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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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MEMS是Micro Electro Mechanical Systems（微機(jī)電系統(tǒng)）的縮寫，具有微小的立體結(jié)構(gòu)（三維結(jié)構(gòu)），是處理各種輸入、輸出信號(hào)...
一種強(qiáng)有力的各向異性濕法化學(xué)刻蝕技術(shù)
我們展示了在c平面藍(lán)寶石上使用磷酸、熔融氫氧化鉀、氫氧化鉀和乙二醇中的氫氧化鈉生長(zhǎng)的纖鋅巖氮化鎵的良好控制結(jié)晶蝕刻，蝕刻速率高達(dá)3.2mm/min。晶體...
在敷銅板上，通過(guò)光化學(xué)法，網(wǎng)印圖形轉(zhuǎn)移或電鍍圖形抗蝕層，然后蝕刻掉非圖形部分的銅箔或采用機(jī)械方式去除不需要部分而制成印制電路板PCB。而減成法中主要有雕...
PCB板蝕刻過(guò)程中應(yīng)該注意的問題有哪些
維護(hù)蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無(wú)阻塞物，使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會(huì)使噴射時(shí)產(chǎn)生壓力作用，沖擊板面。而噴嘴不清潔，則會(huì)造成蝕刻...
2019-09-10 標(biāo)簽：PCB板PCB設(shè)計(jì)蝕刻 2k 0
硅(Si)的深度蝕刻對(duì)于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時(shí)間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過(guò)蝕刻375微米厚...
本文提出了一種利用原子力顯微鏡(AFM)測(cè)量硅蝕刻速率的簡(jiǎn)單方法，應(yīng)用硅表面的天然氧化物層作為掩膜，通過(guò)無(wú)損摩擦化學(xué)去除部分天然氧化物，暴露底下新鮮硅。...
基本化學(xué)成分以Cl2為基礎(chǔ)，外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長(zhǎng)的激光進(jìn)行原位反射監(jiān)測(cè)，以...
關(guān)于數(shù)字處理技術(shù)部分的路線圖介紹
EUV 超薄 （≤10nm）尺度的光刻膠：隨著特征尺寸的縮小，光刻膠分子成分成為特征尺寸的一部分。構(gòu)成光刻膠的分子必須是單組分、小的構(gòu)建塊，以防止聚...
銅的電阻率取決于其晶體結(jié)構(gòu)、空隙體積、晶界和材料界面失配，這在較小的尺度上變得更加重要。傳統(tǒng)上，銅(Cu)線的形成是通過(guò)使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中...
利用氧化和“轉(zhuǎn)化-蝕刻”機(jī)制對(duì)富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言
器件尺寸的不斷縮小促使半導(dǎo)體工業(yè)開發(fā)先進(jìn)的工藝技術(shù)。近年來(lái)，原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經(jīng)成為小型化的重要加工技術(shù)。ALD是一種沉積技術(shù)...
光發(fā)射器與硅電子器件的融合是許多應(yīng)用的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)，例如芯片級(jí)光互連、片上光學(xué)系統(tǒng)、光通信芯片等。[1]. 在這些應(yīng)用中，光發(fā)射機(jī)通常被設(shè)想為鍵合到硅集成電...
超聲波頻率對(duì)化學(xué)蝕刻過(guò)程的影響實(shí)驗(yàn)報(bào)告
超聲增強(qiáng)化學(xué)腐蝕被用來(lái)制作多孔硅層，通過(guò)使用HF溶液和HNO3在p型(111)取向硅中制備多孔硅層，發(fā)現(xiàn)超聲波改善了p型硅上多孔硅層的結(jié)構(gòu)，用這種方法可...
按照正常的生產(chǎn)規(guī)律，撓性板在開料后，在圖形線路形成，以及軟硬結(jié)合壓合的過(guò)程中均會(huì) 產(chǎn)生不同程度的漲縮，在圖形線路蝕刻后，線路的密集程度與走向，會(huì)導(dǎo)致整個(gè)...
新的微電子產(chǎn)品要求硅(Si)晶片變薄到厚度小于150 μm。機(jī)械研磨仍然會(huì)在晶片表面產(chǎn)生殘余缺陷，導(dǎo)致晶片破裂，表面粗糙。因此，化學(xué)蝕刻方法主要用于生產(chǎn)...
本文提供了用于蝕刻膜的方法和設(shè)備。一個(gè)方面涉及一種在襯底上蝕刻氮化硅的方法，該方法包括:(a)將氟化氣體引入等離子體發(fā)生器并點(diǎn)燃等離子體以a形成含氟蝕刻...
摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時(shí)，需要對(duì)化學(xué)蝕刻劑有基本的了解，以實(shí)現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的...
使用KOH各向異性蝕刻Si的光學(xué)器件的單掩模微制造（上）
?引言 我們報(bào)道了利用KOH水溶液中硅的各向異性腐蝕，用單掩模工藝進(jìn)行連續(xù)非球面光學(xué)表面的微加工。使用這種工藝制造了具有幾毫米量級(jí)的橫向尺度和幾微米量級(jí)...
硅晶片的化學(xué)刻蝕和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)
硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動(dòng)力學(xué)效應(yīng)的研究已經(jīng)完成。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置，表面的一部分被反應(yīng)物遮蔽。這種氣泡掩蔽效應(yīng)被模擬為...
維護(hù)蝕刻設(shè)備的最關(guān)鍵因素就是要保證噴嘴的高清潔度及無(wú)阻塞物，使噴嘴能暢順地噴射。阻塞物或結(jié)渣會(huì)使噴射時(shí)產(chǎn)生壓力作用，沖擊板面。而噴嘴不清潔，則會(huì)造成蝕刻...
2019-01-10 標(biāo)簽：pcb板電路板PCB設(shè)計(jì) 1.7k 0
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為了在有限的面積內(nèi) 形成很多器件，技術(shù)正在向多層結(jié)構(gòu)發(fā)展。要想形成多層結(jié)構(gòu)，會(huì)形成比現(xiàn)有更多的薄膜層 ,這時(shí)晶片背面也會(huì)堆積...
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