算力需求呈“爆炸式”遞增 摩爾定律失效

在云這類面向多租戶的場(chǎng)景下，超線程（HT）架構(gòu)的問(wèn)題逐漸暴露出來(lái)，面對(duì)一些高密計(jì)算任務(wù)時(shí)很難滿足業(yè)務(wù)需求，共享內(nèi)存與物理核的機(jī)制導(dǎo)致租戶之間處理任務(wù)可能...

2022-11-18 標(biāo)簽：cpu摩爾定律算力 1.5k 0

計(jì)算機(jī)架構(gòu)設(shè)計(jì)的8關(guān)鍵點(diǎn)

計(jì)算機(jī)大多數(shù)時(shí)間都是運(yùn)作在常見情況下，符合2/8定律，所以首先我們針對(duì)常見情況進(jìn)行優(yōu)化改進(jìn)，加速大概率事件，效果更快。

2022-10-14 標(biāo)簽：摩爾定律半導(dǎo)體行業(yè)計(jì)算機(jī)架構(gòu) 1.4k 0

摩爾定律下一個(gè)十年關(guān)鍵：3D堆疊的潛在優(yōu)勢(shì)

對(duì) 3D 堆疊 CMOS 進(jìn)行所有需要的連接是一項(xiàng)挑戰(zhàn)。需要從設(shè)備堆棧下方進(jìn)行電源連接。在此設(shè)計(jì)中，NMOS 器件頂部和 PMOS 器件底部 具有單獨(dú)的...

2022-09-05 標(biāo)簽：CMOS摩爾定律晶體管 1.4k 0

淺談集成電路工藝原理

微電子學(xué): Microelectronics- 微型電子學(xué)微電子學(xué)是研究在固體(主要是半導(dǎo)體)材料上構(gòu)成的微小型化電路及系統(tǒng)的電子學(xué)分支。

2023-04-21 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律晶圓制造 1.4k 0

芯片制造挑戰(zhàn)：如何拯救摩爾定律

　在過(guò)去幾十年里一直聽到有關(guān)摩爾定律消亡的預(yù)測(cè)的行業(yè)中，這并不令人震驚。然而，令人驚訝的是，經(jīng)過(guò)市場(chǎng)驗(yàn)證的替代品數(shù)量令人眼花繚亂，而且還在不斷增長(zhǎng)。

2022-08-04 標(biāo)簽：cpu摩爾定律SiP 1.3k 0

高能效信息技術(shù)的未來(lái)——超越摩爾定律

雖然單憑高能效IT并不能充分解決氣候變化問(wèn)題，但它卻是解決方案的重要組成部分。作為將畢生精力投入到高科技行業(yè)的一分子，我為我們?cè)诠?jié)約能源方面取得的成果，...

2019-04-18 標(biāo)簽：摩爾定律 1.3k 0

RF模塊嚴(yán)峻的測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)如何解決

Heide博士解釋說(shuō)，耗時(shí)的測(cè)試過(guò)程不適用于批量生產(chǎn)。“我們不能接受一個(gè)花費(fèi)半分鐘或一分鐘的測(cè)試。我們需要在幾秒鐘內(nèi)完成測(cè)試?！?/p>

2020-03-29 標(biāo)簽：摩爾定律RF數(shù)字電路 1.3k 0

摩爾定律下一個(gè)10年的關(guān)鍵之3D堆疊技術(shù)

隨著傳統(tǒng)平面晶體管的尺寸縮小，器件物理學(xué)家稱為短溝道效應(yīng)的器件占據(jù)了中心位置?？偟膩?lái)說(shuō)，由于源極和漏極之間的距離變得非常小，電流會(huì)在不應(yīng)該泄漏的時(shí)候漏過(guò)...

2023-03-22 標(biāo)簽：摩爾定律晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.2k 0

像素越多越大的圖像傳感器越好嗎

為了將兩倍數(shù)量的晶體管放置在單個(gè)器件上，縮小晶體管是主要實(shí)現(xiàn)方式。這種趨勢(shì)已經(jīng)持續(xù)了數(shù)十年，但近年晶體管數(shù)量增長(zhǎng)速度有所減緩。

2023-04-17 標(biāo)簽：集成電路摩爾定律圖像傳感器 1.1k 0

英偉達(dá)用AI設(shè)計(jì)GPU算術(shù)電路有何優(yōu)勢(shì)

大量的算術(shù)電路陣列為英偉達(dá)GPU提供了動(dòng)力，以實(shí)現(xiàn)前所未有的AI、高性能計(jì)算和計(jì)算機(jī)圖形加速。因此，改進(jìn)這些算術(shù)電路的設(shè)計(jì)對(duì)于提升 GPU 性能和效率而...

2023-12-05 標(biāo)簽：摩爾定律gpueda 1.1k 0