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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN 提高了功率轉(zhuǎn)換級(jí)的效率，使其成為制造高效電壓轉(zhuǎn)換器中硅的可行替代品。與硅相比，GaN 具有許多優(yōu)勢，包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...
傳統(tǒng)上，半導(dǎo)體生產(chǎn)中最常用的材料是硅 (Si)，因?yàn)樗馁Y源豐富且價(jià)格實(shí)惠。然而，半導(dǎo)體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)都提供額外的好處...
氮化鎵是未來節(jié)能電動(dòng)汽車和 5G 網(wǎng)絡(luò)的關(guān)鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學(xué)的初創(chuàng)公司，正在瑞典研究機(jī)構(gòu)Rise 測試平臺(tái) ProNano開發(fā)...
2022-07-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車半導(dǎo)體氮化鎵 890 0
碳化硅和氮化鎵等寬帶隙半導(dǎo)體推動(dòng)汽車電氣化
碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導(dǎo)體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動(dòng)力和全電動(dòng)汽車的性能。 現(xiàn)在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...
2022-07-29 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵碳化硅 1k 0
在設(shè)計(jì)基于氮化鎵的轉(zhuǎn)換器七年后，我們可以肯定地說，從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉(zhuǎn)換是一個(gè)革命性事件，其規(guī)?？膳c 70 年代后期的功率 MOS...
2022-08-01 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體氮化鎵 1.1k 0
氮化鎵已成為事實(shí)上的第三代半導(dǎo)體材料。然而，以您需要的質(zhì)量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰(zhàn)。
飛宏新推出的適配器采用Transphorm的氮化鎵技術(shù)
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產(chǎn)品和電動(dòng)...
2022-07-29 標(biāo)簽：適配器氮化鎵Transphorm 1.2k 0
Anker推出GaNPrime全氮化鎵系統(tǒng)與產(chǎn)品
“全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個(gè)新產(chǎn)品，包括四個(gè)充電器、兩個(gè)移動(dòng)電源和一個(gè)插座，屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列，進(jìn)一步滿足消費(fèi)者多樣化的充電需求。
不久前，SiC和GaN器件的應(yīng)用還被認(rèn)為是困難的，但到了2018年，這些技術(shù)的優(yōu)勢開始被應(yīng)用到現(xiàn)實(shí)生活中。這項(xiàng)新技術(shù)成功背后的原因是什么？ SiC 和 ...
軍用、航空系統(tǒng)從 GaN 和 SiC 功率器件中獲得巨大提升
現(xiàn)在，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 的寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體材料滿足了軍事和航空航天系統(tǒng)對(duì)更高功率密度和改進(jìn)冷卻的巨大需求，這讓這兩個(gè)行...
2022-07-28 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅軍事應(yīng)用 4.5k 0
每個(gè)世紀(jì)在人類努力的各個(gè)領(lǐng)域都有其重大發(fā)明。對(duì)于電力電子而言，21世紀(jì)正在加速發(fā)現(xiàn)寬帶隙。在過去的二十年里，研究人員和大學(xué)已經(jīng)對(duì)幾種寬帶隙材料進(jìn)行了試驗(yàn)...
我們發(fā)現(xiàn)機(jī)架式電源對(duì)電信服務(wù)器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場中，他們只需要越來越高的效率，所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過 90%，這讓您進(jìn)入鈦...
氮化鎵 （GaN） 繼續(xù)其接管宇宙光譜的使命。GaN 的長期存在并未結(jié)束，它憑借其功率晶體管進(jìn)入太空，這是支持極端太空任務(wù)的電源和射頻應(yīng)用的理想選擇。E...
氮化鎵 (GaN) 解決方案的集成將使您擁有更小、功率更大的外殼。OPPO 宣布全面采用 Navitas Semiconductor 的 GaN (Ga...
WiBotic是一家設(shè)計(jì)和制造無人機(jī)和機(jī)器人電池充電解決方案的公司，獲得了投資者的信任。這家成立 4 年的初創(chuàng)公司已獲得 570 萬美元的 A 輪融資。...
2022-07-27 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器機(jī)器人氮化鎵 2.5k 0
由于其化學(xué)物理特性和高度可靠的制造工藝，硅 （Si） 多年來一直是制造無源和有源電子元件最常用的半導(dǎo)體。MOSFET 和 IGBT 技術(shù)的引入也使得 S...
在1:5CW轉(zhuǎn)換器中具有N相和分相時(shí)鐘的GaN FET開關(guān)
本文將討論三個(gè)貢獻(xiàn)。它將通過對(duì) N 相切換和分相切換方案進(jìn)行比較并突出它們的優(yōu)勢來初步分析它們。對(duì)于小負(fù)載，N 相方案效率更高，而分相方案適用于較重的負(fù)...
2022-07-26 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器電感器氮化鎵 875 0
下一代GaN功率IC可以共同集成肖特基二極管和耗盡型HEMT
納米電子和數(shù)字技術(shù)研究與創(chuàng)新中心 Imec 在 2021 年國際電子器件會(huì)議（IEEE IEDM 2021）上展示了其最新研究成果。通過在基于 p 型氮...
數(shù)據(jù)中心鈦基準(zhǔn)性能優(yōu)于基于GaN的3kW AC/DC PSU
數(shù)據(jù)中心中數(shù)量龐大且不斷增加的服務(wù)器，每個(gè)都配備中央處理單元 （CPU）、圖形處理單元 （GPU） 和能夠存儲(chǔ)大量數(shù)據(jù)的內(nèi)存，因此需要增加功率。為了支持...
2022-07-25 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵GaN 2.2k 0
5G服務(wù)耗電巨大，氮化鎵（GaN）技術(shù)來幫忙！
實(shí)際上，似乎某些運(yùn)營商正在考慮將收發(fā)器的數(shù)量減少到32T32R，甚至到16T16R，從而減小網(wǎng)絡(luò)容量，以降低不斷增加的功率需求。這在一定程度上是出于緩解...
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