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工藝技術(shù)

芯片內(nèi)互聯(lián)鍵合與超聲波壓焊技術(shù)解析

裝片工序完成后，芯片雖已穩(wěn)固于載體（基板或框架）之上，但其表面預設的焊盤尚未與封裝體構(gòu)建電氣連接，因而需通過內(nèi)互聯(lián)工藝實現(xiàn)導通。

2025-04-23 標簽：芯片工藝超聲波 2k 0

倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點和實現(xiàn)過程

本文介紹了倒裝芯片鍵合技術(shù)的特點和實現(xiàn)過程以及詳細工藝等。

2025-04-22 標簽：pcb 工藝鍵合 3.2k 0

通孔電鍍填孔工藝研究與優(yōu)化

為了提高高密度互連印制電路板的導電導熱性和可靠性，實現(xiàn)通孔與盲孔同時填孔電鍍的目的，以某公司已有的電鍍填盲孔工藝為參考，適當調(diào)整填盲孔電鍍液各組分濃度，...

2025-04-18 標簽：pcb 印制電路板工藝 2.8k 0

TSSG法生長SiC單晶的原理

SiC的物理特性決定了其生長難度。在常壓環(huán)境下，SiC并無熔點，一旦溫度攀升至2000℃以上，便會直接發(fā)生氣化分解現(xiàn)象。從理論層面預測，只有在壓強高達1...

2025-04-18 標簽：晶體工藝 SiC 1.5k 0

半導體封裝中的裝片工藝介紹

裝片（Die Bond）作為半導體封裝關(guān)鍵工序，指通過導電或絕緣連接方式，將裸芯片精準固定至基板或引線框架載體的工藝過程。該工序兼具機械固定與電氣互聯(lián)雙...

2025-04-18 標簽：半導體封裝工藝 4.3k 0

芯片封裝中銀燒結(jié)工藝詳解

本主要講解了芯片封裝中銀燒結(jié)工藝的原理、優(yōu)勢、工程化應用以及未來展望。

2025-04-17 標簽：工藝焊接芯片封裝 3.5k 0

在晶圓襯底上生長外延層的必要性

本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。

2025-04-17 標簽：CMOS 晶圓工藝 1.4k 0

Cadence UCIe IP在Samsung Foundry的5nm汽車工藝上實現(xiàn)流片成功

我們很高興能在此宣布，Cadence 基于 UCIe 標準封裝 IP 已在 Samsung Foundry 的 5nm 汽車工藝上實現(xiàn)首次流片成功。這一...

2025-04-16 標簽：控制器封裝工藝 1.3k 0

概倫電子集成電路工藝與設計驗證評估平臺ME-Pro介紹

ME-Pro是概倫電子自主研發(fā)的用于聯(lián)動集成電路工藝與設計的創(chuàng)新性驗證評估平臺，為集成電路設計、CAD、工藝開發(fā)、SPICE模型和PDK專業(yè)從業(yè)人員提供...

2025-04-16 標簽：集成電路工藝仿真 2.1k 0

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。

2025-04-15 標簽：多晶硅工藝碳化硅 2k 0

芯片制造中的互連工藝介紹

半導體是一種介于導體和絕緣體之間的導電性，半導體通過參雜可以使得能夠精確地控制電流的流動。通過基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝，我們可以構(gòu)建出各種元件，如...

2025-04-11 標簽：半導體晶圓工藝 1.5k 0

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹，重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)，并結(jié)合不同工藝條件對材...

2025-04-09 標簽：多晶硅半導體工藝 2.9k 0

芯片焊盤起皮的成因解析

本文深入解析了焊盤起皮的成因、機制及其與工藝參數(shù)之間的關(guān)系，結(jié)合微觀形貌圖和仿真分析，系統(tǒng)探討了劈刀狀態(tài)、超聲參數(shù)、滑移行為等關(guān)鍵因素的影響，并提出了優(yōu)...

2025-04-09 標簽：芯片封裝工藝 2k 0

粘片工藝介紹及選型指南

粘片作為芯片與管殼間實現(xiàn)連接和固定的關(guān)鍵工序，達成了封裝對于芯片的固定功能，以及芯片背面電連接功能。在行業(yè)里，這一工序常被叫做粘片。由于其核心作用是固定...

2025-04-09 標簽：芯片集成電路封裝 2.2k 0

芯片制造中的High-K材料介紹

本文介紹了High-K材料的物理性質(zhì)、制備方法及其應用。

2025-04-08 標簽：工藝材料芯片制造 4.9k 0

芯片制造中的多晶硅介紹

多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通...

2025-04-08 標簽：多晶硅工藝芯片制造 5.2k 0

MOS集成電路設計中的等比例縮小規(guī)則

本文介紹了MOS集成電路中的等比例縮小規(guī)則和超大規(guī)模集成電路的可靠性問題。

2025-04-02 標簽：芯片集成電路工藝 2.6k 0

如何計算晶圓中芯片數(shù)量

在之前文章如何計算芯片(Die)尺寸?中，討論了Die尺寸的計算方法，在本文中，將討論如何預估一個晶圓中有多少Die，也就是DPW(Die per Wa...

2025-04-02 標簽：芯片晶圓工藝 4.6k 0

半導體制造過程中的三個主要階段

前段工藝（Front-End）、中段工藝（Middle-End）和后段工藝（Back-End）是半導體制造過程中的三個主要階段，它們在制造過程中扮演著不...

2025-03-28 標簽：半導體工藝晶體管 8.6k 0

詳解晶圓級可靠性評價技術(shù)

隨著半導體工藝復雜度提升，可靠性要求與測試成本及時間之間的矛盾日益凸顯。晶圓級可靠性（Wafer Level Reliability, WLR）技術(shù)通過...

2025-03-26 標簽：半導體晶圓封裝 2.2k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準確的翻譯應該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計算機市場行情；制定計算機組裝計劃；能夠選購組裝需要的硬件設備，并能合理配置、安裝計算機和外圍設備；安裝和配置計算機軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設備；清晰描述出現(xiàn)的計算機軟硬件故障。
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Wi-Fi模塊又名串口Wi-Fi模塊，屬于物聯(lián)網(wǎng)傳輸層，功能是將串口或TTL電平轉(zhuǎn)為符合Wi-Fi無線網(wǎng)絡通信標準的嵌入式模塊，內(nèi)置無線網(wǎng)絡協(xié)議IEEE802.11b.g.n協(xié)議棧以及TCP/IP協(xié)議棧。傳統(tǒng)的硬件設備嵌入Wi-Fi模塊可以直接利用Wi-Fi聯(lián)入互聯(lián)網(wǎng)，是實現(xiàn)無線智能家居、M2M等物聯(lián)網(wǎng)應用的重要組成部分。
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UHD是”超高清“的意思UHD的應用在電視機技術(shù)上最為普遍，目前已有不少廠商推出了UHD超高清電視。
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Proteus軟件是英國Lab Center Electronics公司出版的EDA工具軟件（該軟件中國總代理為廣州風標電子技術(shù)有限公司）。它不僅具有其它EDA工具軟件的仿真功能，還能仿真單片機及外圍器件。
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74LS74是雙D觸發(fā)器。功能多，可作雙穩(wěn)態(tài)、寄存器、移位寄存器、振蕩器、單穩(wěn)態(tài)、分頻計數(shù)器等功能。本章詳細介紹了74ls112的功能及原理，74ls74引腳圖及功能表，74ls112的應用等內(nèi)容。
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wifi模塊ESP8266的默認波特率是115200，但是單片機不能達到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。

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