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標簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經過不斷改良和工藝設備發(fā)展，亦可以用于航空、機械、化學工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產品的加工，特別在半導體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術。
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我們開發(fā)了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結構，這些微結構具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微...
為了獲得功能正常的半導體器件，我們在納米制造過程中依賴于嚴格的尺寸控制。在該初步校準之后，在相同的處理條件下在真實晶片上運行制造，隨后再次進行后處理測量...
半導體生產過程中，蝕刻工藝是非常重要的工藝。蝕刻工藝中使用的方法通常有batch式和枯葉式兩種。Batch式是用傳統(tǒng)的方法，在藥液bath中一次性加入數(shù)...
分析化學小型化的一個方便的起點在于使用單晶硅作為起始材料，微加工作為使能技術，濕化學蝕刻作為關鍵的微加工工具。在這次可行性研究和學習中都起到了關鍵作用。
了解形成MEMS制造所需的三維結構，需要SILICON的各向異性蝕刻，此時使用的濕式蝕刻工藝考慮的事項包括蝕刻率、長寬比、成本、環(huán)境污染等[1]。用于硅...
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 ...
我們在蝕刻的硅(110)表面上實驗觀察到的梯形小丘的形成，描述它們的一般幾何形狀并分析關鍵表面位置的相對穩(wěn)定性和（或）反應性。在我們的模型中，小丘被蝕刻...
在半導體器件制造中，蝕刻是指選擇性地從襯底上的薄膜去除材料并通過這種去除在襯底上創(chuàng)建該材料的圖案的技術。該圖案由一個能夠抵抗蝕刻過程的掩模定義，其創(chuàng)建過...
通過使用各向同性和各向異性工藝，可以高精度地創(chuàng)建由硅濕法蝕刻產生的微觀結構。各向同性蝕刻速度更快，但可能會在掩模下蝕刻以形成圓形?？梢愿_地控制各向異...
目的： 客戶希望我們用電子束蒸發(fā)器在較高的溫度下沉積ITO薄膜，并且薄膜電阻更小時薄膜厚度為100 nm時，薄膜厚度大于100 W/square。 樣品...
本文研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質量的關系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在11...
在本文中，我們首次報道了實現(xiàn)硅111和100晶片的晶體蝕刻的酸性溶液。通過使用六氟硅酸(也稱為氟硅酸)和硝酸的混合物，獲得暴露出各種面外111平面的硅1...
已經完成了理解硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學效應的研究。反應物克服液相傳質阻力和動力學阻力完成反應。由反應形成的氣泡附著在表面上的隨機位置，...
藍寶石LED蝕刻的新要求已經被引入，因為LED照明的新應用正在推動正確，壽命和穩(wěn)定性的極限。 量子效率的提高正在推動新的垂直結構，需要額外的蝕刻要求。 ...
在高頻水溶液中，SiO的蝕刻可以通過電場的應用而被阻礙或停止。在CMOS制造中，非常低水平的光可以導致這種影響。對溶解過程提出了平行反應路徑，并加上電場...
本文研究了HF、HNO3和H2O體系中硅的蝕刻動力學作為蝕刻劑組成的函數(shù)。蝕刻速率與蝕刻劑組成的三軸圖顯示了兩種極端的行為模式。在高硝酸組成的區(qū)域，蝕刻...
各向異性蝕刻劑通過掩模中的矩形幵口在（100）硅晶片上產生由（ 100）和（111）平面組成的孔。在這種情況下，孔的上角是尖的。如果通過無掩模濕法各向異...
在 KOH 水溶液中進行濕法化學蝕刻期間，硅 (1 1 1) 的絕對蝕刻速率已通過光學干涉測量法使用掩膜樣品進行了研究。蝕刻速率恒定為0.62 ± 0....
摘要 綜述了半導體各向異性蝕刻的表面化學和電化學。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學蝕刻和 n 型半導體中各向異性孔的電化學蝕刻的最新見解。強調了電流效...
摘要 最近從一家工業(yè)薄膜制造商收集的數(shù)據表明，近 8% 的設備由于金屬過多或設備表面上不需要的金屬而被拒絕。實驗和分析表明，這些缺陷中幾乎有一半是由于在...
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