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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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同日,國(guó)家金卡工程廿五年成果報(bào)告會(huì)于中國(guó)科技會(huì)堂舉辦。會(huì)上,華虹宏力再次上榜,榮獲“國(guó)家金卡工程(廿五年)信息化開(kāi)拓獎(jiǎng)”,還憑借“95納米SONOS嵌入...
2019-10-17 標(biāo)簽:半導(dǎo)體適配器LED驅(qū)動(dòng) 3.2k 0
回顧華虹宏力在IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮上的表現(xiàn)和成就
中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)評(píng)選是中國(guó)電子業(yè)界最重要的技術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)之一。華虹宏力憑借強(qiáng)勁實(shí)力四度榮登榜單,強(qiáng)力證明了公司在引領(lǐng)中國(guó)IC制造產(chǎn)業(yè)中所做出的杰出貢獻(xiàn),深受...
回顧華虹宏力獲“最具發(fā)展?jié)摿ζ髽I(yè)”獎(jiǎng)的介紹和說(shuō)明
2018年,功率器件在各終端市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景更加多樣,公司功率器件營(yíng)收同比增長(zhǎng)41%。作為全球首家提供場(chǎng)截止型FS-IGBT量產(chǎn)技術(shù)的8英寸純晶圓代工廠,...
回顧華虹宏力深耕功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的介紹
相比國(guó)內(nèi)廣闊的市場(chǎng)前景,國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)的營(yíng)收和市占率依然較低,與國(guó)際大廠差距明顯。因此,大力發(fā)展功率半導(dǎo)體制造,掌握核心技術(shù),提升國(guó)產(chǎn)功率分立器件市...
關(guān)于功率半導(dǎo)體器件助力華虹宏力的分享和介紹
而SiC基GaN雖然相對(duì)成熟,但成本高;Si基GaN則仍不成熟。從性價(jià)比來(lái)講,SiC比較明確,未來(lái)大量量產(chǎn)后有望快速拉低成本。而GaN的則有待觀察,如果...
關(guān)于華虹半導(dǎo)體第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺(tái)介紹和應(yīng)用
華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示:“華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的領(lǐng)航者,未來(lái)將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新,面向高密度智能卡與高端...
關(guān)于中歐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)平臺(tái)的發(fā)展分析
IC培訓(xùn)平臺(tái):提供模型,設(shè)計(jì)等全方位的培訓(xùn)課程,定期請(qǐng)歐美學(xué)術(shù)界,工業(yè)界人士來(lái)國(guó)內(nèi)組織演講,派國(guó)內(nèi)人士到歐洲這邊進(jìn)行定向培訓(xùn). 今年6月,在上海張江舉辦...
FA的專(zhuān)業(yè)服務(wù)能為XMOD 中歐半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)平臺(tái)服務(wù)上提供給設(shè)計(jì)公司更完善的配套服務(wù),因此, XMOD很榮幸的和泓準(zhǔn)達(dá)公司達(dá)成合作.作為集成電路失效分析和...
對(duì)于很多客戶來(lái)講, 有些產(chǎn)品在系統(tǒng)級(jí)對(duì)IEC61000-4-2有要求, 一般大家都在OFF CHIP 上增加TVS器件, 同時(shí),芯片級(jí)別也要求比較高的H...
關(guān)于器件模型和PDK二次開(kāi)發(fā)和盜版的糾葛和分析介紹
半導(dǎo)體廠一般提供給設(shè)計(jì)公司-45度到125度之間的PDK用于電路仿真。如果超出這個(gè)溫度,比如超低溫(77K)或者超高溫(300度)對(duì)于很多設(shè)計(jì)公司來(lái)說(shuō),...
關(guān)于On-chip ESD 公司的成功之路分析和介紹
俗話說(shuō),打鐵還需自身硬,在這個(gè)方面,Sofics 是個(gè)典型的例子。 他們從不吝嗇用每年收入的10%左右來(lái)進(jìn)行技術(shù)開(kāi)發(fā),目前擁有在ESD方面的專(zhuān)利有75個(gè)...
2019-09-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體模擬設(shè)計(jì)數(shù)字設(shè)計(jì) 4.5k 0
關(guān)于硅光電應(yīng)用下的on-chip ESD的性能分析和介紹
最近公司接觸的項(xiàng)目中,因?yàn)樗衅渌Χ寄芨叨燃稍谝粋€(gè)CMOS芯片上,外部只需要激光二極管。為了讓CMOS高速通信芯片和激光二極管之間實(shí)現(xiàn)高速通信,片上...
關(guān)于靜電保護(hù)(ESD) 中的CDM需求的發(fā)和應(yīng)用
特別重要的是,first-time-right IC release對(duì)設(shè)計(jì)公司來(lái)說(shuō),越來(lái)越迫切,在這里,我們引用SOFICS的一些文章來(lái)介紹在CDM這塊...
關(guān)于MOS-AK hangzhou Agenda的分析和介紹
模型對(duì)很多半導(dǎo)體從業(yè)人員比較陌生,作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)核心價(jià)值的模型產(chǎn)業(yè)在國(guó)內(nèi)也是比較弱小的,其主要原因是它屬于基礎(chǔ)技術(shù),永遠(yuǎn)躲在產(chǎn)品背后,不能看到立竿見(jiàn)影的...
2019-09-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 1.9k 0
回顧關(guān)于MOS-AK hangzhou 器件模型的介紹和分析
隨著工藝節(jié)點(diǎn)的減小,F(xiàn)inFET的新結(jié)構(gòu)也越來(lái)越受人關(guān)注,不僅在數(shù)字應(yīng)用方面,RF也有應(yīng)用。 由于器件非常小,自熱效應(yīng)明顯,為了描述此現(xiàn)象,一個(gè)新型的小...
關(guān)于光鏈路需要定制的ESD靜電保護(hù)的應(yīng)用和介紹
在過(guò)去的10年中,國(guó)際上很多設(shè)計(jì)硅光子學(xué)產(chǎn)品的公司 (LUXTERA, RocklyPhotonics, Gennum, Nanotech, HiLig...
關(guān)于MOS-AK Peking 器件模型國(guó)際會(huì)議的分析和介紹
如果您是設(shè)計(jì)公司,通過(guò)參加這個(gè)活動(dòng),就能了解到為什么自己的產(chǎn)品和其他公司沒(méi)有在一個(gè)起跑線上。如果您是半導(dǎo)體廠,通過(guò)參加這個(gè)活動(dòng),就能了解到設(shè)計(jì)公司的心聲...
2019-09-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì) 2.8k 0
關(guān)于MOS-AK Peking器件模型國(guó)際會(huì)議分析和介紹
所有投稿由技術(shù)專(zhuān)家委員會(huì)審核,5月28日是Abstract 提交截止日,內(nèi)容不需要多,1-2頁(yè)即可,做到短小而精煉。 6月4日之前,會(huì)通知錄取文章的作者...
2019-09-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體 2.3k 0
關(guān)于歐盟項(xiàng)目TARANTO的分析和介紹
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈很長(zhǎng),每個(gè)產(chǎn)品牽涉很多知識(shí),所以XMOD也一直通過(guò)在參與歐盟項(xiàng)目的同時(shí),把那些愿意把技術(shù)和產(chǎn)品轉(zhuǎn)移的公司引入國(guó)內(nèi),一方面可以彌補(bǔ)國(guó)內(nèi)某些領(lǐng)域...
2019-09-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體頻率智能移動(dòng) 3.9k 0
關(guān)于AI背景下的on-chip ESD (靜電保護(hù))需求分析和應(yīng)用
ofics 的on-chip ESD 覆蓋目前主流工藝,應(yīng)用也非常廣泛,除了上面的人工智能,硅光電,高速電路外,汽車(chē)電子,物聯(lián)網(wǎng),SOI,防輻射,醫(yī)療等...
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