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威兆半導(dǎo)體

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威兆半導(dǎo)體始終聚焦功率器件研發(fā)與應(yīng)用技術(shù)研究，憑借多年的科研攻關(guān)已成為少數(shù)同時具備低壓、中壓、高壓全系列功率MOSFET/IGBT單管、模塊以及特殊半導(dǎo)體制程設(shè)計能力的先進半導(dǎo)體設(shè)計公司。產(chǎn)品涵蓋傳統(tǒng)硅基及第三代化合物半導(dǎo)體SiC和GaN，并廣泛應(yīng)用于消費類電源、汽車電子、電機驅(qū)動、工業(yè)電源、通信等

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威兆半導(dǎo)體資訊

威兆半導(dǎo)體遞表港交所，WLCSP技術(shù)引領(lǐng)功率半導(dǎo)體新發(fā)展

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道近期，威兆半導(dǎo)體首次向港交所遞交招股書，廣發(fā)證券為獨家保薦人。威兆半導(dǎo)體是中國領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件提供商，始終專注于高性能功率半導(dǎo)...

2026-03-02 標簽：wlcsp 威兆半導(dǎo)體 7k 0

選型手冊：VS3698AD-K 雙通道 N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3698AD-K是一款面向30V低壓超大電流場景的雙通道N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適...

2025-12-16 標簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 943 0

選型手冊：VS3510AD P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AD是一款面向30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓電源的高側(cè)開...

2025-12-16 標簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 522 0

選型手冊：VS3510AS P 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3510AS是一款面向30V低壓場景的P溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用SOP8封裝，適配低壓電源的負載開關(guān)、...

2025-12-16 標簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 604 0

選型手冊：VS4603GPHT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS4603GPHT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用PDFN5x6封裝，適配低壓超大電流DC/DC轉(zhuǎn)...

2025-12-16 標簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 475 0

選型手冊：VS3618AD N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3618AD是一款面向30V低壓場景的N溝道增強型功率MOSFET，支持5V邏輯電平控制，采用TO-252封裝，適配低壓中功率電源管...

2025-12-15 標簽：晶體管 MOS 威兆半導(dǎo)體 629 0

VS3615GE N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS3615GE是一款面向30V低壓大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，基于VeriMOS?II技術(shù)實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻與高效能，適配低...

2025-12-03 標簽：MOSFET MOS 威兆半導(dǎo)體 525 0

選型手冊：VS40200AT N 溝道增強型功率 MOSFET 晶體管

威兆半導(dǎo)體推出的VS40200AT是一款面向40V低壓超大電流場景的N溝道增強型功率MOSFET，采用TO-220AB直插封裝，憑借超低導(dǎo)通電阻與200...

2025-12-03 標簽：MOSFET MOS 威兆半導(dǎo)體 649 0

威兆半導(dǎo)體發(fā)布新一代高性能SiC MOSFET

在近日舉行的elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導(dǎo)體震撼發(fā)布了其全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET——HCF2030MR70KH0，該...

2024-09-03 標簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.6k 0

發(fā)力新能源汽車和儲能市場，威兆半導(dǎo)體推出新一代700V SiC MOSFET

8月27日，在Elexcon2024深圳國際電子展上，威兆半導(dǎo)體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅（SiC）MOSFET HCF2030MR70KH0，這款...

2024-09-02 標簽：新能源汽車 MOSFET IGBT 7.8k 0

威兆半導(dǎo)體入選“中國IC獨角獸企業(yè)”榜單

深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司憑借高可靠性、高一致性MOSFET封裝外形多樣化,涵蓋從超小型化到大尺寸的各類封裝體,除可供應(yīng)業(yè)界主流封裝體產(chǎn)品,還可提供特...

2023-08-01 標簽：MOSFET 半導(dǎo)體 IC 1.3k 0

$貞光科技代理品牌—深圳威兆半導(dǎo)體\IGBT\模塊\MOSFET$

貞光科技代理品牌—深圳威兆半導(dǎo)體\IGBT\模塊\MOSFET

各位“貞”朋友好，今日推薦貞光科技代理品牌，優(yōu)秀原廠—深圳威兆半導(dǎo)體，貞光科技主要代理威兆半導(dǎo)體的MOSFET / IGBT單管和模塊等產(chǎn)品。

2022-08-05 標簽：IGBT 威兆半導(dǎo)體 2.5k 0

融資看點威兆半導(dǎo)體完成C輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資世禹精密完成數(shù)億元戰(zhàn)略股權(quán)融資

威兆半導(dǎo)體完成C輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資，將投入第三代半導(dǎo)體SiC產(chǎn)品研發(fā)等近日，深圳市威兆半導(dǎo)體股份有限公司完成C輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資，本次戰(zhàn)略融資由北汽、AT...

2022-10-18 標簽：SiC 融資封測 830 0

【芯聞精選】加速芯片領(lǐng)域布局 OPPO投資威兆半導(dǎo)體；信越化學(xué)調(diào)漲硅晶圓價格最高20% …

3月8日，SK海力士宣布開始量產(chǎn)業(yè)界最高容量的18GB LPDDR5 移動端DRAM產(chǎn)品。SK海力士此次實現(xiàn)量產(chǎn)的產(chǎn)品將搭載于最高配置的旗艦智能手機，為...

2021-03-09 標簽：芯片 OPPO 威兆半導(dǎo)體 4.6k 0

OPPO首次超越華為入股威兆半導(dǎo)體

企查查 App 顯示，3 月 5 日，深圳市威兆半導(dǎo)體有限公司（簡稱威兆半導(dǎo)體）發(fā)生工商變更，新增股東 OPPO 廣東移動通信有限公司、蘇州汾湖勤合創(chuàng)業(yè)...

2021-03-08 標簽：芯片半導(dǎo)體華為 3.9k 0

威兆半導(dǎo)體獲得OPPO與華勤聯(lián)合戰(zhàn)略投資

威兆半導(dǎo)體成立于2012年，系一家專業(yè)從事功率器件、集成電路產(chǎn)品研發(fā)及銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè)，主要產(chǎn)品為MOSFET、IGBT等。作為中國功率器件領(lǐng)域...

2021-03-08 標簽：集成電路半導(dǎo)體功率器件 2.3k 0

OPPO入股電源芯片廠商威兆半導(dǎo)體

3 月 5 日，深圳市威兆半導(dǎo)體有限公司（簡稱威兆半導(dǎo)體）發(fā)生工商變更，新增股東 OPPO 廣東移動通信有限公司、蘇州汾湖勤合創(chuàng)業(yè)投資中心（有限合伙）。

2021-03-08 標簽：半導(dǎo)體 OPPO 威兆半導(dǎo)體 2.9k 0

威兆半導(dǎo)體：預(yù)計今年業(yè)績實現(xiàn)翻番

值得一提的是，雖然2020年整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)遭受疫情沖擊，且中美貿(mào)易問題給半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來了更高的不確定性。但這也使得國產(chǎn)替代速度加快，威兆半導(dǎo)體也在這一波...

2020-12-30 標簽：MOSFET 半導(dǎo)體分立器件 4.6k 0

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京瓷株式會社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達到1，181，489百萬日元，集團公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計183家，員工61，468名。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動通信標準，也被稱為第六代移動通信技術(shù)。主要促進的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時與多個設(shè)備通信，而不是依次進行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達8個設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達9.6Gbps。
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DC/DC轉(zhuǎn)換器為轉(zhuǎn)變輸入電壓后有效輸出固定電壓的電壓轉(zhuǎn)換器。DC/DC轉(zhuǎn)換器分為三類：升壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器、降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器以及升降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因為主流芯片結(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負了。建議選用芯片時一定要看清電氣參數(shù)
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特斯拉線圈又叫泰斯拉線圈，因為這是從“Tesla”這個英文名直接音譯過來的。這是一種分布參數(shù)高頻串聯(lián)諧振變壓器，可以獲得上百萬伏的高頻電壓。
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過零檢測指的是在交流系統(tǒng)中，當波形從正半周向負半周轉(zhuǎn)換時，經(jīng)過零位時，系統(tǒng)作出的檢測。可作開關(guān)電路或者頻率檢測。漏電開關(guān)的漏電檢測是檢測零序電流。
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AIoT（人工智能物聯(lián)網(wǎng)）=AI（人工智能）+IoT（物聯(lián)網(wǎng)）。 AIoT融合AI技術(shù)和IoT技術(shù)，通過物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)生、收集海量的數(shù)據(jù)存儲于云端、邊緣端，再通過大數(shù)據(jù)分析，以及更高形式的人工智能，實現(xiàn)萬物數(shù)據(jù)化、萬物智聯(lián)化，物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)與人工智能追求的是一個智能化生態(tài)體系，除了技術(shù)上需要不斷革新，技術(shù)的落地與應(yīng)用更是現(xiàn)階段物聯(lián)網(wǎng)與人工智能領(lǐng)域亟待突破的核心問題。
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74LS00是一個內(nèi)部擁有四個獨立的二輸入與非門電路，它滿足與非門的邏輯功能，可以實現(xiàn)與非門的邏輯功能。共有54/7400、54/74H00、54/74S00、54/74LS00。54XXX

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