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氧化鎵

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氧化鎵資訊

蘇州邁姆思與杭州鎵仁簽訂先進(jìn)半導(dǎo)體氧化鎵晶圓鍵合領(lǐng)域戰(zhàn)略合作協(xié)議

來(lái)源：蘇州納米城近日，蘇州納米城企業(yè)—蘇州邁姆思半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“邁姆思 ”）與杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁”）于杭州簽訂戰(zhàn)略合...

2024-07-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氧化鎵 1.3k 0

鎵仁半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電摻雜

VB法4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”）基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長(zhǎng)設(shè)備進(jìn)行工藝優(yōu)化，采用...

2025-02-14 標(biāo)簽：導(dǎo)電氧化鎵 1.3k 0

面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)介紹

近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)及集成應(yīng)用論壇”于西安召開(kāi)。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

2023-08-04 標(biāo)簽：MOSFET SBD SiC 1.3k 0

氧化鎵襯底表面粗糙度和三維形貌，優(yōu)可測(cè)白光干涉儀檢測(cè)時(shí)長(zhǎng)縮短至秒級(jí)！

傳統(tǒng)AFM檢測(cè)氧化鎵表面三維形貌和粗糙度需要20分鐘左右，優(yōu)可測(cè)白光干涉儀檢測(cè)方案僅需3秒，百倍提升檢測(cè)效率！

2025-02-08 標(biāo)簽：表面粗糙度氧化鎵白光干涉儀 1.2k 0

氧化鎵破局！江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)著作權(quán)落地，解鎖高效節(jié)能新范式

2025年8月25日，江蘇拓能半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“江蘇拓能”）自主研發(fā)的 “氧化鎵半導(dǎo)體在工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用系統(tǒng)（V1.0）” 正式獲得軟件著作...

2025-09-05 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 氧化鎵 1.2k 0

碳化硅：最近比較煩！

碳化硅材料能夠把器件體積做的越來(lái)越小，性能越來(lái)越好，所以近年來(lái)電動(dòng)汽車廠商都對(duì)它青睞有加，使其成為HEV電力驅(qū)動(dòng)裝置中的理想器件，可以顯著減小電力電子驅(qū)...

2023-03-30 標(biāo)簽：功率器件碳化硅氧化鎵 1.2k 0

三菱電機(jī)入局氧化鎵，加速氧化鎵功率器件走向商用

三菱電機(jī)公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開(kāi)發(fā)和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個(gè)很有前...

2023-08-08 標(biāo)簽：MOS管肖特基二極管碳化硅 1.1k 0

西安郵電大學(xué)在8寸硅片氧化鎵外延片取得重要進(jìn)展

氧化鎵是一種超寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)異的耐高壓與日盲紫外光響應(yīng)特性，在功率器件和光電領(lǐng)域應(yīng)用潛力巨大。

2023-03-13 標(biāo)簽：功率器件硅片外延片 1.1k 0

談?wù)劅衢T的氧化鎵

高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺(tái)，...

2022-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氧化鎵 996 0

一種具有低反向?qū)〒p耗的氧化鎵縱向FinFET

由于Fin溝道的夾斷作用，可以采用歐姆接觸陽(yáng)極替代肖特基接觸，形成無(wú)結(jié)二極管。因此，在反向續(xù)流時(shí)，無(wú)結(jié)的FD實(shí)現(xiàn)極低的反向?qū)妷海╒on）。

2023-06-16 標(biāo)簽：二極管氧化鎵 960 0

日本氧化鎵技術(shù)再獲突破：六項(xiàng)成果集中發(fā)布，低成本量產(chǎn)指日可待

2026年3月，日本名古屋大學(xué)低溫等離子體科學(xué)研究中心與該校孵化初創(chuàng)企業(yè)nu-rei株式會(huì)社，將在應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季學(xué)術(shù)講演會(huì)上集中發(fā)布關(guān)于次世代功率半導(dǎo)...

2026-04-09 標(biāo)簽：材料功率半導(dǎo)體氧化鎵 526 0

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