氮化鎵有什么用_氮化鎵的合成方法

氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

2020-11-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 7.9k 0

SuperTank Pro雙十一斬獲亮眼成績(jī)！征拓100W產(chǎn)品戰(zhàn)略大獲成功

SuperTank系列接連兩款產(chǎn)品傲視群雄，亮眼成績(jī)證明，Zendure征拓有搶占高性能移動(dòng)電源市場(chǎng)的制勝邏輯。

2020-11-13 標(biāo)簽：充電器電池技術(shù)氮化鎵 1.1k 0

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出100V ~ 200V產(chǎn)品系列的EPC2059氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EP...

2020-11-13 標(biāo)簽：適配器服務(wù)器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 2.2k 0

TI推出其首款帶集成驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)部保護(hù)和有源電源管理的車用GaN FET

德州儀器高壓電源解決方案副總裁Steve Lambouses表示：“工業(yè)和汽車應(yīng)用日益需要在更小的空間內(nèi)提供更多的電力，設(shè)計(jì)人員必須提供能在終端設(shè)備長(zhǎng)久...

2020-11-11 標(biāo)簽：電源管理德州儀器場(chǎng)效應(yīng)晶體管 1.1k 0

電友X21氮化鎵充電器

現(xiàn)在手機(jī)的充電速度越來(lái)越快，同時(shí)配套充電器的體積也越來(lái)越大，好在氮化鎵充電器逐漸普及，大大縮小了充電器的體積，而且適用范圍也越來(lái)越廣，隨著技術(shù)的成熟，今...

2020-11-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵快充技術(shù) 3k 0

90W氮化鎵充電器今日上市,30分鐘即可充滿5000mAh

這款90W氮化鎵充電器采用“第三代半導(dǎo)體氮化鎵技術(shù)”，有著更加出色的擊穿能力，更高的電子遷移率和電子密度。有效降低了導(dǎo)阻帶來(lái)的發(fā)熱量，最終呈現(xiàn)出高效率和...

2020-11-05 標(biāo)簽：充電器氮化鎵 5.2k 0

隨著器件功耗的增加，氮化鎵技術(shù)正走向成熟

目前常用的解決方案包括使用硅基超結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SJMOSFET）來(lái)調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換并向電池充電。它的尺寸大約為18英寸×25英寸，重量大概1...

2020-11-05 標(biāo)簽：電機(jī)驅(qū)動(dòng)氮化鎵工業(yè)電源 1.9k 0

江蘇蘇州英諾賽科氮化鎵項(xiàng)目傳來(lái)新進(jìn)展

此外，英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司副總經(jīng)理王培仁表示，按照規(guī)劃，項(xiàng)目開工兩年內(nèi)將建成8英寸第三代化合物半導(dǎo)體硅基氮化鎵大規(guī)模量產(chǎn)線，投產(chǎn)后三年將實(shí)現(xiàn)年...

2020-11-05 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體功率器件 5.3k 0

世界首個(gè)嵌入硅基半橋驅(qū)動(dòng)芯片和一對(duì)氮化鎵晶體管的MasterGaN產(chǎn)品平臺(tái)

ST獨(dú)有的MasterGaN產(chǎn)品平臺(tái)是基于我們的經(jīng)過(guò)市場(chǎng)檢驗(yàn)的專業(yè)知識(shí)和設(shè)計(jì)能力，整合高壓智能功率BCD工藝與GaN技術(shù)而成，能夠加快節(jié)省空間、高能效的...

2020-11-02 標(biāo)簽：晶體管氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 2.7k 0

戴爾推出旗下首款 90W 氮化鎵 PD 充電器

根據(jù)充電頭網(wǎng)的消息，戴爾現(xiàn)已推出了旗下首款 90W 氮化鎵 PD 充電器，配備了三腳插頭，支持 90W PD 快充，還有一個(gè) USB-A 接口，支持 5...

2020-11-01 標(biāo)簽：充電器戴爾PD 3.9k 0

InnoSwitch IC銷量突破10億顆! Power Integrations繼續(xù)保持良好勢(shì)頭

InnoSwitch器件體現(xiàn)了Power Integrations的承諾，那就是：在實(shí)現(xiàn)技術(shù)上行業(yè)率先創(chuàng)新的同時(shí)，降低能耗并減少電子制造中有害物質(zhì)的使用。

2020-10-26 標(biāo)簽：服務(wù)器Power氮化鎵 959 0

氮化鎵與硅相比有何優(yōu)勢(shì)?

晶體管的高速度、低電阻率和低飽和開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)意味著它們有望在電力電子學(xué)中找到許多應(yīng)用案例。因此，工業(yè)界正在研究新的電力電子系統(tǒng)結(jié)構(gòu)、電路拓?fù)浜头庋b解決方案...

2020-10-22 標(biāo)簽：電源晶體管氮化鎵 1.6萬(wàn) 0

全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成

近日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工廠正式...

2020-10-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3.3k 0

2020年氮化鎵半導(dǎo)體材料行業(yè)研究報(bào)告

據(jù)Yole估計(jì)，在0~900V的低壓市場(chǎng)，GaN潛在市場(chǎng)約為105 億美元； 2019年全球GaN元件市場(chǎng)規(guī)模為5.6億美元，預(yù)計(jì)2022年將達(dá)12億美...

2020-10-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4.6k 0

全球最大氮化鎵工廠正式建設(shè)完成！

9月19日，英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地舉行設(shè)備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導(dǎo)體基地開始由廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，標(biāo)志著全球最大氮化鎵工...

2020-09-27 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 4.5k 0

淺談Sub-6 GHz和毫米波技術(shù)

MIMO代表“多輸入多輸出”，是一種用于無(wú)線通信的天線技術(shù)，它使用多個(gè)天線來(lái)發(fā)送和接收信號(hào)。

2021-02-12 標(biāo)簽：接收器無(wú)線通信RF 5.4k 0

GaN（氮化鎵）——支持60W PD快充的雙口充電器

對(duì)于經(jīng)常有出差需求的筆者來(lái)說(shuō)，Macbook是必須隨身攜帶的，至于手機(jī)自然也是不可或缺的機(jī)不離身，有時(shí)還會(huì)擔(dān)心行程時(shí)間太久遠(yuǎn)，帶上HiFi播放器一路上聽...

2021-01-24 標(biāo)簽：充電器macbook氮化鎵 3.1k 0

德州儀器高度集成GaN解決方案可優(yōu)化成本和功耗

當(dāng)我們?yōu)殡妱?dòng)汽車（EV）電源管理技術(shù)發(fā)明更高效的集成電路，我們的客戶就可以設(shè)計(jì)出更高效、更經(jīng)濟(jì)實(shí)用的汽車，進(jìn)而減少?gòu)U氣排放，保護(hù)環(huán)境。 許多駕駛員因里程...

2021-01-05 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車控制器氮化鎵 1.8k 0

宜普電源轉(zhuǎn)換公司推出兩款100V eGaN FET，為業(yè)界樹立全新性能基準(zhǔn)

EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導(dǎo)通電阻降低了接近20...

2020-09-24 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵激光雷達(dá) 1.6k 0