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標(biāo)簽 > 氧化鎵
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FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結(jié)構(gòu)更穩(wěn)定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優(yōu)越（S...
2022-07-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料新材料氧化鎵 2.7k 0
超寬帶隙半導(dǎo)體有望成為大功率晶體管 ? 高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)...
北京銘鎵半導(dǎo)體引領(lǐng)氧化鎵材料創(chuàng)新，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化新突破
北京順義園內(nèi)的北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面取得了顯著進展，其技術(shù)已領(lǐng)先國際同類產(chǎn)品標(biāo)準。
第四代半導(dǎo)體制備連獲突破，氧化鎵將與碳化硅直接競爭？
此外，氧化鎵的導(dǎo)通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場強約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發(fā)電等領(lǐng)域在能源方面的消耗。數(shù)據(jù)顯示...
三菱電機加速開發(fā)高性能低損耗氧化鎵功率半導(dǎo)體
三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發(fā)和銷售企業(yè)Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發(fā)高性...
2023-08-02 標(biāo)簽：晶圓三菱電機功率半導(dǎo)體 2k 0
這種作方法屬于“有機金屬化學(xué)氣相沉積（MOCVD）法”，通過在密閉裝置內(nèi)充滿氣體狀原料，在基板上制造出氧化鎵的晶體。該方法與現(xiàn)有的“氫化物氣相外延（HV...
2023-10-12 標(biāo)簽：晶體功率半導(dǎo)體氧化鎵 1.9k 0
北京鎵和首次發(fā)布4英寸面氧化鎵單晶襯底參數(shù)并實現(xiàn)小批量生產(chǎn)
近日，“第四屆海峽兩岸氧化鎵及其相關(guān)材料與器件研討會”在濟南召開。大會技術(shù)委員會委員北京鎵和半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人、董事長、南京郵電大學(xué)唐為華教授率領(lǐng)鎵和...
近日，北京鎵和半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵和半導(dǎo)體”）正式宣布完成六千五百萬元A輪融資，由凱石資本領(lǐng)投，海通證券、正為資本、盈添投資跟投。
據(jù)睿悅投資官微消息，2月2日，深圳市睿悅投資控股集團有限公司（以下簡稱“睿悅控股集團”）與福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“晶旭半導(dǎo)體”）的戰(zhàn)略投資...
異質(zhì)集成氧化鎵：下一代高性能功率半導(dǎo)體器件的新基石
來源:悅智網(wǎng) ，作者羅拯東、韓根全等 功率半導(dǎo)體器件作為高效電能控制和轉(zhuǎn)換裝置的核心器件，從其誕生之初，便作為電力電子技術(shù)的“幕后英雄”持續(xù)推動人類社會...
2024-10-21 標(biāo)簽：氧化鎵功率半導(dǎo)體器件異質(zhì)集成 1.7k 0
第四代半導(dǎo)體新進展：4英寸氧化鎵單晶導(dǎo)電型摻雜
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近氧化鎵領(lǐng)域又有了新的進展。今年1月，鎵仁半導(dǎo)體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設(shè)備進行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法...
2025-02-17 標(biāo)簽：氧化鎵 1.6k 0
深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究
近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）的3.2 eV和...
三菱電機總裁Kei Urushima表示，聯(lián)合開發(fā)將以"從Coherent接收襯底，采用我們的技術(shù)，然后將其返還給Coherent"...
2024-04-07 標(biāo)簽：三菱電機功率半導(dǎo)體碳化硅 1.5k 0
昌龍智芯650V-3300V氧化鎵功率器件發(fā)布：國產(chǎn)高壓半導(dǎo)體實現(xiàn)從“跟跑”到“領(lǐng)跑”的跨越
2026年4月，昌龍智芯正式發(fā)布覆蓋650V至3300V電壓等級的氧化鎵功率器件系列，標(biāo)志著我國在高壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵技術(shù)突破，填補了國內(nèi)在該電壓...
半導(dǎo)體所在基于氧化鎵的日盲紫外偏振光探測器方面取得新進展
偏振光探測與成像技術(shù)在遙感成像、機器視覺、復(fù)雜背景目標(biāo)識別等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，近年來在天體物理和海底地震波探測等方面也展現(xiàn)出豐富的信息獲取能力。在不同...
我國實現(xiàn)6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化新突破
氧化鎵因其優(yōu)異的性能和低成本的制造，成為目前最受關(guān)注的超寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，被稱為第四代半導(dǎo)體材料。
2024-03-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料氧化鎵 1.5k 0
關(guān)于超寬禁帶氧化鎵晶相異質(zhì)結(jié)的新研究
? ? 【研究 梗概 】 在科技的快速發(fā)展中，超寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點。而在近日， 沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUS...
2025-01-22 標(biāo)簽：異質(zhì)結(jié)氧化鎵 1.5k 0
如何開發(fā)出有效的邊緣終端結(jié)構(gòu)，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結(jié)相關(guān)的邊緣終端結(jié)構(gòu)一直是難點。
在超寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區(qū)技術(shù)總監(jiān)張欣與香港科技大學(xué)電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現(xiàn)狀...
調(diào)查結(jié)果顯示，SiC、GaN（氮化鎵）等寬帶隙半導(dǎo)體單晶主要用于功率半導(dǎo)體器件，市場正在穩(wěn)步擴大。
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