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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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第三族氮化物已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測(cè)器和場(chǎng)發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要,因?yàn)樗鼈兙哂挟惓8叩逆I能。綜述了近年來(lái)針對(duì)這...
GaN激光雷達(dá)普及加速 | 氮化鎵技術(shù)如何推動(dòng)ToF激光雷達(dá)產(chǎn)業(yè)的加速發(fā)展?
激光雷達(dá)主要是由激光發(fā)射器、接收器、處理器以及激光操控模組這四個(gè)模塊構(gòu)成。使用激光雷達(dá)測(cè)距,多用飛行時(shí)間法(TOF)。
氮化鎵適配器充電擴(kuò)展塢:65W快充支持Switch投屏
氮化鎵三孔設(shè)計(jì):分別為功率65w全功能TYPE-C口,5W功率USB3.0口以及4K的HDMI口, 此氮化鎵擁有擴(kuò)展塢功能卻并無(wú)HUB驅(qū)動(dòng)芯片,C口到H...
Wise-integration與益登科技針對(duì)GaN IC電源半導(dǎo)體產(chǎn)品的推廣展開渠道合作
益登科技與Wise-integration的策略合作將著重于利用Wise-integration的GaN功率晶體管和數(shù)字控制能力,并與益登科技在亞洲地區(qū)...
通過(guò)熱增強(qiáng)提高氮化鎵的濕蝕刻速率報(bào)告
通過(guò)增加過(guò)硫酸鹽(S2O82-)離子溶液的溫度和254n波長(zhǎng)紫外線(UVC)暴露,硫酸鎵(氮化鎵)的非接觸光電化學(xué)(CL-PEC(UVC)(Horiki...
多賽道共同發(fā)展的氮化鎵,成為5G發(fā)展的關(guān)鍵!
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))近年來(lái)氮化鎵技術(shù)可謂是站在了發(fā)展的上風(fēng)口,各類相關(guān)應(yīng)用在國(guó)內(nèi)政策的大力扶持下遍地開花。氮化鎵同時(shí)涵蓋了射頻與功率領(lǐng)域,具有耐...
CNBC專訪納微半導(dǎo)體:全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心展望及新聞稿
美西時(shí)間2月4日,納微半導(dǎo)體再次接受CNBC專訪。CEO Gene Sheridan在采訪中表示,電動(dòng)汽車是納微下一個(gè)目標(biāo)市場(chǎng)。
2022-02-08 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵功率芯片 1.6k 0
氮化鎵快充進(jìn)入200W時(shí)代!大功率充電方案揭秘!
電子發(fā)燒友報(bào)道(文/李誠(chéng))隨著硅基氮化鎵成本的下探,65W氮化鎵快充已成為眾多手機(jī)的入門級(jí)標(biāo)配。氮化鎵技術(shù)的普及,使得原本臃腫的充電器變得更輕便小巧,在...
這幾年第三代半導(dǎo)體異?;馃幔瑖?guó)內(nèi)外很多半導(dǎo)體企業(yè)都涌入其中。根據(jù)Yole的數(shù)據(jù),2020年,GaN功率器件市場(chǎng)規(guī)模為4600萬(wàn)美元,相比2019年增長(zhǎng)了...
回顧2021年國(guó)內(nèi)外氮化鎵產(chǎn)業(yè)的重大事件
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限,成為了市場(chǎng)的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類電子市場(chǎng)快速起量的同時(shí),還在...
群雄逐鹿!2021 GaN產(chǎn)業(yè)熱門事件盤點(diǎn)
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/李誠(chéng))高頻、高功率密度、低損耗的氮化鎵突破了傳統(tǒng)硅材料的物理極限,成為了市場(chǎng)的寵兒。如今氮化鎵在消費(fèi)類電子市場(chǎng)快速起量的同時(shí),還在...
納微半導(dǎo)體新一代氮化鎵功率芯片全力支持vivo旗下iQOO子品牌iQOO 9 Pro手機(jī)120W氮化鎵充電器成功上市
2022年1月18日,納微半導(dǎo)體正式宣布,其新一代增加GaNSense技術(shù)的智能GaNFast氮化鎵功率芯片已用于vivo公司旗下iQOO子品牌iQOO...
納微半導(dǎo)體成立全球首家針對(duì)電動(dòng)汽車的氮化鎵功率芯片設(shè)計(jì)中心
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快,駕駛距離更遠(yuǎn)的電動(dòng)汽車普及提前三年來(lái)到,并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-01-14 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵功率芯片 1.6k 0
納微半導(dǎo)體下一代氮化鎵功率芯片全力支持OPPO Reno7 Pro英雄聯(lián)盟手游限定版50W餅干充電器成功發(fā)布
氮化鎵是下一代功率半導(dǎo)體技術(shù),運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅快20倍,和傳統(tǒng)硅充電器相比,氮化鎵充電器在一半的尺寸和重量下,能實(shí)現(xiàn)3倍功率或3倍的充電速度。
2022-01-12 標(biāo)簽:充電器氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.4k 0
大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案
NCP51561是onsemi推出的一款高壓隔離型雙通道門極驅(qū)動(dòng)器,具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。該新器件適用于硅功率MOSFET和基于SiC...
2022-01-05 標(biāo)簽:氮化鎵工業(yè)電源大聯(lián)大世平 1.1k 0
全面分析氮化鎵的誕生、產(chǎn)業(yè)發(fā)展和未來(lái)突破
越來(lái)越多的人在使用手機(jī)快充充電器的時(shí)候可能不經(jīng)意間會(huì)發(fā)現(xiàn)氮化鎵(GaN)這個(gè)專業(yè)名詞,實(shí)際上,正是“氮化鎵”這一第三代半導(dǎo)體材料的技術(shù)突破,讓第三代半導(dǎo)...
納微半導(dǎo)體誠(chéng)邀您參與 2022 年 CES ,參與特斯拉抽獎(jiǎng)
在即將召開的 2022 年的CES上,氮化鎵 (GaN) 功率芯片的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克交易代碼:NVTS)將展示其業(yè)務(wù)拓展計(jì)劃,其業(yè)務(wù)范圍將...
2021-12-30 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車特斯拉氮化鎵 947 0
納微氮化鎵功率芯片助力 Dell Latitude 系列筆記本電腦實(shí)現(xiàn)快充
氮化鎵 (GaN) 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NVTS)宣布,戴爾已采用納微 GaNFast 氮化鎵功率芯片為其 Latitude 9...
2021-12-30 標(biāo)簽:氮化鎵納微半導(dǎo)體 1.9k 0
第16屆“中國(guó)芯”-寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)成功舉辦
大會(huì)同期舉辦了面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體領(lǐng)域的“寬禁帶半導(dǎo)體助力碳中和發(fā)展峰會(huì)”。峰會(huì)以“創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用,推動(dòng)后摩爾時(shí)代發(fā)展”為主題,邀請(qǐng)了英諾賽科科技有限公司、蘇...
GaN Systems公司和合作伙伴應(yīng)對(duì)零排放挑戰(zhàn)
氮化鎵(GaN)功率半導(dǎo)體的全球領(lǐng)導(dǎo)者GaN Systems 公司今天宣布,其合作伙伴的生態(tài)系統(tǒng)不斷壯大,通過(guò)加速全球可持續(xù)發(fā)展和清潔技術(shù)革命,應(yīng)對(duì)凈零...
2021-12-21 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器氮化鎵 938 0
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