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設計圖樣上所采用的基準稱為設計基準。如圖下圖所示的箱體,A、B為孔中心位置的尺寸,其設計基準為①、②面,它們在圖上反映出來的是線??讖紻的設計基準為軸線...
棕化:內層芯板經過棕化處理后,在銅面形成一層均勻的棕色有機金屬膜,可增強銅面與半固化片的結合力,同時在高溫壓合過程中,阻止銅與半固化片的氨基發(fā)生反應。產...
隨著薄膜產品對品質和性能指標要求的增加,現代等離子體薄膜沉積工藝必須考慮到電弧不可避免的影響,并將盡可能減輕電弧導致的損壞。對于大多數等離子體工藝而言,...
碳化硅(SiC)是制作高溫、高頻、大功率電子器件的理想電子材料,近20 年來隨著外延設備和工藝技術水平不斷 提升,外延膜生長速率和品質逐步提高,碳化硅在...
模具溫度40~50℃,注射壓力:200~600bar,注射速度建議使用快速的注射速度,流道和澆口可以使用所有常規(guī)類型的澆口。PS料在加工前,除非儲存不當...
外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講,外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導體制造,...
如何處理撓性電路,適應不同系統(tǒng)間的在線傳送帶傳輸?
將表面貼裝元件直接集成到撓性電路的蝕刻銅焊盤圖形上,與剛性電路板的組裝工藝沒有什么不同。然而為了最大限度地提高機器人組裝效率,提高撓性電路的產量,電路設...
在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中,動態(tài)隨機存儲器(DRAM)和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器(embedded-DRAM,eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器...
金絲鍵合是微組裝制造工藝的關鍵工序,為解決電子產品金絲球焊合格率低的問題,根據金絲球焊的鍵合原理和工作過程,選取了鍵合壓力、超聲功率、超聲時間、加熱臺溫...
追求更小的 DRAM 單元尺寸(cell size)仍然很活躍并且正在進行中。對于 D12 節(jié)點,DRAM 單元尺寸預計接近 0.0013 um2。無...
選擇元器件時應優(yōu)先考慮國產化的元器件,避免選擇國外定制或敏感度較高的器件,一旦發(fā)生突發(fā)狀況,將影響元器件的采購。原材料的選擇應從材料的物理和化學特性多方...
詳解三維NAND集成工藝(3D-NAND Integration Technology)
在20nm 工藝節(jié)點之后,傳統(tǒng)的平面浮柵 NAND 閃速存儲器因受到鄰近浮柵 -浮柵的耦合電容干擾而達到了微縮的極限。為了實現更高的存儲容量,NAND集...
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