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標(biāo)簽 > 蝕刻

蝕刻

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最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版,也廣泛地被使用于減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板,銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工;經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展,亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工,特別在半導(dǎo)體制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。

文章:417個(gè) 瀏覽:16695 帖子:14個(gè)

蝕刻技術(shù)

硅和SiO2的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理

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蝕刻機(jī)理 諸如KOH-、NaOH-或TMAH-溶液的強(qiáng)含水堿性介質(zhì)蝕刻晶體硅通孔 硅+ 2 OH- + 2 H O ?硅(OH) + H ?二氧化硅(O...

2022-07-11 標(biāo)簽:蝕刻晶片SiO2 3k 0

如何對(duì)氮化鎵基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)進(jìn)行干法刻蝕

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氮化鎵作為一種寬帶隙半導(dǎo)體,已被用于制造發(fā)光二極管和激光二極管等光電器件。最近已經(jīng)開(kāi)發(fā)了幾種用于氮化鎵基材料的不同干蝕刻技術(shù)。電感耦合等離子體刻蝕因其優(yōu)...

2022-04-26 標(biāo)簽:發(fā)光二極管氮化鎵蝕刻 3k 0

集成電路為什么越做越小 集成電路電阻怎么識(shí)別

集成電路越做越小是多個(gè)因素共同作用的結(jié)果,包括技術(shù)進(jìn)步、成本和效率考慮、功耗和散熱需求,以及新應(yīng)用的推動(dòng),為電子設(shè)備的發(fā)展提供了更多的可能性和機(jī)遇。

2023-09-05 標(biāo)簽:集成電路電阻電容 3k 0

半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性

半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性

半導(dǎo)體工業(yè)中表面處理和預(yù)清洗的重要性是眾所周知的。為了確保良好的薄膜粘附和金屬-半導(dǎo)體接觸的低電阻,酸或堿處理后的某些溶劑或等離子體清洗對(duì)于去除有機(jī)殘留...

2022-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻清洗 3k 0

關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報(bào)告

關(guān)于硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理的研究報(bào)告

摘要 本文從晶體生長(zhǎng)科學(xué)的角度回顧了單晶的濕化學(xué)蝕刻。起點(diǎn)是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動(dòng)力學(xué)是由粗糙面上不存在的成核勢(shì)壘控制的。因此后者蝕刻速度更...

2022-01-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體化學(xué) 3k 0

半導(dǎo)體工藝中的蝕刻工藝的選擇性

半導(dǎo)體工藝中的蝕刻工藝的選擇性

刻蝕的機(jī)制,按發(fā)生順序可概分為「反應(yīng)物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應(yīng)」、「生成物離開(kāi)表面」等過(guò)程。所以整個(gè)刻蝕,包含反應(yīng)物接近、生成物離開(kāi)的擴(kuò)散效...

2023-12-11 標(biāo)簽:集成電路印刷電路蝕刻 3k 0

了解氮化鋁陶瓷基板的金屬化是否通過(guò)化學(xué)鍍銅方式

了解氮化鋁陶瓷基板的金屬化是否通過(guò)化學(xué)鍍銅方式

本文主要講解氮化鋁陶瓷基板的金屬化如何通過(guò)化學(xué)鍍銅方式。

2022-08-25 標(biāo)簽:蝕刻陶瓷基板 2.9k 0

凸塊制造技術(shù)演變及發(fā)展歷史

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凸塊制造過(guò)程一般是基于定制的光掩模,通過(guò)真空濺鍍、黃光、電鍍、蝕刻等環(huán)節(jié)而成,該技術(shù)是晶圓制造環(huán)節(jié)的延伸,也是實(shí)施倒裝(FC)封裝工藝的基礎(chǔ)及前提。

2023-06-12 標(biāo)簽:芯片制造技術(shù)蝕刻 2.9k 0

蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究

蝕刻工藝關(guān)于濕化學(xué)處理后InP表面的研究

引言 本文將討論在不同的濕化學(xué)溶液中浸泡后對(duì)InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學(xué)處理的影響。這項(xiàng)...

2022-01-12 標(biāo)簽:InP技術(shù)化學(xué)蝕刻 2.9k 0

如何正確的維護(hù)PCB蝕刻設(shè)備

維護(hù)PCB蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無(wú)阻塞物,使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會(huì)使噴射時(shí)產(chǎn)生壓力作用,沖擊板面。而噴嘴不清潔,則會(huì)造...

2019-07-09 標(biāo)簽:pcbPCB設(shè)計(jì)蝕刻 2.9k 0

半導(dǎo)體蝕刻工藝科普

半導(dǎo)體蝕刻工藝科普

過(guò)度蝕刻暴露硅晶圓表面可能會(huì)導(dǎo)致表面粗糙。當(dāng)硅表面在HF過(guò)程中暴露于OH離子時(shí),硅表面可能會(huì)變得粗糙。

2024-11-05 標(biāo)簽:硅晶圓蝕刻光刻膠 2.9k 0

pcb蝕刻是什么意思

pcb蝕刻是什么意思

 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝,可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。

2023-09-06 標(biāo)簽:pcb蝕刻刻蝕 2.8k 0

側(cè)墻工藝是什么意思

側(cè)墻工藝是什么意思

與亞微米工藝類似,側(cè)墻工藝是指形成環(huán)繞多晶硅的氧化介質(zhì)層,從而保護(hù)LDD 結(jié)構(gòu),防止重?fù)诫s的源漏離子注入到LDD結(jié)構(gòu)的擴(kuò)展區(qū)。側(cè)墻是由兩個(gè)主要工藝步驟形...

2024-11-09 標(biāo)簽:集成電路工藝蝕刻 2.8k 0

光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應(yīng)離子蝕刻

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反應(yīng)離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝,與半導(dǎo)體工業(yè)中使用的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)方法兼容。

2023-04-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻 2.8k 0

在HF水溶液中處理的GaP表面的特性

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引言 橢偏光譜(SE)、原子力顯微鏡(AFM)、X射線光電子能譜(XPS)、潤(rùn)濕性和光致發(fā)光(PL)測(cè)量研究了HF水 溶液中化學(xué)清洗的GaP(OOl)表...

2021-12-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體蝕刻溶液 2.8k 0

深入探討 PCB 制造技術(shù):化學(xué)蝕刻

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作者:Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中,化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻以其精度和可擴(kuò)展性而聞名,它提供了一種創(chuàng)建詳細(xì)電路圖案的可靠方...

2025-01-25 標(biāo)簽:電路板蝕刻PCB 2.7k 0

GaAs的濕法蝕刻和光刻工藝

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本文主要闡述我們?nèi)A林科納在補(bǔ)救InGaP/GaAs NPN HBT的噴霧濕法化學(xué)腐蝕過(guò)程中光刻膠粘附失效的幾個(gè)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果。確定了可能影響粘附力的幾個(gè)因素...

2022-07-12 標(biāo)簽:光刻蝕刻晶片 2.7k 0

等離子體蝕刻和沉積問(wèn)題的解決方案

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我們?nèi)A林科納討論了一些重要的等離子體蝕刻和沉積問(wèn)題(從有機(jī)硅化合物)的問(wèn)題,特別注意表面條件,以及一些原位表面診斷的例子。由于等離子體介質(zhì)與精密的表面分...

2022-05-19 標(biāo)簽:等離子體蝕刻 2.7k 0

淺談PCB蝕刻質(zhì)量及先期存在的問(wèn)題

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要注意的是,蝕刻時(shí)的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點(diǎn)是鍍銅層...

2023-09-07 標(biāo)簽:pcb印刷電路板蝕刻 2.6k 0

設(shè)計(jì)毫米波PCB需要考慮哪些必要因素

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在過(guò)去十年中,商業(yè)、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線連接和一系列汽車?yán)走_(dá)的應(yīng)用已經(jīng)發(fā)展到了毫米波(24-100GHz)。毫米波應(yīng)用的這種快速增長(zhǎng)創(chuàng)造了對(duì)帶有毫米波電路...

2022-12-09 標(biāo)簽:pcb電路板物聯(lián)網(wǎng) 2.6k 0

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線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
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