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工藝

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工藝技術(shù)

頂層金屬AI工藝的制造流程

頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因?yàn)?Cu很容易在空氣中氧化，形成疏松的氧化銅，而且不會(huì)形成保護(hù)層防止銅進(jìn)一步氧化，另外，Cu 是軟金...

2024-11-25 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻膠 2.6k 0

IMD4工藝是什么意思

IMD4 工藝是形成 TMV （Top Metal VIA，頂層金屬通孔）的介質(zhì)隔離材料，同時(shí)IMD4 會(huì)隔離第三層金屬和頂層 AL金屬。IMD4 的材...

2024-11-25 標(biāo)簽：工藝材料刻蝕 1.6k 0

IMD3工藝是什么意思

IMD3工藝包括 IMD3a工藝和IMD3b工藝。IMD3a 工藝是形成 VIA2 的介質(zhì)隔離材料，同時(shí) IMD3a 會(huì)隔離第二層金屬和第三層金屬，IM...

2024-11-25 標(biāo)簽：工藝材料刻蝕 2k 0

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因?yàn)?C...

2024-11-15 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.7k 0

IMD1工藝是什么意思

IMD1工藝是指在第一層金屬之間的介質(zhì)隔離材料。IMD1的材料是 ULK （Ultra Low K）SiCOH材料。

2024-11-15 標(biāo)簽：工藝刻蝕 IMD 2.2k 0

金屬層1工藝的制造流程

金屬層1工藝是指形成第一層金屬互連線，第一層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把不同區(qū)域的接觸孔連起來(lái)，以及把不同區(qū)域的通孔1連起來(lái)。第一金屬層是大馬士革的銅結(jié)構(gòu)，...

2024-11-15 標(biāo)簽：集成電路晶圓工藝 2k 0

ILD工藝的制造流程

ILD 工藝是指在器件與第一層金屬之間形成的介質(zhì)材料，形成電性隔離。ILD介質(zhì)層可以有效地隔離金屬互連線與器件，降低金屬與襯底之間的寄生電容，改善金屬橫...

2024-11-12 標(biāo)簽：工藝晶體管介質(zhì)材料 5.6k 0

Salicide工藝的制造流程

Salicide 工藝是指在沒(méi)有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。

2024-11-11 標(biāo)簽：晶圓工藝刻蝕 4.3k 0

SiC的離子注入工藝及其注意事項(xiàng)

離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過(guò)離子注入，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂?。本文?jiǎn)要介紹離子注入工藝及其注意事項(xiàng)。

2024-11-09 標(biāo)簽：工藝制造 SiC 2.3k 0

源漏離子注入工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，源漏離子注入工藝是指形成器件的源漏有源區(qū)重?fù)诫s的工藝，降低器件有源區(qū)的串聯(lián)電阻，提高器件的速度。同時(shí)源漏離子注入也會(huì)形成n型和p型阱接...

2024-11-09 標(biāo)簽：晶圓工藝離子注入 2.4k 0

側(cè)墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類(lèi)似，側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層，從而保護(hù)LDD 結(jié)構(gòu)，防止重?fù)诫s的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展區(qū)。側(cè)墻是由兩個(gè)主要工藝步驟形...

2024-11-09 標(biāo)簽：集成電路工藝蝕刻 2.8k 0

一文看懂SGT MOSFET的市場(chǎng)前景

uSGT MOSFET的市場(chǎng)前景 SGT-MOS的全稱(chēng)是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。SG...

2024-11-08 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體工藝 1.4萬(wàn) 0

多晶硅柵工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極，柵極的作用是控制器件的關(guān)閉或者導(dǎo)通。淀積的多晶硅是未摻雜的，它是通過(guò)后續(xù)的源漏離子注入進(jìn)...

2024-11-07 標(biāo)簽：晶圓工藝 MOS 3.2k 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類(lèi)似，柵氧化層工藝是通過(guò)熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.8k 0

什么是等離子體

等離子體，英文名稱(chēng)plasma，是物質(zhì)的第四態(tài)，其他三態(tài)有固態(tài)，液態(tài)，氣態(tài)。在半導(dǎo)體領(lǐng)域一般是氣體被電離后的狀態(tài)，又被稱(chēng)為‘電漿’，具有帶電性和流動(dòng)性的特點(diǎn)。

2024-11-05 標(biāo)簽：芯片等離子體工藝 3.9k 0

離子注入工藝的工作原理

單晶硅是一種絕緣體，因此它本身并不具備導(dǎo)電性。那么，我們?cè)撊绾问顾軌驅(qū)щ娔?？讓我們?lái)看一下硅的微觀結(jié)構(gòu)。

2024-11-04 標(biāo)簽：電源晶體工藝 3.6k 0

雙阱工藝的制造過(guò)程

與亞微米工藝類(lèi)似，雙阱工藝是指形成NW和PW的工藝，NMOS 是制造在PW里的，PMOS是制造在NW里的。它的目的是形成PN 結(jié)隔離，使器件之間形成電性...

2024-11-04 標(biāo)簽：集成電路工藝晶體管 3.6k 0

STI隔離工藝的制造過(guò)程

STI 隔離工藝是指利用氧化硅填充溝槽，在器件有源區(qū)之間嵌入很厚的氧化物，從而形成器件之間的隔離。利用STI 隔離工藝可以改善寄生場(chǎng)效應(yīng)晶體管和閂鎖效應(yīng)。

2024-11-01 標(biāo)簽：晶圓工藝晶體管 4k 0

有源區(qū)工藝的制造過(guò)程

有源區(qū)工藝是指通過(guò)刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.5k 0

一文詳解半導(dǎo)體薄膜沉積工藝

半導(dǎo)體薄膜沉積工藝是現(xiàn)代微電子技術(shù)的重要組成部分。這些薄膜可以是金屬、絕緣體或半導(dǎo)體材料，它們?cè)谛酒母鱾€(gè)層次中發(fā)揮著不同的作用，如導(dǎo)電、絕緣、保護(hù)等。...

2024-10-31 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體工藝 6.8k 0

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IoT是Internet of Things的縮寫(xiě)，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱(chēng)傳感網(wǎng)，簡(jiǎn)要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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硬件工程師Hardware Engineer職位要求熟悉計(jì)算機(jī)市場(chǎng)行情；制定計(jì)算機(jī)組裝計(jì)劃；能夠選購(gòu)組裝需要的硬件設(shè)備，并能合理配置、安裝計(jì)算機(jī)和外圍設(shè)備；安裝和配置計(jì)算機(jī)軟件系統(tǒng)；保養(yǎng)硬件和外圍設(shè)備；清晰描述出現(xiàn)的計(jì)算機(jī)軟硬件故障。
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COMSOL集團(tuán)是全球多物理場(chǎng)建模解決方案的提倡者與領(lǐng)導(dǎo)者。憑借創(chuàng)新的團(tuán)隊(duì)、協(xié)作的文化、前沿的技術(shù)、出色的產(chǎn)品，這家高科技工程軟件公司正飛速發(fā)展，并有望成為行業(yè)領(lǐng)袖。其旗艦產(chǎn)品COMSOL Multiphysics 使工程師和科學(xué)家們可以通過(guò)模擬，賦予設(shè)計(jì)理念以生命。
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cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
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四軸飛行器，又稱(chēng)四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱(chēng)四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
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　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
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