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標(biāo)簽 > 器件
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談?wù)勂桨咫娔X類產(chǎn)品PCB設(shè)計(jì)的流程及Layout設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
人建議做法:選擇所有的DXF layer圖層,統(tǒng)一映射到某個(gè)名稱的Subclass層;不建議直接映射到BOARD GEOMETRY/OUTLINE,因?yàn)?..
因此,在選擇器件時(shí),有必要了解其結(jié)構(gòu)和可能的老化相關(guān)失效機(jī)制;即使在理想條件下使用器件,這些機(jī)制也可能發(fā)生影響。本欄目不會詳細(xì)討論失效機(jī)制,但多數(shù)聲譽(yù)良...
GaN MOSFET(氮化鎵金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種新型的功率器件,具有高功率密度、高效率和快速開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比...
白板向?qū)?熱功率器件設(shè)計(jì)中的幾點(diǎn)思考視頻教程
碳化硅相對傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體有什么有缺點(diǎn)
碳化硅(SiC)和傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體(Si)是兩種常見的半導(dǎo)體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應(yīng)用。然而,碳化硅相對于傳統(tǒng)硅半導(dǎo)體具有一定的優(yōu)缺點(diǎn)。 優(yōu)點(diǎn)...
2024-01-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料器件碳化硅 4.5k 0
PLL環(huán)路必須圍繞PLL內(nèi)核特性和選定的VCO / VCXO進(jìn)行設(shè)計(jì)。通常,VCO / VCXO頻率比參考時(shí)鐘頻率高一些整數(shù)乘數(shù)(N)。必須選擇合適的環(huán)...
2019-04-10 標(biāo)簽:pll器件環(huán)路濾波器 4.1k 0
基于多維復(fù)雜聲場實(shí)現(xiàn)對微流體器件的操控
利用光、聲場設(shè)計(jì)進(jìn)行非接觸的操控具有重大科研和應(yīng)用價(jià)值,光鑷操控技術(shù)獲2018年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。聲鑷或者聲操控技術(shù)是利用聲場中的顆粒對聲波產(chǎn)生的反射、折...
電聲器件是指能將音頻電信號轉(zhuǎn)換成聲音信號或?qū)⒙曇粜盘栟D(zhuǎn)換成音頻信號的器件。例如,揚(yáng)聲器就是將音頻信號轉(zhuǎn)變成聲音信號的電聲器件;傳聲器則是把聲音信號轉(zhuǎn)變成...
電感的全稱實(shí)為電感器,是一種將電能轉(zhuǎn)化為磁能并能存儲的器件。電感在特性上與電容存在一定的類似之處,但是電感相關(guān)的內(nèi)容和使用卻更為復(fù)雜,因?yàn)殡姼猩婕暗诫姶?..
電子元件是現(xiàn)代科技中不可或缺的一部分,但由于制造過程中的復(fù)雜性,元件可能出現(xiàn)各種缺陷。為了保證電子元件的質(zhì)量和可靠性,缺陷檢測是必不可少的過程。本文將詳...
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 標(biāo)簽:器件功率半導(dǎo)體功率密度 3.8k 0
某塑料外殼產(chǎn)品,其AC電源入口的濾波電路如圖1 所示,從圖1 所示的電路原理圖可以看出,濾波電容中采用兩級Y電容的共模濾波,Y電容CY2和CY1分別位于...
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