZ1131中的控制方案。該控制器出自Silanna 半導(dǎo)體公司。不過，與前面兩種控制器中實(shí)現(xiàn)的ACF專用控制策略不...
MOS管，即金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，是現(xiàn)代電子電路中不可或缺的元器件之一。由于其獨(dú)特的導(dǎo)電性能和廣泛的應(yīng)用場景，MOS管在電源、電力電子、電機(jī)控制...
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