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全球最大的先進(jìn)半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商之一——美國美光科技公司在中國投資2.5億美元建立的第一個制造工廠，2007年3月21日在西安高新區(qū)落成，該廠是外商獨資企業(yè)，是目前陜西省最大的外商投資企業(yè)之一。該廠將主要進(jìn)行美光科技半導(dǎo)體產(chǎn)品的測試和封裝。

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美光資訊

美光MRDIMM內(nèi)存發(fā)布，加速數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載

美光科技股份有限公司（納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布，已出樣多路復(fù)用雙列直插式內(nèi)存模塊（MRDIMM）。該款 MRDIMM 將賦能美光客戶應(yīng)對日益繁重...

2024-07-22 標(biāo)簽：內(nèi)存數(shù)據(jù)中心 AI 1.5k 0

美光25億美元收購爾必達(dá) 成第二大DRAM芯片商

美光科技公司 (NASDAQ: MU)周二宣布，已同意以大約600億日元(約合7.50億美元)現(xiàn)金收購日本芯片制造商爾必達(dá)存儲公司(Elpida Mem...

2012-07-03 標(biāo)簽：爾必達(dá)美光 DRAM芯片 1.5k 0

英特爾聯(lián)合美光宣布晶圓廠擴(kuò)建完成,3D XPoint被推上產(chǎn)業(yè)制高點

英特爾（INTC. US）、美光科技（MU. US）13日宣布，IM Flash B60晶圓廠已完成擴(kuò)建工程。新聞稿指出，規(guī)模擴(kuò)大后的晶圓廠將生產(chǎn)3D...

2017-11-15 標(biāo)簽：英特爾晶圓美光 1.5k 0

存儲器新版圖:紫光+WD的Flash技術(shù)+美光DRAM技術(shù)

全球硬碟龍頭廠威騰電子（WD）宣布以約190億美元（新臺幣約6，186億元）收購NAND Flash大廠新帝（SanDisk），由于大陸紫光集團(tuán)入股WD...

2015-10-23 標(biāo)簽：東芝美光紫光 1.5k 1

新型存儲技術(shù)3D XPoint目前處于發(fā)展初期美光英特爾分道揚(yáng)鑣

近期，美光正式宣布，對IM Flash Technologies，LLC（簡稱“IM Flash”）中的權(quán)益行使認(rèn)購期權(quán)。IM Flash是美光與英特...

2018-11-11 標(biāo)簽：英特爾存儲技術(shù)美光 1.5k 0

清華紫光要并購DRAM大廠美光，給臺灣敲響警鐘！

近日媒體報導(dǎo)，清華紫光集團(tuán)出價230億美元，希望能并購美國DRAM大廠美光(Micron)。此事還未成真，但已引起臺灣的高度重視(或緊張)

2015-07-26 標(biāo)簽：DRAM 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存儲 1.5k 0

現(xiàn)代工作負(fù)載正在重新定義下一代數(shù)據(jù)中心

目前數(shù)據(jù)中心容納了全球約三分之一的數(shù)據(jù)。2020年的數(shù)據(jù)量大約是20ZB，預(yù)計到2025年都將保持15-20%的年增長率。數(shù)據(jù)中心面臨的挑戰(zhàn)不僅包括需要...

2022-06-21 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心美光工作負(fù)載 1.5k 0

2012年第二季全球NAND Flash廠營收排行榜：三星一家獨大

2012年第二季在歐債風(fēng)暴延燒未熄及全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇緩慢的影響下，NAND Flash市場的淡季效應(yīng)加劇，需求不如廠商塬先預(yù)期，除了某些平板電腦及智慧型手機(jī)...

2012-08-01 標(biāo)簽：英特爾三星電子海力士 1.5k 0

NAND Flash市場營收飆升，廠商邁向300層技術(shù)

根據(jù)最新市場研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，今年一季度全球NAND Flash營收實現(xiàn)了同比30%的大幅增長。這一顯著增長主要歸功于NAND Flash的平均銷售價格同...

2024-05-29 標(biāo)簽：NAND FlaSh 美光 1.5k 0

隨著與英特爾合作關(guān)系的結(jié)束美光的3D XPoint開發(fā)和商業(yè)化有望加速

該技術(shù)號稱可以實現(xiàn)比NAND閃存快一千倍的存取速度，我在一些文章中看到，它被人們吹捧為“游戲規(guī)則的改變者”和“硅和晶體管的替代品”。我也看到一些美光的...

2019-02-11 標(biāo)簽：DRAM 美光 3D XPoint 1.5k 0

美光深陷泥潭 NAND閃存真成救命稻草？

DRAM和NAND芯片提供商美光(Micron)仍在困境中掙扎，6個季度的虧損，3年來收入達(dá)到最低點。這個情況還將持續(xù)多長時間?

2012-12-23 標(biāo)簽：閃存 DRAM NAND 1.5k 0

臺積電將以高于美光的價格收購群創(chuàng)工廠：擴(kuò)展先進(jìn)封裝產(chǎn)能布局

近日，臺積電日前已派遣團(tuán)隊對群創(chuàng)光電位于臺南的工廠進(jìn)行了實地考察，評估其在先進(jìn)封裝領(lǐng)域的潛力。此前，美光科技也對群創(chuàng)臺南工廠表達(dá)了競購意愿。消息指出，臺...

2024-07-25 標(biāo)簽：臺積電封裝美光 1.5k 0

臺媒：紫光下一步入股美光、英特爾

消息人士透露，紫光集團(tuán)下一步將爭取入股美光及英特爾兩大握有記憶體關(guān)鍵技術(shù)的大廠，合作案已進(jìn)入緊鑼密鼓階段。值此之際，臺廠再度扮演關(guān)鍵角色，美光近期將整合...

2015-12-14 標(biāo)簽：英特爾美光紫光集團(tuán) 1.5k 0

美光推出全新數(shù)據(jù)中心 SSD，性能業(yè)界領(lǐng)先

創(chuàng)新的美光 9550 PCIe 5.0 SSD 賦能 AI 及更多領(lǐng)域工作負(fù)載 ? 2024 年 7 月 29 日，中國上海 —— 美光科技股份有限公司...

2024-07-29 標(biāo)簽：SSD 數(shù)據(jù)中心美光 1.5k 0

存儲芯片供給過剩價格下行趨勢確立

因為英特爾14納米x86 CPU 產(chǎn)能短缺，比特幣價格下跌造成的中低階挖礦機(jī)需求不振，及新興市場貨幣貶值造成的中低階手機(jī)銷售不佳，加上3D NAND轉(zhuǎn)到...

2018-11-09 標(biāo)簽：DRAM 存儲美光 1.5k 0

美光科技: 納米印刷助降DRAM成本

近期的演示會上，美光詳細(xì)闡述了其針對納米印刷與DRAM制造之間的具體工作模式。他們提出，DRAM工藝的每一個節(jié)點以及浸入式光刻的精度要求使得物理流程變得...

2024-03-05 標(biāo)簽：DRAM 美光光刻技術(shù) 1.5k 0

存儲器芯片市場出現(xiàn)美日韓的壟斷之勢紫光國際“攪局”破勢而出

誰將成為存儲器芯片市場的“攪局者”，儲器芯片市場還在日益擴(kuò)張，供不應(yīng)求之勢越發(fā)明顯。中國存儲器芯片市場風(fēng)云迭起，美日韓的壟斷之勢越來越強(qiáng)盛，紫光國際“攪...

2017-12-18 標(biāo)簽：英特爾 dram 美光 1.5k 0

速度是NAND千倍！新型非揮發(fā)性存的儲器已量產(chǎn)

英特爾（Intel）與美光科技（Micron）日前發(fā)表新型非揮發(fā)性記憶體技術(shù)──3D XPoint，該種記憶體號稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來...

2015-07-30 標(biāo)簽：英特爾 NAND 存儲器 1.5k 0

紫光集團(tuán)確認(rèn)進(jìn)入DARM領(lǐng)域

6月30日晚間，紫光集團(tuán)發(fā)布公告宣布組建DRAM事業(yè)群，委任刁石京為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群董事長，委任高啟全為紫光集團(tuán)DRAM事業(yè)群CEO。此次紫光組建...

2019-07-01 標(biāo)簽：三星電子美光紫光 1.5k 0

美光與高通合作利用5G網(wǎng)絡(luò)實現(xiàn)自動駕駛

高通的Snapdragon汽車5G平臺將采用定制的Micron149微米球計數(shù)多芯片封裝，將使網(wǎng)速比當(dāng)前的LTE-Advanced調(diào)制解調(diào)器快20倍。更...

2019-03-10 標(biāo)簽：美光 5G 自動駕駛 1.5k 0

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云儲存

云儲存

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云存儲是在云計算（cloud computing）概念上延伸和發(fā)展出來的一個新的概念，是一種新興的網(wǎng)絡(luò)存儲技術(shù)，本章詳細(xì)介紹了什么是云儲存，云數(shù)據(jù)存儲，免費云存儲哪個好，云儲存應(yīng)用技術(shù)等內(nèi)容。
富士通

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富士通憑借在ICT領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗和實力，致力于與客戶攜手共創(chuàng)美好的未來社會。富士通集團(tuán)（東京證券交易所上市代碼：6702）截至2015年3月31日財政年度的合并收益為4.8兆日元（400億美元）。
3d nand

3d nand

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3D NAND是英特爾和鎂光的合資企業(yè)所研發(fā)的一種新興的閃存類型，通過把內(nèi)存顆粒堆疊在一起來解決2D或者平面NAND閃存帶來的限制。固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還都是個問題。這種寬度為2.5英寸的硬盤用來容納存儲芯片的空間較為有限，容量越高的芯片可以增加硬盤的總體存儲空間，但更高的成本也拉高了硬盤的售價。
江波龍

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非易失性存儲器

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非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存，非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。
合肥長鑫

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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NOR flash

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　　NOR Flash是一種非易失閃存技術(shù)，是Intel在1988年創(chuàng)建。是市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)之一。
nvme

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NVM Express（NVMe），或稱非易失性內(nèi)存主機(jī)控制器接口規(guī)范（英語：Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification，縮寫：NVMHCIS），是一個邏輯設(shè)備接口規(guī)范。它是與AHCI類似的、基于設(shè)備邏輯接口的總線傳輸協(xié)議規(guī)范（相當(dāng)于通訊協(xié)議中的應(yīng)用層）
SRAM存儲器

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　　sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而，當(dāng)電力供應(yīng)停止時，SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失，這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
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　　NoSQL僅僅是一個概念，泛指非關(guān)系型的數(shù)據(jù)庫，區(qū)別于關(guān)系數(shù)據(jù)庫，它們不保證關(guān)系數(shù)據(jù)的ACID特性。
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云盤是一種專業(yè)的互聯(lián)網(wǎng)存儲工具，是互聯(lián)網(wǎng)云技術(shù)的產(chǎn)物，它通過互聯(lián)網(wǎng)為企業(yè)和個人提供信息的儲存，讀取，下載等服務(wù)。具有安全穩(wěn)定、海量存儲的特點。
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FORESEE為深圳市江波龍電子股份有限公司（longsys）的存儲品牌。
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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機(jī)存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。
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