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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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關(guān)于氮化鎵的深紫外增強(qiáng)濕法化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告
本文探討了紫外輻照對(duì)生長(zhǎng)在藍(lán)寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學(xué)刻蝕的影響。實(shí)驗(yàn)過程中，我們發(fā)現(xiàn)氮化鎵的蝕刻發(fā)生在pH值分別為2-1和...
關(guān)于GaAs在酸性和堿性溶液中的濕蝕刻研究報(bào)告
摘要 我們?nèi)A林科納用同步光電發(fā)射光譜法研究了無氧化物砷化鎵表面與酸性(鹽酸+2-丙醇)和堿性(氨水）溶液的相互作用。結(jié)果表明，兩種溶液主要處理表面鎵原子...
關(guān)于濕法蝕刻工藝對(duì)銅及其合金蝕刻劑的評(píng)述
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過程簡(jiǎn)單易操作。選擇合適的化學(xué)溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度...
關(guān)于ZnO 的濕化學(xué)表面紋理化的研究報(bào)告
摘要 透明導(dǎo)電氧化物(TCOs)作為薄膜硅(Si)太陽能電池的前電極起著重要作用，因?yàn)樗鼈兛梢蕴峁┕鈱W(xué)散射，從而改善器件內(nèi)部的光子吸收。本文報(bào)道了摻雜鋁...
KOH溶液中使用濕法蝕刻制備具有ZnO納米管的倒置有機(jī)太陽能
摘要 我們江蘇華林科納講述了倒置有機(jī)太陽能電池(IOSCs)的光伏(PV)性能。氧化鋅薄膜采用簡(jiǎn)單的水溶液路線沉積在ITO/玻璃溶液上。氧化鋅薄膜通過濕...
關(guān)于氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告
引言 氮化鎵因其獨(dú)特的性質(zhì)和在光電和微電子器件中的潛在應(yīng)用而引起了廣泛的興趣。然而，GaN異質(zhì)外延層中高達(dá)108 cm-2的位錯(cuò)密度縮短了GaN基器件的...
關(guān)于KOH溶液中氮化鋁的濕化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告
引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學(xué)蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不...
關(guān)于氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻的研究
光增強(qiáng)電化學(xué)（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低、表面損傷較低的優(yōu)點(diǎn)，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切...
對(duì)于不同KOH和異丙醇濃度溶液中Si面蝕刻各向的研究
引言 氫氧化鉀溶液通常用于改善硅(100)表面光滑度和減少三維硅結(jié)構(gòu)的凸角底切。異丙醇降低了氫氧化鉀溶液的表面張力，改變了硅的蝕刻各向異性，顯著降低了(...
引言 III-V半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于氣體檢測(cè)系統(tǒng)、光電探測(cè)器、光遺傳學(xué)、生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用、高電子遷移率和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽能電池...
摘要 本文對(duì)本克斯使用的鋁蝕刻劑進(jìn)行調(diào)查，以長(zhǎng)期提高蝕刻部件的質(zhì)量。非常薄的鋁箔圖案在磷酸、氯化鐵和水銹溶液中精確蝕刻的鋁箔圖案符合尺寸和一致性標(biāo)準(zhǔn)。蝕...
基于 KOH 的 AIN 和 GaN 體的選擇性濕化學(xué)蝕刻
我們?nèi)A林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對(duì)于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)有效的襯底...
引言 氫氧化鉀(KOH)和添加劑2-丙醇(異丙醇，IPA)通常用于單晶硅片的堿性織構(gòu)化，以減少其反射。氫氧化鉀和異丙醇在水中的蝕刻混合物需要明確定義氫氧...
化學(xué)添加劑對(duì)KOH 溶液中Si表面反應(yīng)性的影響
介紹 于大多數(shù)半導(dǎo)體而言，陽極氧化需要價(jià)帶空穴。因此，人們期望該反應(yīng)發(fā)生在黑暗中的p型半導(dǎo)體和僅在(超)帶隙光照射下的n型半導(dǎo)體。 氫氧化鉀溶液中硅的化...
Cu雜質(zhì)對(duì)Si(110)濕法蝕刻的影響—蘇州華林科納半導(dǎo)體
引言 我們?cè)谖g刻的硅(110)表面上實(shí)驗(yàn)觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關(guān)鍵表面位置的相對(duì)穩(wěn)定性和（或）反應(yīng)性。在我們的模型中，小丘...
引言 到目前為止，GaAs晶片的直接再利用受到晶片表面上的殘留物的限制，這些殘留物不能利用一般的清洗方法方式去除。因此，用顯微技術(shù)、輪廓術(shù)和x光電子能譜...
引言 在使用濕化學(xué)硅體微機(jī)械加工制造微機(jī)電系統(tǒng)時(shí)，使用堿性溶液，如氫氧化鉀、氫氧化四甲銨和氫氧化銨。除了微機(jī)械加工之外，堿性溶液還用于單晶硅的表面紋理化...
用磷酸揭示氮化硅對(duì)二氧化硅的選擇性蝕刻機(jī)理
關(guān)鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術(shù)給我們的現(xiàn)代社會(huì)帶來了巨大的轉(zhuǎn)變。為了提高信息技術(shù)器件的存儲(chǔ)密度，我們?nèi)A...
引言 通過使用透明導(dǎo)電材料，有機(jī)發(fā)光二極管產(chǎn)生的光的提取已經(jīng)成為可能，該透明導(dǎo)電材料應(yīng)該具有明確定義的電子和光學(xué)特性。銦錫氧化物滿足了所有要求，它已迅速...
引言 陶瓷很難蝕刻。它們的化學(xué)惰性使它們非常穩(wěn)定，并且通常需要熱蝕刻技術(shù)來獲得它們的微結(jié)構(gòu)。我們介紹一項(xiàng)旨在簡(jiǎn)化陶瓷蝕刻過程的技術(shù)。 陶瓷有著廣泛的應(yīng)用...
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