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工藝技術(shù)

VDMOS器件的工作原理和關(guān)鍵工藝參數(shù)

在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，垂直雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(VDMOS)憑借其高耐壓、低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，成為中高壓功率轉(zhuǎn)換的核心器件。與橫向DMO...

2026-05-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 VDMOS 工藝 347 0

Coreless無芯工藝與ETS埋線路工藝的差異比對

在行業(yè)通用的載板制造領(lǐng)域中，除了減成法（Tenting）、改良型半加成法（mSAP）、半加成法（SAP）這三種主流核心技術(shù)路線外，還包含無芯工藝（Cor...

2026-04-22 標(biāo)簽：嵌入式封裝工藝 232 0

3D NAND中的Channel Hole工藝介紹

Channel Hole（溝道通孔）是3D NAND閃存制造中的核心工藝步驟。它是指在垂直堆疊的多層?xùn)艠O或介質(zhì)層中，刻蝕出貫穿整個堆疊結(jié)構(gòu)的細長通孔。這...

2026-04-14 標(biāo)簽：閃存 NAND 工藝 348 0

用于3D集成的精細節(jié)距Cu/Sn微凸點倒裝芯片互連工藝研究

芯片異構(gòu)集成的節(jié)距不斷縮小至 10 μm 及以下，焊料外擴、橋聯(lián)成為焊料微凸點互連工藝的主要技術(shù)問題。通過對微凸點節(jié)距為 8 μm 的 Cu/Sn 固液...

2026-04-09 標(biāo)簽：芯片晶圓工藝 2.2k 0

半導(dǎo)體制造中的側(cè)墻工藝介紹

側(cè)墻工藝是半導(dǎo)體制造中形成LDD結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵，能有效抑制熱載流子效應(yīng)。本文從干法刻蝕原理出發(fā)，深度解析側(cè)墻材料從單層SiO?到ONO三明治結(jié)構(gòu)及雙重側(cè)墻的...

2026-04-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝 473 0

芯片制造中的硅片倒角加工工藝介紹

硅片倒角加工是半導(dǎo)體硅片制造中保障邊緣質(zhì)量與可靠性的關(guān)鍵工序，其核心目標(biāo)在于消除切割后邊緣產(chǎn)生的棱角、毛刺、崩邊、裂縫及表面污染，通過降低邊緣粗糙度、增...

2026-03-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝芯片制造 1.4k 0

半導(dǎo)體制造中的激光開槽工藝介紹

本文介紹了半導(dǎo)體后道工序中的激光開槽工藝。該技術(shù)通過激光預(yù)先燒蝕材料，為后續(xù)刀片切割掃清障礙，能有效提升芯片切割質(zhì)量和效率。

2026-03-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光工藝 827 0

一文詳解磁控濺射技術(shù)

磁控濺射（Magnetron Sputtering）是一種廣泛應(yīng)用的物理氣相沉積（PVD）工藝，是制造半導(dǎo)體、磁盤驅(qū)動器和光學(xué)膜層的主要薄膜沉積方法。其...

2026-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝磁控濺射系統(tǒng) 1.4k 0

利用Solido Design Environment準(zhǔn)確預(yù)測SRAM晶圓良率

晶圓級 SRAM 實測數(shù)據(jù)表明：由存取干擾導(dǎo)致的位失效數(shù)量，與單純基于本征器件波動的預(yù)測結(jié)果存在顯著偏差。失效分析表明，SRAM 位單元 NFET 存在...

2026-02-02 標(biāo)簽：晶圓工藝 sram 607 0

集成電路制造中常用濕法清洗和腐蝕工藝介紹

集成電路濕法工藝是指在集成電路制造過程中，通過化學(xué)藥液對硅片表面進行處理的一類關(guān)鍵技術(shù)，主要包括濕法清洗、化學(xué)機械拋光、無應(yīng)力拋光和電鍍四大類。這些工藝...

2026-01-23 標(biāo)簽：集成電路工藝濕法 2.4k 0

半導(dǎo)體封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計

封裝框架的外部結(jié)構(gòu)設(shè)計，核心包含聯(lián)筋（Dambar）與假腳（False leads）兩大關(guān)鍵部分，以下將針對各設(shè)計要素及技術(shù)要求展開詳細說明。

2025-12-26 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝工藝 1k 0

化學(xué)氣相淀積工藝的核心特性和系統(tǒng)分類

化學(xué)氣相淀積（CVD）是借助混合氣體發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在硅片表面沉積一層固體薄膜的核心工藝。在集成電路制造流程中，CVD 工藝除了可用于沉積金屬阻擋層、種子...

2025-11-11 標(biāo)簽：集成電路工藝硅片 2.3k 0

詳解半導(dǎo)體制造中的回流技術(shù)

玻璃回流（reflow）技術(shù)是通過升溫加熱雜氧化硅，使其產(chǎn)生流動特性的工藝，常見的回流處理對象包含硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate...

2025-11-07 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體工藝 2.1k 0

芯片制造過程中的布線技術(shù)

從鋁到銅，再到釕與銠，半導(dǎo)體布線技術(shù)的每一次革新，都是芯片性能躍升的關(guān)鍵引擎。隨著制程進入2nm時代，傳統(tǒng)銅布線正面臨電阻與可靠性的極限挑戰(zhàn)，而鑲嵌（大...

2025-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝芯片制造 1.1k 0

晶圓制造過程中的摻雜技術(shù)

在超高純度晶圓制造過程中，盡管晶圓本身需達到11個9（99.999999999%）以上的純度標(biāo)準(zhǔn)以維持基礎(chǔ)半導(dǎo)體特性，但為實現(xiàn)集成電路的功能化構(gòu)建，必須...

2025-10-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓工藝 1.3k 0

芯片設(shè)計中Guard Ring的構(gòu)成和作用

在芯片設(shè)計中，Guard Ring（保護環(huán)）是一種環(huán)繞在敏感電路或器件（如模擬電路、高精度器件、存儲器單元、I/O驅(qū)動器等）周圍的版圖結(jié)構(gòu)，形成關(guān)鍵的...

2025-10-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體工藝芯片設(shè)計 2.5k 0

集成電路制造中薄膜刻蝕的概念和工藝流程

薄膜刻蝕與薄膜淀積是集成電路制造中功能相反的核心工藝：若將薄膜淀積視為 “加法工藝”（通過材料堆積形成薄膜），則薄膜刻蝕可稱為 “減法工藝”（通過材料去...

2025-10-16 標(biāo)簽：集成電路工藝刻蝕 3.7k 0

ProCAST仿真解決方案助力連鑄工藝設(shè)計

針對不同的連鑄需求，如方坯連鑄、板坯連鑄、圓坯連鑄，以及不同鋼種（碳鋼、不銹鋼、高合金鋼等）或有色金屬的連鑄工藝，ProCAST 提供了高度靈活的建模與...

2025-09-23 標(biāo)簽：工藝仿真 1.4k 0

一文詳解BSIM-SOI模型

隨著半導(dǎo)體工藝進入納米尺度，傳統(tǒng)體硅（Bulk CMOS）技術(shù)面臨寄生電容大、閂鎖效應(yīng)等瓶頸。SOI技術(shù)憑借埋氧層（BOX）的物理隔離優(yōu)勢，成為航空航天...

2025-09-22 標(biāo)簽：工藝 SPICE 模型 2.7k 0

LOCOS工藝中鳥喙效應(yīng)的形成原因和解決措施

集成電路采用LOCOS（Local Oxidation of Silicon）工藝時會出現(xiàn)“鳥喙效應(yīng)”（bird beak），這是一種在氧化硅生長過程中...

2025-09-08 標(biāo)簽：集成電路工藝晶圓制造 1.6k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計算機市場行情；制定計算機組裝計劃；能夠選購組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計算機和外圍設(shè)備；安裝和配置計算機軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計算機軟硬件故障。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計數(shù)器等功能。本章詳細介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應(yīng)用等內(nèi)容。
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步進驅(qū)動器是一種將電脈沖轉(zhuǎn)化為角位移的執(zhí)行機構(gòu)。當(dāng)步進驅(qū)動器接收到一個脈沖信號，它就驅(qū)動步進電機按設(shè)定的方向轉(zhuǎn)動一個固定的角度（稱為“步距角”），它的旋轉(zhuǎn)是以固定的角度一步一步運行的?？梢酝ㄟ^控制脈沖個數(shù)來控制角位移量，從而達到準(zhǔn)確定位的目的；同時可以通過控制脈沖頻率來控制電機轉(zhuǎn)動的速度和加速度，從而達到調(diào)速和定位的目的。
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COMSOL集團是全球多物理場建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團隊、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過模擬，賦予設(shè)計理念以生命。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無線發(fā)射，cd4046運用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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四軸飛行器，又稱四旋翼飛行器、四旋翼直升機，簡稱四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個螺旋槳都是電機直連的簡單機構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過改變電機轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細節(jié)在“基本運動原理”中講述。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。

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