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單晶

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單晶技術(shù)

半導(dǎo)體制造之外延工藝詳解

外延工藝是指在襯底上生長(zhǎng)完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來(lái)講，外延工藝是在單晶襯底上生長(zhǎng)一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，...

2023-02-13 標(biāo)簽：集成電路工藝晶體管 1.8萬(wàn) 0

詳解單晶的制作方法

半導(dǎo)體制造中需要的單晶（單晶）是原子的規(guī)則排列。有多晶（許多小的單晶）和非晶硅（無(wú)序結(jié)構(gòu)）。根據(jù)晶格的取向，硅片具有不同的表面結(jié)構(gòu)，從而影響電荷載流子遷...

2022-07-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶晶圓制造 4.5k 0

SiC碳化硅單晶的生長(zhǎng)原理

碳化硅單晶襯底材料（Silicon Carbide Single Crystal Substrate Materials，以下簡(jiǎn)稱SiC襯底）也是晶體材...

2023-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體射頻單晶 4.5k 0

8英寸導(dǎo)電型4H-SiC單晶襯底制備與表征

使用物理氣相傳輸法（PVT）制備出直徑 209 mm 的 4H-SiC 單晶，并通過(guò)多線切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標(biāo)準(zhǔn) 8 英寸 SiC 單...

2022-12-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶 SiC 4.4k 0

單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料為單晶NCM正極構(gòu)建穩(wěn)定結(jié)構(gòu)和界面

單晶LiNi0.6Co0.2Mn0.2O2正極材料因其高放電容量和良好的電化學(xué)性能而受到廣泛關(guān)注，然而，單晶材料在高壓下循環(huán)會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的晶格畸變和電極/...

2022-09-14 標(biāo)簽：電化學(xué)單晶電容量 3.8k 0

LL-SAW器件的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

工作簡(jiǎn)介 ????上海微系統(tǒng)所異質(zhì)集成XOI課題組基于自主研制的高單晶質(zhì)量6英寸LiNbO3/SiC壓電異質(zhì)晶圓，開發(fā)了國(guó)際上首款基于單晶壓電薄膜異質(zhì)集...

2023-08-28 標(biāo)簽：濾波器帶寬單晶 3.7k 0

碳化硅單晶襯底加工技術(shù)現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢(shì)

摘要: 碳化硅單晶具有極高的硬度和脆性，傳統(tǒng)加工方式已經(jīng)不能有效地獲得具有超高光滑表面的碳化硅晶片。針對(duì)碳化硅單晶襯底加工技術(shù)，本文綜述了碳化硅單晶切...

2023-01-11 標(biāo)簽：單晶襯底加工技術(shù) 3.1k 0

如何制造單晶的晶圓

近年來(lái)全球硅晶圓供給不足，導(dǎo)致8英寸、12英寸硅晶圓訂單能見(jiàn)度分別已達(dá)2019上半年和年底。目前國(guó)內(nèi)多個(gè)硅晶圓項(xiàng)目已經(jīng)開始籌備，期望有朝一日能夠打破進(jìn)口...

2019-10-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓單晶 2.9k 0

GaN外延生長(zhǎng)方法及生長(zhǎng)模式

由于GaN在高溫生長(zhǎng)時(shí)N的離解壓很高，很難得到大尺寸的GaN單晶材料，因此，為了實(shí)現(xiàn)低成本、高效、高功率的GaN HEMTs器件，研究人員經(jīng)過(guò)幾十年的不...

2023-06-10 標(biāo)簽：薄膜晶體單晶 2.7k 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET最新進(jìn)展

近期，美國(guó)南卡羅來(lái)納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過(guò)MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...

2023-05-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器晶體管 2.1k 0

單晶帖子

單晶資料下載

GE和XRD的一些問(wèn)題的解決方案詳細(xì)資料概述立即下載

類別：電子教材 2018-07-23 標(biāo)簽：單晶 GE XRD 1.4k 0

壓痕誘發(fā)GaAs單晶的塑性變形立即下載

類別：自動(dòng)控制系統(tǒng)論文 2009-03-10 標(biāo)簽：單晶 956 0

測(cè)控電路--單晶管立即下載

類別：課件下載 2016-12-11 標(biāo)簽：電路測(cè)控單晶 904 0

6英寸重?fù)缴楣鑶尉Ъ皰伖馄?/a>立即下載

類別：模擬數(shù)字論文 2009-12-14 標(biāo)簽：單晶 863 0

單晶資訊

二維材料家族包含了哪些材料？

二維材料家族涵蓋了絕緣體、半導(dǎo)體、半金屬、金屬和超導(dǎo)體，是目前凝聚態(tài)物理和材料科學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。制備高質(zhì)量的二維材料，特別是原子層量級(jí)的超薄材料，是開...

2020-06-05 標(biāo)簽：絕緣單晶二維 1.5萬(wàn) 0

逆勢(shì)增長(zhǎng)背后，光伏產(chǎn)業(yè)迎來(lái)變局

2020年，是“十三五”規(guī)劃的收官之年，也是頗為曲折的一年。年初在新冠疫情的影響之下，很多產(chǎn)業(yè)陷入停滯，在全國(guó)人民上下一心共同努力之下，經(jīng)濟(jì)開始復(fù)蘇，面...

2020-12-31 標(biāo)簽：新能源太陽(yáng)能光伏 9.7k 0

信越化學(xué)即將研制成功300nm硅片以及實(shí)現(xiàn)SOI硅片的產(chǎn)品化

近日，據(jù)外媒報(bào)道，由于受到投資者的追捧，半導(dǎo)體材料商信越化學(xué)股價(jià)持續(xù)上漲，目前其市值已經(jīng)突破6萬(wàn)億日元（約合3820億元人民幣）。

2020-10-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管單晶 8.6k 0

我國(guó)SiC單晶生長(zhǎng)設(shè)備和粉料獲新突破

近日，在中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第二研究所（簡(jiǎn)稱中國(guó)電科二所）生產(chǎn)大樓內(nèi)，100臺(tái)碳化硅（SiC）單晶生長(zhǎng)設(shè)備正在高速運(yùn)行，SiC單晶就在這100臺(tái)設(shè)備里“...

2018-06-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體單晶 sic 8.4k 0

淺談動(dòng)力電池開發(fā)流程及技術(shù)發(fā)展方向

根據(jù)客戶的需求分解，進(jìn)行逐步的分解設(shè)計(jì)，每個(gè)過(guò)程最終都會(huì)轉(zhuǎn)化成文件輸入和輸出，下面就產(chǎn)品設(shè)計(jì)過(guò)程進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。 GB/T34013-2017《電動(dòng)汽車...

2021-04-29 標(biāo)簽：電壓單晶電池 7.5k 0

羅軍華團(tuán)隊(duì)開發(fā)高性能偏振光探測(cè)器

中國(guó)科學(xué)院福建物構(gòu)所羅軍華團(tuán)隊(duì)首次報(bào)道了一種基于二維/三維雜化鈣鈦礦異質(zhì)結(jié)單晶的偏振光探測(cè)器。該探測(cè)器表現(xiàn)出優(yōu)異的偏振光探測(cè)性能，包括超高的偏振靈敏度、...

2021-05-24 標(biāo)簽：單晶半導(dǎo)體材料光電探測(cè)器 6.7k 0

4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能分析

本文通過(guò)導(dǎo)模法制備了4英寸β-Ga2O3單晶，晶體外形完整，通過(guò)勞厄衍射、高分辨X射線搖擺曲線分析確認(rèn)晶體結(jié)晶質(zhì)量較高。采用濕法刻蝕的方法，研究了晶體...

2022-11-24 標(biāo)簽：晶體單晶氧化鎵 5.5k 0

La和Nb元素在NCA材料中能量和電荷的差異

為了了解高導(dǎo)電率的表面包覆層和Nb近表面摻雜的可行性，作者利用DFT計(jì)算研究了La和Nb元素在NCA材料中能量和電荷的差異。用La或Nb分別取代了Li1...

2022-08-03 標(biāo)簽：電化學(xué)單晶 4.7k 0

簡(jiǎn)述冷型探測(cè)器技術(shù)之間的對(duì)比

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）上一期介紹紅外探測(cè)芯片文章中，已經(jīng)介紹了在非制冷紅外焦平面探測(cè)器芯片上，目前國(guó)內(nèi)紅外探測(cè)器芯片龍頭已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)完全替代，...

2021-09-06 標(biāo)簽：芯片探測(cè)器單晶 4.6k 0

金剛石單晶重大突破：從根本上改變金剛石的能帶結(jié)構(gòu)

來(lái)自哈爾濱工業(yè)大學(xué)的韓杰才院士團(tuán)隊(duì)，與香港城市大學(xué)、麻省理工學(xué)院等單位合作，在金剛石單晶領(lǐng)域取得重大科研突破。該項(xiàng)研究成果現(xiàn)已通過(guò) “微納金剛石單晶的超...

2021-01-11 標(biāo)簽：結(jié)構(gòu)單晶金剛石 4.5k 0

單晶數(shù)據(jù)手冊(cè)

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加速度傳感器

加速度傳感器

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加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
OBD

OBD

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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個(gè)系統(tǒng)隨時(shí)監(jiān)控發(fā)動(dòng)機(jī)的運(yùn)行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會(huì)馬上發(fā)出警示。
傅里葉變換

傅里葉變換

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盡管最初傅里葉分析是作為熱過(guò)程的解析分析的工具，但是其思想方法仍然具有典型的還原論和分析主義的特征?！叭我狻钡暮瘮?shù)通過(guò)一定的分解，都能夠表示為正弦函數(shù)的線性組合的形式，而正弦函數(shù)在物理上是被充分研究而相對(duì)簡(jiǎn)單的函數(shù)類，這一想法跟化學(xué)上的原子論想法何其相似！
TOF

TOF

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角度傳感器

角度傳感器

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角度傳感器，顧名思義，是用來(lái)檢測(cè)角度的。它的身體中有一個(gè)孔，可以配合樂(lè)高的軸。當(dāng)連結(jié)到RCX上時(shí)，軸每轉(zhuǎn)過(guò)1/16圈，角度傳感器就會(huì)計(jì)數(shù)一次。
L298

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DMD

DMD

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DMD是一種整合的微機(jī)電上層結(jié)構(gòu)電路單元，利用COMS SRAM記憶晶胞所制成。DMD上層結(jié)構(gòu)的制造是從完整CMOS內(nèi)存電路開始，再透過(guò)光罩層的使用，制造出鋁金屬層和硬化光阻層交替的上層結(jié)構(gòu)
OV7620

OV7620

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ov7620是一款CMOS攝像頭器件，是彩色CMOS型圖像采集集成芯片，提供高性能的單一小體積封裝，該器件分辨率可以達(dá)到640X480，傳輸速率可以達(dá)到30幀。
MC9S12XS128

MC9S12XS128

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HCS12X系列單片機(jī)簡(jiǎn)介 Freescale 公司的16位單片機(jī)主要分為HC12 、HCS12、HCS12X三個(gè)系列。HC12核心是16位高速CPU12核，總線速度8MHZ；HCS12系列單片機(jī)以速度更快的CPU12內(nèi)核為核心，簡(jiǎn)稱S12系列，典型的S12總線速度可以達(dá)到25MHZ。
TDC-GP2

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干擾器

干擾器

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干擾器有多種類型，如GPS干擾器是適用于長(zhǎng)途客車司機(jī)以及一些不想被GPS信號(hào)追蹤到的人群的一個(gè)機(jī)器，手機(jī)信號(hào)干擾器主要針對(duì)各類考場(chǎng)、學(xué)校、加油站、教堂、法庭、圖書館、會(huì)議中心（室）、影劇院、醫(yī)院、政府、金融、監(jiān)獄、公安、軍事重地等禁止使用手機(jī)的場(chǎng)所。
重力傳感器

重力傳感器

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采用彈性敏感元件制成懸臂式位移器，與采用彈性敏感元件制成的儲(chǔ)能彈簧來(lái)驅(qū)動(dòng)電觸點(diǎn)，完成從重力變化到電信號(hào)的轉(zhuǎn)換，廣泛應(yīng)用在中高端智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)。
線束

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半導(dǎo)體工藝

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機(jī)械臂

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MPSoC

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直流無(wú)刷電機(jī)

直流無(wú)刷電機(jī)

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無(wú)刷直流電機(jī)由電動(dòng)機(jī)主體和驅(qū)動(dòng)器組成，是一種典型的機(jī)電一體化產(chǎn)品。無(wú)刷電機(jī)是指無(wú)電刷和換向器（或集電環(huán)）的電機(jī)，又稱無(wú)換向器電機(jī)。早在十九紀(jì)誕生電機(jī)的時(shí)候，產(chǎn)生的實(shí)用性電機(jī)就是無(wú)刷形式，即交流鼠籠式異步電動(dòng)機(jī)，這種電動(dòng)機(jī)得到了廣泛的應(yīng)用。
Genesys

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半導(dǎo)體制冷片

半導(dǎo)體制冷片

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聲紋識(shí)別

聲紋識(shí)別

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聲紋識(shí)別，生物識(shí)別技術(shù)的一種，也稱為說(shuō)話人識(shí)別，包括說(shuō)話人辨認(rèn)和說(shuō)話人確認(rèn)。聲紋識(shí)別就是把聲信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)，再用計(jì)算機(jī)進(jìn)行識(shí)別。不同的任務(wù)和應(yīng)用會(huì)使用不同的聲紋識(shí)別技術(shù)，如縮小刑偵范圍時(shí)可能需要辨認(rèn)技術(shù)，而銀行交易時(shí)則需要確認(rèn)技術(shù)。
直流電壓

直流電壓

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凡是電流方向不隨時(shí)間變化的電流稱為直流電壓。電流值可以全為正值，也可以全為負(fù)值。在直流電流中又可分為兩種：穩(wěn)恒直流和脈動(dòng)直流。直流輸電技術(shù)已經(jīng)由簡(jiǎn)單的端對(duì)端工程朝著大規(guī)模多端輸電的方向發(fā)展，這些工程將是未來(lái)直流電網(wǎng)的組成部分，將相同電壓等級(jí)的直流工程連接成網(wǎng)遠(yuǎn)比不同電壓等級(jí)下的獨(dú)立工程更經(jīng)濟(jì)、便捷。
零序

零序

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ATmega16單片機(jī)

ATmega16單片機(jī)

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Buck-Boost

Buck-Boost

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buck是降壓型電路，boost是升壓型電路，可以分開單獨(dú)使用，buck-boost電路就是把2種電路合在一起，可升可降。buck-boost拓?fù)潆娐房梢詫?shí)現(xiàn)升降壓功能，常見(jiàn)的buck-boost電路有兩種，第一種是輸入與輸出電壓極性相反，只需采用一個(gè)開關(guān)管和二極管。另外一種是采用兩個(gè)開關(guān)管和兩個(gè)二極管，可實(shí)現(xiàn)同極性電壓升降壓功能。
緩沖電路

緩沖電路

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LPC2368

LPC2368

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識(shí)別技術(shù)

識(shí)別技術(shù)

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所謂識(shí)別技術(shù)，也稱為自動(dòng)識(shí)別技術(shù)，通過(guò)被識(shí)別物體與識(shí)別裝置之間的交互自動(dòng)獲取被識(shí)別物體的相關(guān)信息，并提供給計(jì)算機(jī)系統(tǒng)供進(jìn)一步處理。
電磁繼電器

電磁繼電器

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電磁繼電器是一種電子控制器件，它具有控制系統(tǒng)（又稱輸入回路）和被控制系統(tǒng)（又稱輸出回路），通常應(yīng)用于自動(dòng)控制電路中，它實(shí)際上是用較小的電流、較低的電壓去控制較大電流、較高的電壓的一種“自動(dòng)開關(guān)”。故在電路中起著自動(dòng)調(diào)節(jié)、安全保護(hù)、轉(zhuǎn)換電路等作用。
制冷片

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VCM

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