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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如Relay、switch）不同，晶體管利用電訊號來控制自身的開合，而且開關(guān)速度可以非常快，實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
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在一個(gè)芯片上集成控制電子器件和自旋量子位，可以大大簡化兩者之間的互連。但是要實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，提高量子位的工作溫度至關(guān)重要。在此之前，量子計(jì)算機(jī)被證明只能在...
臺積電公布3nm工藝細(xì)節(jié)，晶體管密度達(dá)2.5億/mm2
最近，臺積電5nm工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)，年底蘋果和華為已經(jīng)將其產(chǎn)能預(yù)定，而臺積電發(fā)展的步伐并沒有停歇，他們不久前正式披露了最新3nm公寓的詳情。
人造的神經(jīng)突觸替代物可像人類大腦一樣學(xué)習(xí)
據(jù)外媒報(bào)道，一種創(chuàng)新的新型人工突觸可能為創(chuàng)造像人類大腦一樣運(yùn)作的電腦鋪平道路并有望在未來某一天使電子設(shè)備能跟我們自己的大腦皮層無縫整合。
集成電路顧名思義就是把很多電路集成在一起，晶圓越大，特征尺寸越小，不僅能集成更多更復(fù)雜的電路，而且可以降低功耗，加快響應(yīng)速度。
近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2！
臺積電正式披露3nm工藝最新細(xì)節(jié) 晶體管密度達(dá)到2.5億/mm2
近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2！
近日，臺積電正式披露了其最新3nm工藝的細(xì)節(jié)詳情，其晶體管密度達(dá)到了破天荒的2.5億/mm2！
我們經(jīng)?？吹綀?bào)道上說芯片制程達(dá)到了14nm、7nm、5nm，最近中芯國際在沒有ASML的EUV光刻機(jī)的情況下，實(shí)現(xiàn)了7nm的制程，有很多人對此感到很興奮。
我們都知道計(jì)算機(jī)的核心是處理器，處理器由大量的晶體管（transistor）構(gòu)建而成。最新的微處理器包含了超過20億個(gè)晶體管，即使是功能非常簡單的微處理...
下面介紹三極管在開關(guān)方面的作用，以SS8050三極管為例，這種一種普遍用于功率放大電路的三極管，與SS8550 互補(bǔ)。8050是一種低電壓、大電流、小信...
納米電子學(xué)的“模擬助推器”，進(jìn)一步改善晶體管
蘇黎世聯(lián)邦理工學(xué)院的兩個(gè)研究小組開發(fā)了一種方法，可以逼真，快速，高效地模擬納米電子器件及其性能。
2020-04-14 標(biāo)簽：晶體管 2.1k 0
硅發(fā)光二極管誕生，電腦的性能將進(jìn)一步得到提升
大約50年前，英特爾的聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾（Gordon Moore）預(yù)測，計(jì)算機(jī)芯片中封裝的晶體管數(shù)量每兩年就會翻一番。
在介紹輸出信號Y時(shí)，我們先來說下三菱FX系列的輸出類型，在輸出規(guī)格中常見的兩種輸出有繼電器類型和晶體管類型，可以在PLC側(cè)邊分辨。
納米光子學(xué)領(lǐng)域的研究人員一直在努力開發(fā)光學(xué)晶體管，這是未來光學(xué)計(jì)算機(jī)的關(guān)鍵組件。
Cerebras發(fā)布了Wafer Scale Engine，一種人工智能芯片
Cerebras今天發(fā)布了Wafer Scale Engine，這是一種人工智能芯片，其尺寸是Nvidia Corp.旗艦V100數(shù)據(jù)中心圖形卡的57倍...
單原子層溝道的鰭式場效應(yīng)晶體管的研發(fā)可提高器件性能
晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件(包括二極管、三極管、場效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件)，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能。
詳細(xì)解析芯片里的眾多晶體管是如何實(shí)現(xiàn)的
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？
五年前，AMD似乎不太可能超越領(lǐng)先的競爭對手英特爾，但事實(shí)恰恰是這樣，這不是最初的Zen架構(gòu)，而是去年Zen 2的推出使納米級轉(zhuǎn)變?yōu)?納米。
mos管飽和區(qū)電流公式及MOS的其他三個(gè)區(qū)域解析
轉(zhuǎn)移特性曲線可以從輸出特性曲線。上用作圖的方法求得。例如在圖3（ a）中作Ubs=6V的垂直線，將其與各條曲線的交點(diǎn)對應(yīng)的i、Us值在ib- Uss 坐...
EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運(yùn)行速度快十倍器件，并且新設(shè)備在運(yùn)行速度上也比當(dāng)前計(jì)算機(jī)中的晶體管快100倍左右。
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