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      標(biāo)簽　>　碳化硅

      碳化硅

      碳化硅

      +關(guān)注26人關(guān)注

      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

      文章：3004個 瀏覽：52707次 帖子：39個

      碳化硅技術(shù)

      納微半導(dǎo)體3.3kV碳化硅MOSFETs如何變革并網(wǎng)儲能方式

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      電網(wǎng)通過輸電和配電網(wǎng)絡(luò)從發(fā)電機向用戶提供電能。在美國，由于儲能成本高昂并且設(shè)計和運營經(jīng)驗有限，利用電力儲存來支持和優(yōu)化輸配電一直受到限制。

      2023-09-15 標(biāo)簽：MOSFET逆變器碳化硅 1.9k 0

      碳化硅MOSFET的可靠有效控制

      碳化硅MOSFET的可靠有效控制

      對基于碳化硅 (SiC) 的系統(tǒng)的需求持續(xù)快速增長，以最大限度地提高效率并減小尺寸和重量，從而使工程師能夠創(chuàng)建創(chuàng)新的電源解決方案。利用 SiC 技術(shù)的應(yīng)...

      2022-08-08 標(biāo)簽：MOSFETSiC碳化硅 1.9k 0

      車載充電器材料選擇比較

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      車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實現(xiàn)電動汽車充電。隨著每年上市的...

      2024-11-07 標(biāo)簽：電動汽車IGBT碳化硅 1.9k 0

      碳化硅肖特基二極管的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

      在當(dāng)今快速發(fā)展的電力電子領(lǐng)域，碳化硅（SiC）材料因其出色的物理性能而備受關(guān)注。作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，碳化硅在制造高效、高溫和高速的電子器件方面具有...

      2023-12-29 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 1.9k 0

      淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

      淺談碳化硅功率器件的封裝技術(shù)

      SiC作為第三代半導(dǎo)體材料具有優(yōu)越的性能，相比于前兩代半導(dǎo)體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強等特點，...

      2023-06-28 標(biāo)簽：封裝功率器件SiC 1.9k 0

      功率晶體管的歷史和新興設(shè)計

      到20世紀(jì)中葉，電力已然在人們的生活中發(fā)揮著重要作用。愛迪生發(fā)明的電燈通過照亮街道、工廠和住宅，提高了生產(chǎn)力、生活質(zhì)量和安全性;通過高效電機實現(xiàn)的制冷，...

      2022-12-08 標(biāo)簽：MOSFET晶體管SiC 1.9k 0

      APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

      APEX微技術(shù)發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

      SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

      2023-04-27 標(biāo)簽：MOSFET電源模塊SiC 1.9k 0

      碳化硅功率器件在儲能領(lǐng)域的應(yīng)用示例

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      碳化硅功率器件目前被廣泛用于電源、用于電池充電和牽引驅(qū)動的電池電動汽車（BEV）電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電機驅(qū)動以及太陽能和風(fēng)力發(fā)電逆變器等可再生能源發(fā)電系統(tǒng)等應(yīng)...

      2023-12-03 標(biāo)簽：太陽能功率器件SiC 1.9k 0

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      功率器件熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還...

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      一種基于實際頻率測量的多頻方法來構(gòu)建復(fù)頻率光波

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      超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實現(xiàn)特征成像。

      2023-08-31 標(biāo)簽：傳感器衰減器SiC 1.9k 0

      SiC MOSFET在光伏逆變器的應(yīng)用

      SiC MOSFET在光伏逆變器的應(yīng)用

      光伏逆變器是將太陽能光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備。

      2023-11-15 標(biāo)簽：MOSFET光伏光伏逆變器 1.8k 0

      氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案

      氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案

      摘要隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料SiC碳化硅因其優(yōu)異的物理和電學(xué)性能，在IGBT單管等高性能器件中得到了廣泛應(yīng)用。絕緣方案作為影響SiC...

      2026-03-07 標(biāo)簽：IGBT功率器件SiC 1.8k 0

      汽車直流充電樁設(shè)計圖

      汽車直流充電樁設(shè)計圖

      傳統(tǒng)汽車行業(yè)的智能化、電動化趨勢帶來了充電樁產(chǎn)品的爆發(fā)式增長，但同時大功率化、雙向充電以及更高更寬的輸出電壓范圍也成了充電樁的技術(shù)挑戰(zhàn)。

      2023-11-13 標(biāo)簽：MOSFET元器件MOS 1.8k 0

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      SiC半導(dǎo)體產(chǎn)品如何實現(xiàn)高質(zhì)量和高可靠性

      從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導(dǎo)體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設(shè)備的核心。從醫(yī)療設(shè)備和可再生能源基礎(chǔ)設(shè)施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們...

      2024-11-30 標(biāo)簽：二極管MOSFET半導(dǎo)體 1.8k 0

      碳化硅mos管在進(jìn)行并聯(lián)操作時需注意的事項有哪些？

      技術(shù)人員在進(jìn)行碳化硅MOSFET的并聯(lián)操作時，通常需要采取一些措施保障來處理可能會出現(xiàn)的問題。

      2023-12-06 標(biāo)簽：MOSFET驅(qū)動器散熱器 1.8k 0

      SiC MOSFET發(fā)展趨勢與解決方案

      SiC MOSFET發(fā)展趨勢與解決方案

      毫無疑問，所謂的第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅正在發(fā)揮其眾所周知的潛力，在過去五年中，汽車行業(yè)一直是該材料的公開試驗場?；?SiC 的傳動系統(tǒng)逆變器——將來...

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      淺談電動汽車中的碳化硅應(yīng)用

      隨著技術(shù)的發(fā)展，電動汽車對電力電子功率驅(qū)動等系統(tǒng)提出了更高的要求，即更輕、更緊湊、更高效、更可靠等，但是傳統(tǒng)的硅基功率器件由于材料的限制，其各方面的特性...

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      SiC二極管在大功率電源上的應(yīng)用

      SiC（碳化硅）二極管在大功率電源上的應(yīng)用，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的一項重要技術(shù)革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩(wěn)定性以及優(yōu)越的電氣特性，在多個大功...

      2024-09-10 標(biāo)簽：二極管SiC碳化硅 1.8k 0

      碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢

      碳化硅在光伏領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢

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      使用碳化硅進(jìn)行雙向車載充電機設(shè)計

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      2022-11-10 標(biāo)簽：電動汽車碳化硅車載充電機 1.8k 0

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        Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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        華星光電
        +關(guān)注
        深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來單筆投資額最大的工業(yè)項目，也是深圳市政府重點推動的項目。
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        Cortex-A
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