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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET應(yīng)用場景適配報告

基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET應(yīng)用場景適配報告

基本半導(dǎo)體 B3M025065Z 碳化硅 MOSFET 深度產(chǎn)品力研究與應(yīng)用場景適配全景報告 深圳市傾佳電子有限公司(簡稱“傾佳電子”)是聚焦新能源與電...

2025-12-07 標(biāo)簽:新能源MOSFET碳化硅 1.7k 0

用于最高電壓等級的硅IGBT和碳化硅MOSFET

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對于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)?,再到更?fù)雜的變流器

2023-10-16 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管IGBT 1.7k 0

電源解決方案跟摩爾定律有何關(guān)系?它如何跟上摩爾定律的步伐?

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根據(jù)電源解決方案或與功耗、能源效率或整體能源或碳足跡相關(guān)的分析來對任何系統(tǒng)(或系統(tǒng)集合)進(jìn)行分析時,將源與負(fù)載分開出來能幫助整個過程。

2024-03-28 標(biāo)簽:摩爾定律晶體管碳化硅 1.7k 0

用碳化硅MOSFET設(shè)計雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

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電池供電的便攜式設(shè)備越來越多,在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個趨勢還取決于高能量存儲技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級電容器。這些...

2021-04-14 標(biāo)簽:MOSFET升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1.7k 0

800V車規(guī)碳化硅功率模塊襯底和外延epi分析和介紹

厚度以及一致性 摻雜和一致性 表面缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 底部缺陷快速檢測和標(biāo)識追蹤能力 控制擴(kuò)展缺陷 清洗 大尺寸的晶圓翹曲度的控制

2023-02-07 標(biāo)簽:MOSFET功率模塊碳化硅 1.7k 0

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用

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本文小編分享一篇文章,本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應(yīng)用,本文介紹了原子層鍍膜技術(shù)在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應(yīng)用,并介紹了原子層鍍膜技...

2024-10-15 標(biāo)簽:功率器件氮化鎵鍍膜 1.7k 0

SiC模塊的特征和電路構(gòu)成

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1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOS...

2023-02-07 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.7k 0

碳化硅MOSFET在電動汽車熱管理系統(tǒng)中的研究

空調(diào)壓縮機(jī)是熱泵空調(diào)系統(tǒng)的核心,選擇合適的功率器件可以提高其控制器的工作效率,從而提髙整個系統(tǒng)的效率?這里使用了雙脈沖測試電路,對1200V的碳化硅MO...

2023-04-17 標(biāo)簽:電動汽車MOSFET控制器 1.7k 0

碳化硅發(fā)展生逢其時

*文末有禮 碳化硅(SiC) 正在改變?nèi)祟惸茉纯刂坪娃D(zhuǎn)換的方式,帶來一場顛覆性變革。電動汽車、可再生能源、儲能和不間斷電源等許多應(yīng)用都能通過SiC實現(xiàn)性...

2024-03-04 標(biāo)簽:晶圓SiC碳化硅 1.7k 0

碳化硅功率器件的技術(shù)、應(yīng)用與發(fā)展簡析

碳化硅(SiC)是一種具有優(yōu)異物理特性的半導(dǎo)體材料,其高電子飽和遷移率、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)和高電子飽和遷移率等特點使其在功率器件領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。

2023-12-19 標(biāo)簽:二極管MOSFETSBD 1.7k 0

SiC模塊開啟電機(jī)驅(qū)動器更高功率密度

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牽引驅(qū)動器是電動汽車(EV)幾乎所有能量的消耗源。因此,驅(qū)動系統(tǒng)必須盡可能提高效率,同時以最低重量占用最小空間 — 這些均旨在盡可能提高電動汽車的續(xù)航能力。

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分立3.3 kV SiC MOSFET關(guān)鍵指標(biāo)的分析

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理由相信潮流正在轉(zhuǎn)變。正如TechInsights在不久前發(fā)布的PCIM Europe 2023 -產(chǎn)品公告和亮點博客[4]文章中所討論的那樣,英飛凌宣...

2023-06-03 標(biāo)簽:SiC碳化硅 1.7k 0

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

如何最大限度地提高SiC MOSFET性能呢?

在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)MOSFET與硅(Si)IGBT相比具有多項優(yōu)勢。其中包括更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗以及更好的高溫性能。

2023-09-11 標(biāo)簽:MOSFETIGBT寄生電容 1.7k 0

二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是什么意思

二極管反向恢復(fù)的頻率響應(yīng)是一個涉及二極管在高頻操作條件下性能的重要概念。它主要描述了二極管在經(jīng)歷從正向?qū)顟B(tài)到反向偏置狀態(tài)(或相反過程)時,其電流和電...

2024-09-13 標(biāo)簽:二極管頻率碳化硅 1.7k 0

碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用

隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)...

2024-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件碳化硅 1.7k 0

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC器件的性能,封裝技術(shù)至...

2025-02-03 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.7k 0

碳化硅二極管的區(qū)別和用途

碳化硅二極管的區(qū)別和用途

隨著終端應(yīng)用電子架構(gòu)復(fù)雜程度提升,硅基器件物理極限無法滿足部分高壓、高溫、高頻及低功耗的應(yīng)用要求。近 20 多年來,以碳化硅(silicon carb...

2023-02-10 標(biāo)簽:功率器件SiC碳化硅 1.7k 0

碳化硅功率器件的可靠性分析方法和過程

碳化硅功率器件的可靠性分析方法和過程

碳化硅功率器件的可靠性是指該器件在正常工作條件下,能夠持續(xù)穩(wěn)定地提供所需的功率,并且不會出現(xiàn)故障或失效的可能性。

2023-02-19 標(biāo)簽:功率器件可靠性分析碳化硅 1.7k 0

探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀的操作規(guī)范與技巧

本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測量儀,系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實用技巧,通過規(guī)范測量流程、分享操作要點,旨在提高測量準(zhǔn)確性與效率,為半導(dǎo)體制造過程中...

2025-08-23 標(biāo)簽:晶圓測量儀碳化硅 1.7k 0

陶瓷基板制備工藝研究進(jìn)展

陶瓷基板制備工藝研究進(jìn)展

目前常用的高導(dǎo)熱陶瓷粉體原料有氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、氮化硅(Si3N4)、碳化硅(SiC)和氧化鈹(BeO)等。隨著國家大力發(fā)展綠色環(huán)...

2023-06-27 標(biāo)簽:pcb印制電路板功率器件 1.7k 0

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