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標(biāo)簽 > 封裝
封裝,Package,是把集成電路裝配為芯片最終產(chǎn)品的過程,簡(jiǎn)單地說,就是把Foundry生產(chǎn)出來的集成電路裸片(Die)放在一塊起到承載作用的基板上,把管腳引出來,然后固定包裝成為一個(gè)整體。作為動(dòng)詞,“封裝”強(qiáng)調(diào)的是安放、固定、密封、引線的過程和動(dòng)作;
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非制冷紅外探測(cè)器陶瓷封裝結(jié)構(gòu)優(yōu)化及可靠性分析
該文章針對(duì)薄膜型吸氣劑陶瓷封裝的開發(fā),以某款量產(chǎn)探測(cè)器陶瓷封裝結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ),提出一種非制冷紅外探測(cè)器陶瓷封裝優(yōu)化結(jié)構(gòu),基于ANSYS Workbench有...
2023-02-22 標(biāo)簽:封裝結(jié)構(gòu)紅外探測(cè)器 3.7k 0
碳化硅功率模塊封裝中4個(gè)關(guān)鍵問題的分析與研究
SiC MOSFET器件的集成化、高頻化和高效化需求,對(duì)功率模塊封裝形式和工藝提出了更高的要求。本文中總結(jié)了近年來封裝形式的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和技術(shù)創(chuàng)新,包括鍵合...
功率器件模塊封裝結(jié)構(gòu)演進(jìn)趨勢(shì)
IGBT模塊是新一代的功率半導(dǎo)體電子元件模塊,誕生于20世紀(jì)80年代,并在90年代進(jìn)行新一輪的改革升級(jí),通過新技術(shù)的發(fā)展,現(xiàn)在的IGBT模塊已經(jīng)成為集通...
通過光電耦合器CTR變化預(yù)測(cè)LED現(xiàn)場(chǎng)工作壽命
方程 (2)以AF作為乘數(shù),考慮使用一個(gè)Avago光電耦合器壓力數(shù)據(jù)條件作為數(shù)值范例:順向電流IF=20mA,溫度125oC,LED為AA類型,于1,0...
功率型LED封裝PCB作為熱與空氣對(duì)流的載體,其熱導(dǎo)率對(duì)LED的散熱起著決定性作用。DPC陶瓷PCB以其優(yōu)良的性能和逐漸降低的價(jià)格,在眾多電子封裝材料...
系統(tǒng)級(jí)封裝(system in package,SIP)是指將不同種類的元件,通過不同種技術(shù),混載于同一封裝體內(nèi),由此構(gòu)成系統(tǒng)集成封裝形式。該定義是通過...
金鋁效應(yīng)是集成電路封裝中常見的失效問題,嚴(yán)重影響器件的可靠性。本文系統(tǒng)解析其成因、表現(xiàn)與演化機(jī)制,并結(jié)合實(shí)驗(yàn)與仿真提出多種應(yīng)對(duì)措施,為提升鍵合可靠性提供參考。
本文主要講述什么是晶圓級(jí)芯粒封裝中的分立式功率器件。 分立式功率器件作為電源管理系統(tǒng)的核心單元,涵蓋二極管、MOSFET、IGBT等關(guān)鍵產(chǎn)品,在個(gè)人計(jì)算...
LP2950-N和LP2951-N微電壓調(diào)節(jié)器的功能特性及作用
LP2950-N和LP2951-N是具有非常低的靜態(tài)電流(75μA典型)和非常低的壓差的電壓(典型的40毫伏在輕負(fù)載和380毫伏在100mA)微電壓調(diào)節(jié)...
2020-10-27 標(biāo)簽:封裝調(diào)節(jié)器電池 3.6k 0
扇出型圓片級(jí)封裝(FoWLP)是圓園片級(jí)封裝中的一種。相對(duì)于傳統(tǒng)封裝圓片級(jí)封裝具有不需要引線框、基板等介質(zhì)的特點(diǎn),因此可以實(shí)現(xiàn)更輕、薄短、小的封裝。扇出...
扇出型晶圓級(jí)封裝技術(shù)采取在芯片尺寸以外的區(qū)域做I/O接點(diǎn)的布線設(shè)計(jì),提高I/O接點(diǎn)數(shù)量。采用RDL工藝讓芯片可以使用的布線區(qū)域增加,充分利用到芯片的有效...
ErP:energy-relatedproducts,即能源相關(guān)產(chǎn)品,指的是任何已經(jīng)投放于市場(chǎng)和已經(jīng)被交付使用的,而且在其使用過程中會(huì)對(duì)能源消耗有影響的...
線性穩(wěn)壓器及LDO JSCJ CJ78M15特性參數(shù)與封裝規(guī)格圖解
線性穩(wěn)壓器及LDO JSCJ CJ78M15特性參數(shù)與封裝規(guī)格圖解 LDO是一種低壓差穩(wěn)壓器件,全稱為L(zhǎng)ow Dropout Voltage Regul...
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝介紹
IGBT模塊的環(huán)氧灌封膠應(yīng)用工藝是一個(gè)專業(yè)性很強(qiáng)的領(lǐng)域,涉及到材料的選擇、配比、混合、脫泡、灌封、固化等多個(gè)步驟。
金屬封裝形式的氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管( VDMOS ), 在經(jīng)歷篩選試驗(yàn)后,管殼表面的金屬層出現(xiàn)了腐蝕形貌, 通過顯微鏡觀察、 掃描電鏡、 EDS 能...
當(dāng)聽到“半導(dǎo)體”這個(gè)詞時(shí),你會(huì)想到什么?它聽起來復(fù)雜且遙遠(yuǎn),但其實(shí)已經(jīng)滲透到我們生活的各個(gè)方面:從智能手機(jī)、筆記本電腦、信用卡到地鐵,我們?nèi)粘I钏蕾?..
封裝是指將硅芯片上的電路引腳連接到外部連接器上,以便與其他設(shè)備連接,或者是指用于安裝半導(dǎo)體集成電路芯片的外殼。
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