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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非??欤瑢?shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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集成AFE三相全橋SiC PIM模塊在工業(yè)驅(qū)動(dòng)中的全集成技術(shù)與應(yīng)用
在全球工業(yè)界加速邁向深度脫碳、電氣化與工業(yè)4.0智能制造的歷史交匯點(diǎn)上,電力電子技術(shù)正經(jīng)歷一場根本性的底層架構(gòu)變革。
淺談復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)中的SPICE仿真困境
在現(xiàn)代集成電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,SPICE(Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)仿真一直是驗(yàn)...
2026-03-13 標(biāo)簽:芯片設(shè)計(jì)仿真晶體管 781 0
意法半導(dǎo)體700V GaN轉(zhuǎn)換器打造卓越的用戶體驗(yàn)
意法半導(dǎo)體推出全新的VIPerGaN反激式轉(zhuǎn)換器系列產(chǎn)品。該器件采用專有技術(shù)打造,可在所有負(fù)載水平下實(shí)現(xiàn)安靜的運(yùn)行。這些轉(zhuǎn)換器采用先進(jìn)的GaN技術(shù)打造,...
2026-03-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體晶體管 548 0
半導(dǎo)體技術(shù)如何推動(dòng)三項(xiàng)電子領(lǐng)域創(chuàng)新
如今,驅(qū)動(dòng)智能手機(jī)運(yùn)行的芯片集成超過 150 億個(gè)晶體管,而為數(shù)據(jù)中心供電的半導(dǎo)體器件更是能集成數(shù)千億個(gè)晶體管。半導(dǎo)體為機(jī)器人、個(gè)人電子產(chǎn)品和人工智能 ...
羅徹斯特電子為onsemi產(chǎn)品提供可持續(xù)供貨支持
羅徹斯特電子是安森美的授權(quán)分銷商和許可復(fù)產(chǎn)的制造商。安森美半導(dǎo)體公司創(chuàng)立于1999年,其前身為摩托羅拉(Motorola)旗下的半導(dǎo)體部門。近年來,安森...
廣立微QuanTest-YAD良率感知大數(shù)據(jù)診斷分析平臺獲得行業(yè)高度認(rèn)可
從 2025 年主流芯片集成數(shù)百億晶體管,到 Cerebras WSE 晶圓級芯片的 46,225mm2 超大面積(相當(dāng)于 56 個(gè)英偉達(dá) H100),...
重磅研究:7nm FinFET 性能優(yōu)化的隱藏密碼 —— 柵極與鰭片間距調(diào)控
Gate和FinSpaceVariation對應(yīng)力調(diào)制及FinFET性能的影響隨著半導(dǎo)體工藝持續(xù)向先進(jìn)節(jié)點(diǎn)演進(jìn),圖形化工藝偏差引發(fā)的細(xì)微效應(yīng)已成為器件性...
2026-02-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管驅(qū)動(dòng)電流 1.5k 0
效率與速度的瓶頸:模塊級仿真,特別是含超大規(guī)模電源/地網(wǎng)絡(luò)(PDN)的后仿,單次仿真時(shí)間從幾小時(shí)激增至數(shù)天甚至數(shù)周。
TFT-LCD液晶面板暗點(diǎn)化激光修復(fù)方法與流程
一、引言 TFT-LCD液晶面板的暗點(diǎn)缺陷多由薄膜晶體管(TFT)斷路、液晶盒內(nèi)異物殘留、電極接觸不良等因素導(dǎo)致,表現(xiàn)為像素區(qū)域無法正常透光,破壞畫面均...
【匠師共研】系列之一 器件賦能系統(tǒng),打通從生物大腦到新型半導(dǎo)體器件應(yīng)用新途
【引言】從生物大腦出發(fā)的一次工程對話 當(dāng)AI算力競賽愈演愈烈,一條源于生物大腦的技術(shù)路徑,正在悄然重塑半導(dǎo)體器件與系統(tǒng)架構(gòu)。近日,泰克專家在展臺與類腦器...
華科大團(tuán)隊(duì)在里德堡原子光量子操控領(lǐng)域取得進(jìn)展
近日,華中科技大學(xué)國家精密重力測量科學(xué)中心、物理學(xué)院引力中心李霖教授團(tuán)隊(duì)在里德堡原子光量子調(diào)控領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。課題組探索了量子光學(xué)中的一個(gè)基礎(chǔ)性問題:...
英諾達(dá)Palladium Z3集群并機(jī)投入運(yùn)營
近日,英諾達(dá)EnCitius曜奇SVS平臺的Palladium Z3硬件仿真加速系統(tǒng)已完成并機(jī)調(diào)試,投入運(yùn)營。作為行業(yè)公認(rèn)的“驗(yàn)證重器”,該集群可提供高...
三菱電機(jī)與多方聯(lián)合揭示硅中氫致自由電子生成機(jī)制
三菱電機(jī)株式會(huì)社、東京科學(xué)大學(xué)、筑波大學(xué)及 Quemix 公司于2026年1月14日聯(lián)合宣布,全球率先1成功揭示了氫元素如何通過與硅材料中特定缺陷2的相...
龍騰半導(dǎo)體董事長徐西昌榮膺西安市民營經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展突出貢獻(xiàn)企業(yè)家
1月16日,西安市民營經(jīng)濟(jì)高質(zhì)量發(fā)展突出貢獻(xiàn)獎(jiǎng)表彰大會(huì)在陜西賓館隆重舉行。龍騰半導(dǎo)體創(chuàng)始人、董事長徐西昌先生憑借在民營經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域的持續(xù)深耕與卓越貢獻(xiàn),被授...
2026-01-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管功率半導(dǎo)體 827 0
泰克專家探討類腦計(jì)算背后的器件邏輯與現(xiàn)實(shí)挑戰(zhàn)
當(dāng)AI算力競賽愈演愈烈,一條源于生物大腦的技術(shù)路徑,正在悄然重塑半導(dǎo)體器件與系統(tǒng)架構(gòu)。近日,泰克專家在展臺與類腦器件領(lǐng)域資深研究者萬老師展開深度交流,圍...
晶體管技術(shù)賦能比斯特智能電動(dòng)點(diǎn)焊機(jī)精確耐用
傳統(tǒng)的點(diǎn)焊設(shè)備,或依賴于笨重的工頻交流技術(shù),或受限于早期功率器件的性能,在精度、一致性與自適應(yīng)能力上已漸露疲態(tài)。正是在這一精密制造的關(guān)鍵隘口,晶體管技術(shù)...
2026-01-17 標(biāo)簽:晶體管點(diǎn)焊機(jī) 1.2k 0
MPS發(fā)布車規(guī)級TFT LCD偏壓驅(qū)動(dòng)器MPQ5613D-AEC1
近日,MPS芯源系統(tǒng)發(fā)布車規(guī)級薄膜晶體管液晶顯示器(TFT LCD)偏壓驅(qū)動(dòng)器——MPQ5613D-AEC1。該產(chǎn)品通過了AEC-Q100 Grade ...
2026-01-16 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器lcd晶體管 4.8k 0
MIT團(tuán)隊(duì)提出一種垂直集成的BEOL堆疊架構(gòu)
近期發(fā)現(xiàn),通過在傳統(tǒng)CMOS芯片的后端工藝(BEOL)層添加額外的有源器件層,可將原本僅用于布線的區(qū)域改造為兼具邏輯晶體管與存儲(chǔ)功能的垂直堆疊結(jié)構(gòu)。
新品 | 第五代氮化鎵CoolGaN? 650V G5雙通道晶體管
新品第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管第五代氮化鎵CoolGaN650VG5雙通道晶體管將半橋功率級集成于小型6×8mmQFN-32封裝...
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