完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
文章:3004個 瀏覽:52705次 帖子:39個
SiC碳化硅三電平光伏逆變器共模電壓抑制:基于極速開關(guān)特性優(yōu)化的PWM諧波消除
全SiC碳化硅三電平光伏逆變器共模電壓抑制:基于極速開關(guān)特性優(yōu)化的PWM諧波消除與電磁兼容策略 引言 在全球能源結(jié)構(gòu)向低碳化、清潔化與高度電氣化轉(zhuǎn)型的宏...
專為將導(dǎo)通損耗降至較低而設(shè)計的800V+N型碳化硅MOSFET
“超節(jié)功率MOS管”應(yīng)為?超結(jié)功率MOS管?(Super Junction MOSFET),是一種專為高壓大功率應(yīng)用優(yōu)化的功率半導(dǎo)體器件。其核心創(chuàng)新在于...
泰科天潤打造成型高壓SiC MOSFET產(chǎn)品系列
今年以來,泰科天潤成功研制并全面推出高電壓碳化硅(SiC)MOSFET全系列器件,實現(xiàn)高壓碳化硅高性能、矩陣化布局的全面拓展。電壓平臺全面覆蓋2000V...
碳化硅固態(tài)斷路器(SSCB):微秒級 di/dt 異常識別與無弧開斷
傾佳楊茜-死磕固斷-碳化硅固態(tài)斷路器(SSCB)極速關(guān)斷邏輯深度解析:微秒級 di/dt 異常識別與無弧開斷技術(shù) 1. 直流微電網(wǎng)保護的物理瓶頸與固態(tài)斷...
浮思特 | 至信微650V SiC JFET發(fā)布:高效電源設(shè)計迎來新選擇
隨著新能源、AI服務(wù)器、快充設(shè)備等應(yīng)用快速發(fā)展,電源系統(tǒng)對于“高效率、高功率密度、低損耗”的要求正在不斷提高。傳統(tǒng)硅基功率器件雖然已經(jīng)十分成熟,但在高頻...
1400V碳化硅模塊在ANPC三電平2000V母線DC-DC變換器中的戰(zhàn)略價值
1400V碳化硅模塊BASiC-BMF004MR14E2B3在ANPC三電平2000V母線DC-DC變換器中的戰(zhàn)略價值與技術(shù)分析 大功率高壓直流母線架構(gòu)...
1400V碳化硅SiC功率模塊在三相四線制工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用潛力
BASiC-BMF004MR14E2B3碳化硅1400V功率模塊在三相四線制工商業(yè)儲能PCS中的應(yīng)用潛力研究報告 1. 產(chǎn)業(yè)技術(shù)演進與工商業(yè)儲能PCS的...
安森美發(fā)布2026年Q1財報:營收超預(yù)期背后的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型與資本運作密碼
近日,安森美(NASDAQ:ON)披露2026年第一季度業(yè)績,在半導(dǎo)體行業(yè)周期性調(diào)整背景下交出了一份"逆勢增長"的成績單。本季度營收...
2026-05-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體安森美功率半導(dǎo)體 500 0
2026年SiC碳化硅模塊清洗工藝深度解析與最優(yōu)方案選擇
隨著電動汽車、新能源及工業(yè)驅(qū)動技術(shù)的飛速發(fā)展,以碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體功率模塊已成為提升系統(tǒng)效率與功率密度的核心元件。相較于傳統(tǒng)硅基器件,...
至信微推出650V 140mΩ碳化硅JFET 開啟高效電源新紀(jì)元
繼2026年初發(fā)布1200V JFET產(chǎn)品后,至信微近日再次推出量產(chǎn)級650V 140mΩ SiC JFET器件。此次推出標(biāo)志著至信微在碳化硅功率器件領(lǐng)...
安森美與蔚來深化戰(zhàn)略合作:EliteSiC M3e技術(shù)驅(qū)動900V電動汽車平臺革新
近期,安森美(onsemi)與蔚來汽車正式宣布擴大戰(zhàn)略合作,聚焦下一代900V電動汽車平臺演進。此次合作基于雙方多年技術(shù)協(xié)同基礎(chǔ),安森美將提供其最新研發(fā)...
碳化硅 (SiC) MOSFET模塊 超快短路保護硬件檢測方案研究:響應(yīng)時間壓縮至 1μs 的技術(shù)實現(xiàn)
碳化硅 (SiC) MOSFET模塊 超快短路保護硬件檢測方案研究:響應(yīng)時間壓縮至 1μs 的技術(shù)實現(xiàn)與系統(tǒng)級架構(gòu)演進 引言:寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用中的高頻化...
2026年4月24日,北京國際汽車展覽會如約啟幕。在這場全球汽車行業(yè)的“風(fēng)向標(biāo)”盛會上,博世汽車電子以硬核半導(dǎo)體科技再度成為焦點。博世汽車半導(dǎo)體展臺前,...
晶豐明源推出大功率內(nèi)置碳化硅產(chǎn)品BP3532GC
當(dāng)前第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來廣闊發(fā)展機遇,碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)憑借高頻、高功率、低損耗等優(yōu)異特性,已成為車載快充、數(shù)據(jù)中心及能源領(lǐng)域能效升級的...
合科泰SiC碳化硅產(chǎn)品在充電樁與光伏中的應(yīng)用選型
隨著新能源行業(yè)的快速發(fā)展,SiC碳化硅功率器件在充電樁、光伏逆變器等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。對于工程師和采購人員而言,如何在眾多型號中快速匹配到適合的產(chǎn)品,...
博世第三代碳化硅芯片:性能躍升20%,重構(gòu)電動汽車效率新標(biāo)桿
2026年4月,博世正式推出第三代碳化硅芯片,以“綜合性能提升20%”為核心突破,通過全球產(chǎn)能布局與技術(shù)革新,為電動汽車電驅(qū)系統(tǒng)注入高效能量控制新動能,...
碳化硅(SiC)模塊開關(guān)特性對ANPC總諧波失真(THD)的影響
碳化硅(SiC)模塊開關(guān)特性對有源中點鉗位(ANPC)儲能變流器死區(qū)時間與輸出總諧波失真(THD)的深層影響分析 引言與新型儲能變流器的技術(shù)背景 在現(xiàn)代...
硅來半導(dǎo)體SiC晶錠激光切割效率躍升50%:重構(gòu)寬禁帶半導(dǎo)體制造新范式
硅來半導(dǎo)體近日宣布其新一代SiC晶錠激光切割設(shè)備實現(xiàn)重大技術(shù)突破——單片切割時間從15分鐘壓縮至10分鐘,效率提升50%,標(biāo)志著碳化硅材料加工環(huán)節(jié)正式進...
全球電氣化、人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心、能源轉(zhuǎn)型和關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施正推動著前所未有的電力需求 — 而處于這一轉(zhuǎn)變核心的負(fù)載是動態(tài)的、雙向的,并且日益集中在...
2026-04-27 標(biāo)簽:電力系統(tǒng)SiC碳化硅 526 0
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |