氮化硅陶瓷氣壓燒結后需要熱等靜壓（HIP）處理嗎？

氮化硅陶瓷氣壓燒結后需要熱等靜壓（HIP）處理嗎？——對結構件不同疲勞要求的成本效益分析 L??壽命大幅提升的背后 某型號混合陶瓷軸承的臺架試驗數(shù)據(jù)值得...

2026-05-04 標簽：氮化硅氮化硅陶瓷 2.3k 0

氮化硅陶瓷散熱片解決方案

在新能源汽車電驅、光伏逆變器等高端電力電子領域，功率模塊的散熱與長期可靠性一直是工程師們面臨的嚴峻挑戰(zhàn)。隨著碳化硅等第三代半導體的普及，芯片功率密度急劇...

2026-04-22 標簽：散熱片氮化硅 108 0

氮化硅陶瓷水淬法ΔTc測定：抗熱震性能的工程化驗證

? 一、從技術指標切入：氮化硅的抗熱震底氣 氮化硅陶瓷在先進結構陶瓷中以卓越的抗熱震性能著稱。采用水淬法進行測試時，氮化硅的臨界溫差ΔTc通常超過600...

2026-04-18 標簽：氮化硅 1.7k 0

氮化硅陶瓷頂針：高端制造中的精密定位解決方案

在精密制造領域，定位精度往往決定了產品的最終質量與性能。傳統(tǒng)金屬頂針雖應用廣泛，但在高溫、腐蝕、高磨損等極端工況下，其壽命與穩(wěn)定性面臨嚴峻挑戰(zhàn)。氮化硅陶...

2026-04-01 標簽：精密定位氮化硅 123 0

晶界相工程決勝高熱導率：Y?O?-MgO與Y?O?-Al?O?燒結體系在氮化硅陶瓷中的效能對比

一、理論特性與工藝差異分析 氮化硅陶瓷的理論熱導率可達320 W/(m·K)，但實際燒結體通常遠低于此值，根本原因在于晶界相與晶格氧對聲子傳輸?shù)纳⑸湫?..

2026-04-01 標簽：氮化硅 470 0

氮化硅陶瓷賦能LLZO固態(tài)電解質：界面相容性研究與產業(yè)化前景

固態(tài)電池被視為下一代儲能技術的核心突破口，其中氧化物電解質LLZO（鋰鑭鋯氧）因高離子電導率與寬電化學窗口而備受關注。然而，LLZO的實用化面臨兩大瓶頸...

2026-03-28 標簽：固態(tài)電池氮化硅 338 0

技術突破與市場驗證：氮化硅導電復合陶瓷的產業(yè)化路徑分析

一、產品細節(jié)與技術指標 氮化硅導電復合陶瓷的核心價值在于解決了傳統(tǒng)氮化硅陶瓷“高強絕緣”與“導電加工”難以兼得的矛盾。通過在氮化硅基體中引入TiN、Ti...

2026-03-27 標簽：氮化硅 174 0

氮化硅陶瓷限位塊：極端工況下的精密定位“隱形冠軍”

隨著半導體設備、高端機械裝備及航空航天領域對精密定位與長期可靠性的要求日益嚴苛，傳統(tǒng)金屬限位塊在耐磨性、熱穩(wěn)定性及真空潔凈度方面的短板愈發(fā)凸顯。氮化硅陶...

2026-03-24 標簽：陶瓷氮化硅 355 0

氮化硅導電復合陶瓷：研磨拋光性能與應用深度解析

氮化硅導電復合陶瓷作為一種創(chuàng)新型工程材料，在研磨拋光領域憑借其獨特的物理化學性能，正逐步替代傳統(tǒng)陶瓷，成為高端工業(yè)應用的關鍵選擇。海合精密陶瓷有限公司通...

2026-01-20 標簽：氮化硅 381 0

深圳爭妍微電子獲2025年度全國鄉(xiāng)村振興先進單位殊榮

近日，2026中央和國家機關老干部新春聯(lián)誼會暨全國鄉(xiāng)村振興年度頒獎晚會隆重舉行，現(xiàn)場星光熠熠、暖意融融，匯聚了各界助力鄉(xiāng)村振興的標桿企業(yè)與先進個人。深圳...

2025-12-29 標簽：可控硅IGBTMOS 1.2k 0

第十八屆中國工業(yè)論壇，爭妍微電子斬獲“中國制造消費者信賴品牌”李學會：以創(chuàng)新筑品，共推半導體國產

2025年12月，第十八屆中國工業(yè)論壇與第三屆消費者信賴品牌盛典大會在北京同期舉辦。大會以“融合創(chuàng)新 工業(yè)當強”為主題，中國工業(yè)報社社長徐金寶、原工信部...

2025-12-19 標簽：MOSFET可控硅快恢復二極管 2k 0

熱壓燒結氮化硅陶瓷手指：半導體封裝的性能突破

半導體封裝作為集成電路制造的關鍵環(huán)節(jié)，對材料性能要求極為苛刻，尤其是在高溫、高應力及精密操作環(huán)境中。熱壓燒結氮化硅陶瓷手指作為一種專用工具，以其獨特的物...

2025-12-21 標簽：半導體封裝燒結工藝氮化硅 1.9k 0

氮化硅陶瓷精密定位板：真空千小時耐用的電子封裝核心部件

在高端電子封裝領域，精密定位板需在極端環(huán)境中保持長期穩(wěn)定，尤其是在真空或惰性氣氛中連續(xù)工作1000小時以上。氮化硅陶瓷憑借其獨特的物理化學性能，成為這一...

2025-12-04 標簽：定位電子封裝氮化硅 791 0

高抗彎強度氮化硅陶瓷晶圓搬運臂解析

熱壓燒結氮化硅陶瓷晶圓搬運臂是半導體潔凈室自動化中的關鍵部件，其高抗彎強度范圍在600至1000兆帕，確保了在高速、高精度晶圓處理過程中的可靠性和耐久性...

2025-11-23 標簽：晶圓氮化硅 2.4k 0

氮化硅陶瓷微波諧振腔基座分析

氮化硅陶瓷因其獨特的物理化學性能，已成為高精度微波諧振腔基座的理想材料。以下將從材料性能、對比分析、制造工藝及工業(yè)應用四個方面進行闡述。 ? 氮化硅陶瓷...

2025-08-25 標簽：微波諧振腔氮化硅 1k 0

氮化硅陶瓷高頻電路絕緣環(huán)性能

氮化硅陶瓷高頻電路絕緣環(huán)：各向同性微觀結構保障性能一致性 在高頻電子設備（如雷達、通信基站、功率放大器）中，絕緣環(huán)承擔著關鍵的電絕緣、機械支撐及散熱通道...

2025-08-06 標簽：高頻電路氮化硅 1.1k 0

氮化硅陶瓷封裝基片

氮化硅陶瓷基片：高頻電磁場封裝的關鍵材料 氮化硅陶瓷基片在高頻電子封裝領域扮演著至關重要的角色。其獨特的高電阻率與低介電損耗特性，有效解決了高頻電磁場環(huán)...

2025-08-05 標簽：陶瓷基板氮化硅 1.5k 0

氮化硅陶瓷基板：新能源汽車電力電子的散熱革新

在新能源汽車快速發(fā)展的今天，電力電子系統(tǒng)的性能提升已成為行業(yè)競爭的關鍵。作為核心散熱材料的 陶瓷基板 ，其技術演進直接影響著整車的能效和可靠性。在眾多陶...

2025-08-02 標簽：新能源汽車陶瓷基板氮化硅 4.7k 0

氮化硅陶瓷逆變器散熱基板：性能、對比與制造

氮化硅(Si?N?)陶瓷以其卓越的綜合性能，成為現(xiàn)代大功率電子器件（如IGBT/SiC模塊）散熱基板的理想候選材料。

2025-07-25 標簽：逆變器散熱基板氮化硅 2.3k 0