PCB生產(chǎn)過程中的蝕刻工藝技術解析

蝕刻過程是PCB生產(chǎn)過程中基本步驟之一，簡單的講就是基底銅被抗蝕層覆蓋，沒有被抗蝕層保護的銅與蝕刻劑發(fā)生反應，從而被咬蝕掉，最終形成設計線路圖形和焊盤的...

2019-07-23 標簽：PCB板PCB設計蝕刻工藝 6.1k 0

半導體蝕刻工藝課堂素材分享（4）（下）

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2022-08-02 標簽：半導體蝕刻工藝 5.8k 0

耐蝕點蝕鍍銅工藝

隨著5G技術的推出，導致電子電路和IC基板在設計中要求更高的密度。由于5G應用的性質(zhì)，這些設計中的高可靠性和出色的電氣性能也越來越重要。

2023-09-01 標簽：半導體鍍銅工藝蝕刻工藝 5k 0

PCB線路板外層電路制作的蝕刻工藝解析

在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫...

2019-07-10 標簽：PCB設計PCB線路板蝕刻工藝 4.1k 0

采用可控濕法蝕刻速率的AlGaN/GaN的精密凹槽 華林科納

這本文中，我們提出了一種精確的，低損傷的循環(huán)刻蝕AlGaN/GaN的新方法，用于精確的勢壘凹陷應用，使用ICP-RIE氧化和濕法刻蝕。設備功率設置的優(yōu)化...

2021-12-13 標簽：蝕刻GaN蝕刻工藝 3.7k 0

化學蝕刻的銅-ETP銅的實驗分析

引言 化學蝕刻是通過與強化學溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應用于任何材料。銅是利用化學腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構和精密零件中廣泛使用的...

2021-12-29 標簽：半導體蝕刻蝕刻工藝 3.6k 0

半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

引言 用電化學和原子力顯微鏡方法對有機酸與銅的相互作用進行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機酸、二有機酸和三有機酸中銅的蝕刻速率...

2022-01-13 標簽：半導體電化學蝕刻 3.5k 0

關于硫酸-過氧化氫-水系統(tǒng)中砷化鎵的化學蝕刻研究報告

摘要 我們?nèi)A林科納對h2so4-h202-h20體系中（100）砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影...

2022-01-25 標簽：半導體化學蝕刻 3.4k 0

半導體晶片的濕蝕方法、清洗和清潔

關鍵詞 晶圓清洗 電氣 半導體 引言 半導體器件的制造是從半導體器件開始廣泛銷往市場的半個世紀 前到現(xiàn)在為止與粒子等雜質(zhì)的戰(zhàn)斗。半個世紀初，人們已經(jīng)了 ...

2021-12-29 標簽：芯片半導體蝕刻 3.4k 0

淺談蝕刻工藝開發(fā)的三個階段

納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使...

2023-05-30 標簽：晶體管蝕刻工藝3d nand 3.3k 0

關于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更...

2022-01-25 標簽：半導體晶體化學 3k 0

AlN和Sc0.2Al0.8N薄膜的濕法化學腐蝕

用鈧?cè)〈恍╀X可以增加壓電性能，但也使薄膜的沉積和圖案形成更具挑戰(zhàn)性。

2023-03-21 標簽：蝕刻工藝壓電材料刻蝕 2.6k 0

濕式化學蝕刻法制備硅片微孔

微孔利用光和物質(zhì)的相互作用來獲得獨特的性質(zhì)，特別是，當用紫外光、可見光或近紅外光在其表面等離子體極化頻率附近照射時，金屬微孔結(jié)構表現(xiàn)出強烈的共振。然而，...

2023-05-25 標簽：半導體晶圓蝕刻 2.4k 0

如何在蝕刻工藝中實施控制？

蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來...

2023-05-19 標簽：pcb控制系統(tǒng)設備 2.1k 0

等離子體蝕刻工藝對集成電路可靠性的影響

隨著集成電路特征尺寸的縮小，工藝窗口變小，可靠性成為更難兼顧的因素，設計上的改善對于優(yōu)化可靠性至關重要。本文介紹了等離子刻蝕對高能量電子和空穴注入柵氧化...

2025-03-01 標簽：集成電路等離子體晶圓 2.1k 0

降低半導體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術

銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中...

2023-09-22 標簽：半導體蝕刻蝕刻工藝 1.9k 0

超聲波頻率對化學蝕刻過程的影響實驗報告

超聲增強化學腐蝕被用來制作多孔硅層，通過使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構，用這種方法可...

2022-05-06 標簽：超聲波蝕刻蝕刻工藝 1.9k 0

不同氮化鎵蝕刻技術的比較

GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術至關重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...

2023-12-01 標簽：半導體晶圓氮化鎵 1.8k 0