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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來(lái)控制自身的開(kāi)合,而且開(kāi)關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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AC晶體管光耦在照明控制領(lǐng)域的應(yīng)用與選型推薦
隨著智能建筑與智能家居技術(shù)的迅猛崛起,照明控制技術(shù)亦隨之日新月異。傳統(tǒng)的照明控制手段已難以適應(yīng)現(xiàn)代化、智能化的新需求。在這樣的技術(shù)革新浪潮中,AC晶體管...
IGBT是一種晶體管結(jié)構(gòu),由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)控制Bipolar雙極晶體管的開(kāi)關(guān)動(dòng)作。發(fā)熱量巨大的電子器件、芯片、MOSFET...
KL814產(chǎn)品系列,由蘇州晶臺(tái)光電有限公司精心研發(fā),是一款采用交流輸入的晶體管光耦。它創(chuàng)新性地結(jié)合了兩個(gè)反向并聯(lián)的紅外發(fā)射二極管與一個(gè)光電晶體管,構(gòu)成了...
東芝2SC2712晶體管:性能強(qiáng)勁、應(yīng)用廣泛的完美選擇
今天我要介紹一款在低頻和音頻放大應(yīng)用中備受青睞的晶體管——東芝2SC2712。它不僅性能卓越,而且用途廣泛,我們一起來(lái)看看它的亮點(diǎn)。 性能與參數(shù) 高電壓...
中微愛(ài)芯推出單通道低邊柵驅(qū)動(dòng)器AiP44175
柵驅(qū)動(dòng)器是微控制器和功率半導(dǎo)體器件之間的橋梁,微控制器本身不具備驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件的能力,因此需要柵驅(qū)動(dòng)器放大來(lái)自微控制器信號(hào),從而驅(qū)動(dòng)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(M...
2024-06-11 標(biāo)簽:微控制器驅(qū)動(dòng)器晶體管 2k 0
三菱電機(jī)將發(fā)布全新網(wǎng)絡(luò)服務(wù),加速大功率逆變器開(kāi)發(fā)
三菱電機(jī)集團(tuán),一直以其技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新精神在電力行業(yè)占據(jù)重要地位。近日,該集團(tuán)宣布將于近日推出一項(xiàng)全新的基于網(wǎng)絡(luò)的服務(wù),旨在為客戶提供大功率逆變器開(kāi)發(fā)的有力支持。
BC846BW,115(nexperia)中文參數(shù)-引腳配置-封裝圖-焊腳圖
Nexperia 的 BC846BW,115 是一款采用 SOT-323 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝的 NPN 通用晶體管。該產(chǎn)品專(zhuān)為通用開(kāi)關(guān)和...
微電子所在《中國(guó)科學(xué):國(guó)家科學(xué)評(píng)論》發(fā)表關(guān)于先進(jìn)CMOS集成電路新結(jié)構(gòu)晶體管的綜述論文
來(lái)源:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所 金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)是推動(dòng)大規(guī)模CMOS集成電路按照“摩爾定律”持續(xù)微縮并不斷發(fā)展的核心器件。...
2024-05-31 標(biāo)簽:晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管微電子 1.3k 0
基于超強(qiáng)耦合超構(gòu)原子的CMOS集成太赫茲近場(chǎng)傳感器設(shè)計(jì)
近年來(lái),電磁波譜中的太赫茲(THz)部分已被證明是推動(dòng)大量新研究方向的有利平臺(tái)。
創(chuàng)新性地提出了一種具有選擇和控制晶體管的電阻式隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器及其架構(gòu)。此半導(dǎo)體設(shè)備包含存儲(chǔ)設(shè)備,其由控制晶體管與選擇器晶體管串聯(lián)組成,且控制晶體管與存儲(chǔ)...
華大九天多款產(chǎn)品獲得ISO 26262 TCL3和IEC 61508 T2國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證
據(jù)華大九天2023年年報(bào)披露,其原理圖/版圖編輯工具Empyrean Aether、電路仿真工具Empyrean ALPS、物理驗(yàn)證工具Empyrean...
芯片中的負(fù)載電流與驅(qū)動(dòng)電流之間的差異有哪些
負(fù)載電流通常指的是電路中負(fù)載所消耗的電流。負(fù)載可以是任何用電設(shè)備或電路元件,如電阻器、電容器、二極管、晶體管等。當(dāng)電壓作用于負(fù)載時(shí),就會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的負(fù)載電...
2024-06-12 標(biāo)簽:負(fù)載電流電路設(shè)計(jì)晶體管 1.8k 0
電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī):現(xiàn)代焊接技術(shù)的智能化革新
隨著科技的不斷進(jìn)步和制造業(yè)的快速發(fā)展,焊接技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和升級(jí)。電動(dòng)智能晶體管點(diǎn)焊機(jī)作為現(xiàn)代焊接技術(shù)的重要代表,憑借其高效、智能、精準(zhǔn)的特點(diǎn),逐漸成為...
英特爾競(jìng)購(gòu)High-NA EUV設(shè)備,臺(tái)積電決定回避
另一方面,臺(tái)積電的年度技術(shù)論壇正在美國(guó)和歐洲如火如荼地進(jìn)行,備受世人矚目的是該公司計(jì)劃在2026年量產(chǎn)A16技術(shù),該技術(shù)將結(jié)合納米片晶體管和超級(jí)電軌架構(gòu)。
據(jù)了解,當(dāng)薄膜晶體管(TFT)向OLED顯示屏輸送不同電流時(shí),部分單元無(wú)法獲得適宜電壓,進(jìn)而在屏幕上形成黑斑,導(dǎo)致顆粒感產(chǎn)生。
互聯(lián)網(wǎng)檔案館收錄Windows XP定制鏡像,支持i486處理器運(yùn)行
需要說(shuō)明的是,這種被稱(chēng)之為i486的x86處理器,首次內(nèi)置超過(guò)百萬(wàn)個(gè)晶體管,準(zhǔn)確來(lái)說(shuō)是120萬(wàn)個(gè),然而它的發(fā)布日期為1989年,而微軟的WindowsX...
臺(tái)積電3nm工藝節(jié)點(diǎn)步入正軌,N3P預(yù)計(jì)2024年下半年量產(chǎn)
在N3P上,公司利用之前的N3E工藝節(jié)點(diǎn)進(jìn)行優(yōu)化升級(jí),以提升整體能效及晶體管密度。據(jù)介紹,N3E工藝節(jié)點(diǎn)的良率已達(dá)到與5納米成熟工藝相當(dāng)?shù)乃健?/p>
臺(tái)積電N3P工藝新品投產(chǎn),性能提質(zhì)、成本減負(fù)
N3E工藝的批量生產(chǎn)預(yù)期如期進(jìn)行,其缺陷密度與2020年量產(chǎn)的N5工藝相當(dāng)。臺(tái)積電對(duì)N3E的良率評(píng)價(jià)頗高,目前僅有的采用N3E的處理器——蘋(píng)果M4,其晶...
功率器件IGBT及國(guó)內(nèi)外IGBT企業(yè)
IGBT,絕緣柵雙極型晶體管,是由(BJT)雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有(MOSFET)金氧半...
英特爾逐步停止Ponte Vecchio GPU生產(chǎn),專(zhuān)注于Gaudi 2/3產(chǎn)品
這款GPU是英特爾在2022年正式宣布推出的,它擁有超過(guò)1000億個(gè)晶體管,旨在推動(dòng)公司進(jìn)入更廣泛的AI和高性能計(jì)算領(lǐng)域。
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