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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

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2026-04-29 標(biāo)簽：碳化硅瑞能半導(dǎo)體固態(tài)變壓器 223 0

浮思特 | 至信微SMC300HB120E2A1碳化硅模塊：高功率應(yīng)用的高效之選

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2026-04-16 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 135 0

利用SiC CJFET替代超結(jié)MOSFET以及開關(guān)電源應(yīng)用

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2026-04-24 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源 SiC 4.7k 0

三電平碳化硅 NPC 變流器的免權(quán)系數(shù)模型預(yù)測控制 (MPC) 實(shí)務(wù)：解決中點(diǎn)平衡挑戰(zhàn)

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2026-04-10 標(biāo)簽：變流器碳化硅 NPC 150 0

浮思特 | SiC功率模塊新標(biāo)桿：至信微SMC300HB120E2A1如何重塑高壓功率設(shè)計

在新能源與高功率電子快速發(fā)展的背景下，功率器件正朝著更高效率、更高頻率與更高可靠性的方向不斷演進(jìn)。尤其是在電動汽車快充、儲能系統(tǒng)及工業(yè)電源等場景中，傳統(tǒng)...

2026-04-07 標(biāo)簽：SiC 功率模塊碳化硅 217 0

以可靠的碳化硅基固態(tài)變壓器為AI人工智能賦能

英偉達(dá)在 2025 年 Computex 上宣布的 800 V 高電壓直流架構(gòu) — 從根本上改變了人工智能工廠的電力傳輸方式，直接提升了 GPU 密度和...

2026-03-31 標(biāo)簽：變壓器碳化硅 Wolfspeed 443 0

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代的EMI建模實(shí)戰(zhàn)：如何利用示波器FFT結(jié)果反推PCB布線缺陷

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體時代的EMI建模實(shí)戰(zhàn)：如何利用示波器FFT結(jié)果反推PCB布線缺陷寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)演進(jìn)與電磁兼容（EMC）的深刻變革在全球能源結(jié)...

2026-03-30 標(biāo)簽：emi SiC 功率半導(dǎo)體 5.7k 0

浮思特 | 面向1500V系統(tǒng)，至信微2000V SiC二極管帶來哪些改變

在高壓電源系統(tǒng)持續(xù)向高效率、高可靠性演進(jìn)的背景下，器件選型的重要性愈發(fā)凸顯。尤其是在1500V系統(tǒng)逐漸成為主流的今天，傳統(tǒng)器件在耐壓裕量、損耗控制以及高...

2026-03-27 標(biāo)簽：二極管 SiC 碳化硅 174 0

基本半導(dǎo)體碳化硅功率器件在有源濾波器APF中的應(yīng)用

在有源電力濾波器（APF）系統(tǒng)中，功率器件的選擇直接影響整機(jī)的濾波性能、效率與可靠性。隨著電網(wǎng)電能質(zhì)量要求日益提高，APF需要具備更高的開關(guān)頻率、更低的...

2026-03-26 標(biāo)簽：功率器件有源濾波器碳化硅 9.1k 0

功率模塊選型全攻略：工程師必看的6大核心指標(biāo)，避坑不踩雷

選型避坑提醒：切勿盲目追求高參數(shù)、高性能，適合自身系統(tǒng)場景才是最優(yōu)解；所有參數(shù)務(wù)必預(yù)留安全余量，尤其電壓、電流和溫度指標(biāo)，杜絕滿負(fù)荷運(yùn)行導(dǎo)致的器件失效。

2026-03-19 標(biāo)簽：模塊功率模塊碳化硅 292 0

碳化硅 (SiC) MOSFET 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)與工程實(shí)踐

在電力電子行業(yè)向高效化、高功率密度轉(zhuǎn)型的背景下，碳化硅（SiC）作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的核心代表，正憑借其優(yōu)異的物理特性重塑功率器件市場格局。電子聚焦新...

2026-03-17 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 634 0

氮化硼墊片在第三代半導(dǎo)體功率器件SiC碳化硅IGBT單管內(nèi)外絕緣應(yīng)用方案

摘要隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，第三代半導(dǎo)體材料SiC碳化硅因其優(yōu)異的物理和電學(xué)性能，在IGBT單管等高性能器件中得到了廣泛應(yīng)用。絕緣方案作為影響SiC...

2026-03-07 標(biāo)簽：IGBT 功率器件 SiC 1.8k 0

碳化硅MOS管測試技術(shù)及儀器應(yīng)用（上）

碳化硅（SiC）MOS管作為寬禁帶半導(dǎo)體的核心器件，憑借高耐壓、高頻化、低損耗及耐高溫特性，在新能源汽車、光伏逆變、工業(yè)電源等領(lǐng)域逐步替代傳統(tǒng)硅基IGB...

2026-02-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 MOS 參數(shù)分析儀 323 0

200mm碳化硅襯底厚度與外延厚度的多維度影響

我們能將碳化硅 (SiC) 襯底厚度推進(jìn)到多薄而不影響性能？這是我們幾十年來一直在追問的問題，同時我們也在不斷突破碳化硅 (SiC) 材料性能的極限——...

2026-02-11 標(biāo)簽：SiC 襯底碳化硅 357 0

BTP1521P構(gòu)建SiC碳化硅MOSFET門極隔離驅(qū)動電源供電方案的技術(shù)優(yōu)勢

BASiC Semiconductor基本半導(dǎo)體一級代理商傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)...

2026-02-08 標(biāo)簽：MOSFET SiC 驅(qū)動電源 1.1k 0

SiC碳化硅MOSFET微觀動力學(xué)綜述：開關(guān)瞬態(tài)全景解析

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2026-01-12 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 1.1k 0

Wolfspeed在碳化硅功率模塊中應(yīng)對功率循環(huán)挑戰(zhàn)的方法

碳化硅 (SiC) 功率器件在汽車、可再生能源、工業(yè)電動交通和航空航天市場的快速應(yīng)用，重新定義了系統(tǒng)要求。傳統(tǒng)的認(rèn)證已不再足夠?？蛻衄F(xiàn)在要求耐久性，確保...

2026-01-08 標(biāo)簽：功率模塊功率半導(dǎo)體碳化硅 8.6k 0

碳化硅MOSFET的串?dāng)_來源與應(yīng)對措施詳解

以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件應(yīng)用越來越廣泛，成為高壓、大功率應(yīng)用（如電動汽車、可再生能源并網(wǎng)、工業(yè)驅(qū)動等）的核心器件。碳化硅MOSFET憑借低...

2026-01-13 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體串?dāng)_ 1.2萬 0

第三代半導(dǎo)體“碳化硅（SiC）器件”基礎(chǔ)知識詳解

【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

2026-01-06 標(biāo)簽：碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.1k 0

三菱電機(jī)SiC MOSFET的可靠性測試

SiC和Si各自具有不同的物理特性和性能，因此在質(zhì)量保證方面需要采取不同的策略。Si器件基于成熟技術(shù)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的品質(zhì)，而SiC則需要更嚴(yán)格的品質(zhì)控制和可靠...

2025-12-24 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)SiC 6.6k 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個可擴(kuò)展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計算性能水平。
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驍龍是Qualcomm Technologies（美國高通）旗下移動處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時存儲器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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