Power Integrations推出LYTSwitch-6系列安全隔離型LED驅(qū)動器IC的最新成員

基于PowiGaN的LYT6078C IC集成了一個750V功率開關(guān)，可提供高達(dá)90W的無閃爍輸出，同系列的其他器件可提供高達(dá)110W的無閃爍輸出。包括...

2020-09-22 標(biāo)簽：驅(qū)動器功率開關(guān)氮化鎵 2.4k 0

德州儀器：更少功耗，完成更多任務(wù)

我們當(dāng)前的環(huán)境與通過技術(shù)來實(shí)現(xiàn)的彼此之間的可訪問性息息相關(guān)。想象一下你每天多么依賴筆記本電腦和智能手機(jī)，以及通過云服務(wù)器實(shí)現(xiàn)的視頻會議應(yīng)用。這些都需要更...

2020-09-22 標(biāo)簽：德州儀器氮化鎵云服務(wù)器 827 0

Power Integrations推出適合智能照明應(yīng)用的新款LYT6078C驅(qū)動器IC

LYT6078C的性能優(yōu)勢在新的設(shè)計報告（DER-920）中得到了充分體現(xiàn)，該報告詳細(xì)介紹了使用PFC升壓級外加隔離反激拓?fù)浼壍膬杉壙烧{(diào)光LED鎮(zhèn)流器設(shè)計。

2020-09-19 標(biāo)簽：led驅(qū)動器IC鎮(zhèn)流器 1.5k 1

科銳推進(jìn)建造全球最大SiC器件制造工廠和擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

科銳目前正在美國紐約州Marcy建造全球最大的碳化硅 （SiC） 制造工廠。這一全新的、采用領(lǐng)先前沿技術(shù)的功率和射頻制造工廠將滿足車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)和200mm工藝。

2020-08-31 標(biāo)簽：氮化鎵科銳半導(dǎo)體制造 1.4k 0

投資4億元的寬禁帶工程研究中心，研發(fā)成果有哪些？

在材料方面，除了硅基，第三代寬禁帶半導(dǎo)體是這幾年的熱門技術(shù)，我國除了在硅基方面進(jìn)行追趕外，在第三代半導(dǎo)體方面也做了很多投入，有了不少的創(chuàng)新研究。國家總共...

2020-08-17 標(biāo)簽：射頻氮化鎵碳化硅 2.0萬 1

安世半導(dǎo)體做客唯樣直播間！高產(chǎn)能巨無霸養(yǎng)成記首度公開！

汽車、5G、工業(yè)及電源、物聯(lián)網(wǎng)、移動可穿戴設(shè)備、消費(fèi)類電子、計算機(jī)等領(lǐng)域，世界上幾乎所有相關(guān)的電子產(chǎn)品設(shè)計都采用Nexperia的器件。

2020-08-10 標(biāo)簽：氮化鎵電子設(shè)計安世半導(dǎo)體 3.2k 0

5G基站電源設(shè)計面臨的挑戰(zhàn)及優(yōu)化策略

可是最近的一篇報道，引起了人們對5G基站能源消耗的關(guān)注。新聞的內(nèi)容是為了減少能耗，節(jié)約電費(fèi)，中國聯(lián)通在洛陽某地的5G基站在每天21點(diǎn)到次日9點(diǎn)就將關(guān)閉。...

2020-08-07 標(biāo)簽：電源氮化鎵功率密度 1.3萬 0

解析連接器半導(dǎo)體材料之氮化鎵（GaN）篇

半導(dǎo)體材料（semiconductor material）是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)...

2020-08-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體連接器氮化鎵 3.6k 0

納微氮化鎵器件助力OPPO新一代快充

OPPO作為快充行業(yè)的先行者，一直引領(lǐng)著智能手機(jī)的快充市場，最早期的VOOC閃充“充電五分鐘，通話兩小時”深入人心，演進(jìn)自SuperVOOC架構(gòu)的125...

2020-07-31 標(biāo)簽：OPPO氮化鎵超級閃充 1.6k 0

賀利氏專家等你來撩，直播探討應(yīng)用于5G產(chǎn)品的SiP封裝材料

SIP WEBINAR 系統(tǒng)級封裝線上研討會第三期開播在即，行業(yè)知名系統(tǒng)級封裝大會自2020年5月，推出第一期SiP Webinar以來便受到行業(yè)內(nèi)人士...

2020-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵5Gsip封裝 4.3k 0

Soitec將EpiGaN N.V更名為Soitec Belgium N.V. ，拓展用于5G射頻和功率系統(tǒng)產(chǎn)品組合

中國 / 法國貝寧，2020年7月14日創(chuàng)新半導(dǎo)體材料設(shè)計和生產(chǎn)的全球領(lǐng)軍企業(yè)，法國Soitec半導(dǎo)體公司近日宣布將EpiGaN N.V更名為Soite...

2020-07-14 標(biāo)簽：射頻氮化鎵5G 1.6k 0

三安集成：6英寸車規(guī)級碳化硅產(chǎn)品線預(yù)計在2021年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

葉念慈介紹了三安集成可以提供的主要產(chǎn)品和解決方案；本次慕尼黑上海電子展上重點(diǎn)展示的產(chǎn)品和服務(wù)；SiC等第三代半導(dǎo)體技術(shù)在汽車上的應(yīng)用情況，以及三安集成在...

2020-07-13 標(biāo)簽：氮化鎵射頻芯片碳化硅 1.6萬 0

可協(xié)助5G發(fā)展的技術(shù) 激子行為

據(jù)俄科院西伯利亞分院網(wǎng)站報道，該分院計算數(shù)學(xué)、數(shù)學(xué)地質(zhì)物理所、半導(dǎo)體物理所會同德國保羅—德魯?shù)鹿虘B(tài)電子學(xué)研究所（柏林）的聯(lián)合科研團(tuán)隊計算了激子（一種準(zhǔn)粒...

2020-07-09 標(biāo)簽：氮化鎵5G 543 0

氮化鎵發(fā)展深度評估

從研發(fā)到商業(yè)化應(yīng)用，氮化鎵的發(fā)展是當(dāng)下的顛覆性技術(shù)創(chuàng)新，其影響波及了現(xiàn)今整個微波和射頻行業(yè)。氮化鎵對眾多射頻應(yīng)用的系統(tǒng)性能、尺寸及重量產(chǎn)生了明確而深刻的...

2020-07-06 標(biāo)簽：氮化鎵 2.2k 0

安世半導(dǎo)體2020年首發(fā)氮化鎵新品，透露了哪些信息？

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃晶晶）最近，聞泰科技發(fā)布公告稱將進(jìn)一步收購安世剩余股權(quán)，并將增資為安世半導(dǎo)體進(jìn)行工藝升級等項目。而在年初，安世半導(dǎo)體也任命了張學(xué)...

2020-06-17 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵安世半導(dǎo)體 1.0萬 0