用蝕刻法對(duì)金屬陶瓷薄膜進(jìn)行電阻修整

二極管射頻制備鉭硅金屬陶瓷薄膜的電學(xué)性能。研究了濺射和射頻。用氬氣對(duì)這些薄膜進(jìn)行濺射蝕刻。 可以看出，當(dāng)從鉭面積比超過(guò)50%的靶濺射時(shí)，鉭-二氧化硅金屬...

2022-02-25 標(biāo)簽：電阻裝置蝕刻 900 0

HF/HNO3和氫氧化鉀溶液中深濕蝕刻對(duì)硅表面質(zhì)量的影響

引言 拋光液中的污染物和表面劃痕、挖掘和亞表面損傷(固態(tài)硬盤(pán))等缺陷是激光損傷的主要前兆。我們提出了在拋光后使用HF/HNO3或KOH溶液進(jìn)行深度濕法蝕...

2022-02-24 標(biāo)簽：蝕刻硅材料 4.5k 0

濕法處理襯底的設(shè)備和系統(tǒng)裝置

摘要 公開(kāi)了一種用于濕法處理襯底的設(shè)備和系統(tǒng)，其可用于化學(xué)處理，例如蝕刻或清洗半導(dǎo)體襯底。該設(shè)備具有處理室，在該處理室中濕法處理襯底。處理液通過(guò)開(kāi)口和噴...

2022-02-24 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.5k 0

《華林科納-半導(dǎo)體工藝》減薄硅片的蝕刻技術(shù)

摘要 高效指間背接觸太陽(yáng)能電池有助于減少太陽(yáng)能電池板的面積，需要提供足夠數(shù)量的能源供家庭消費(fèi)。我們認(rèn)為適當(dāng)?shù)牟捎霉廒寮夹g(shù)的IBC電池即使在厚度不足的情況...

2022-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻 1.4k 0

III族氮化物的干法和濕法蝕刻

第三族氮化物已成為短波長(zhǎng)發(fā)射器、高溫微波晶體管、光電探測(cè)器和場(chǎng)發(fā)射尖端的通用半導(dǎo)體。這些材料的加工非常重要，因?yàn)樗鼈兙哂挟惓８叩逆I能。綜述了近年來(lái)針對(duì)這...

2022-02-23 標(biāo)簽：發(fā)射器氮化鎵蝕刻 3.5k 0

SC1/SC2蝕刻后Si表面的分析

本文首次提出了由標(biāo)準(zhǔn)SC1/SC2腐蝕周期引起的Si (100)表面改性的證據(jù)。SC1/SC2蝕刻(也稱(chēng)為RCA清洗)通過(guò)NH3:H2O2:H2O混合物...

2022-02-23 標(biāo)簽：機(jī)械晶體蝕刻 1.2萬(wàn) 0

氮化鋁單晶的濕法化學(xué)蝕刻

氮化鎵因其獨(dú)特的性質(zhì)和在光電和微電子器件中的潛在應(yīng)用而引起了廣泛的興趣。然而，GaN異質(zhì)外延層中高達(dá)108 cm-2的位錯(cuò)密度縮短了GaN基器件的壽命。...

2022-02-21 標(biāo)簽：蝕刻GaN電阻率 3.4k 0

局部濕蝕刻法制備硅玻璃凹微透鏡陣列

微透鏡陣列是重要的光學(xué)器件，因?yàn)樗鼈冊(cè)诠鈱W(xué)系統(tǒng)、微制造和生物化學(xué)系統(tǒng)中有著廣泛的應(yīng)用。本文介紹了一種利用飛秒激光增強(qiáng)化學(xué)濕法刻蝕在石英玻璃上大面積制作凹...

2022-02-18 標(biāo)簽：芯片光學(xué)蝕刻 2.8k 0

濕法蝕刻的GaAs表面研究報(bào)告

為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學(xué)傳感器，它們的表面必須進(jìn)行化學(xué)改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復(fù)吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方...

2022-02-17 標(biāo)簽：傳感器蝕刻GaAs 2.7k 0

濕法清洗后氫封端表面的原子級(jí)分析

濕清洗后，用原子分辨掃描隧道顯微鏡對(duì)氫端Si表面進(jìn)行觀(guān)察。當(dāng)將Si晶片浸入稀釋的含高頻溶液中時(shí)，通過(guò)堆積小梯田和臺(tái)階來(lái)構(gòu)建表面。當(dāng)用超純水沖洗樣品時(shí)，可...

2022-02-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管蝕刻 1.9k 0

石英單晶等離子體蝕刻工藝參數(shù)的優(yōu)化

本文對(duì)單晶石英局部等離子體化學(xué)刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化。在射頻(射頻，13.56兆赫)放電激勵(lì)下，在CF4和H2的氣體混合物中進(jìn)行蝕刻。采用田口...

2022-02-17 標(biāo)簽：工藝參數(shù)蝕刻 3.3k 0

磷酸中二氧化硅的選擇性濕法蝕刻方法

摘要 在濕法工藝實(shí)施中使用單晶片處理器是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的一種趨勢(shì)，因?yàn)樗哂袩o(wú)污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率的優(yōu)點(diǎn)。然而，...

2022-02-15 標(biāo)簽：蝕刻晶片 3k 0

通過(guò)濕法蝕刻改善InAs工藝報(bào)告

III-V半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于氣體檢測(cè)系統(tǒng)、光電探測(cè)器、光遺傳學(xué)、生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用、高電子遷移率和異質(zhì)結(jié)雙極晶體管、諧振隧穿二極管和自旋電子器件太陽(yáng)能電池的制造...

2022-02-14 標(biāo)簽：機(jī)械工藝蝕刻 1.2k 0

通過(guò)紫外線(xiàn)輔助光蝕刻技術(shù)實(shí)現(xiàn)的濕式蝕刻

我們?nèi)A林科納使用K2S2O8作為氧化劑來(lái)表征基于KOH的紫外(UV)光輔助濕法蝕刻技術(shù)。該解決方案提供了良好控制的蝕刻速率，并產(chǎn)生了光滑的高質(zhì)量蝕刻表面...

2022-02-14 標(biāo)簽：晶體管蝕刻GaN 1.3k 0

關(guān)于微技術(shù)中硅反應(yīng)離子刻蝕的研究

等離子體輔助刻蝕的基礎(chǔ)簡(jiǎn)單；使用氣體輝光放電來(lái)離解和離子化相對(duì)穩(wěn)定的分子，形成化學(xué)反應(yīng)性和離子性物質(zhì)，并選擇化學(xué)物質(zhì)，使得這些物質(zhì)與待蝕刻的固體反應(yīng)，形...

2022-02-14 標(biāo)簽：材料監(jiān)測(cè)蝕刻 2.5k 0

循環(huán)緩沖氧化物蝕刻過(guò)濾器的特性報(bào)告

本文討論了我們?nèi)A林科納用于再循環(huán)蝕刻浴的過(guò)濾器的物理、性能和成本特性。然而，要為生產(chǎn)操作選擇合適的過(guò)濾器，還需要蝕刻應(yīng)用知識(shí)和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)。

2022-02-10 標(biāo)簽：蝕刻性能過(guò)濾器 719 0

SiC高溫退火刻蝕的各向異性實(shí)驗(yàn)報(bào)告

我們研究了高溫退火法對(duì)4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的，但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形，這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六...

2022-02-09 標(biāo)簽：實(shí)驗(yàn)SiC蝕刻 1.8k 0

通過(guò)熱增強(qiáng)提高氮化鎵的濕蝕刻速率報(bào)告

通過(guò)增加過(guò)硫酸鹽(S2O82-)離子溶液的溫度和254n波長(zhǎng)紫外線(xiàn)(UVC)暴露，硫酸鎵(氮化鎵)的非接觸光電化學(xué)(CL-PEC(UVC)(Horiki...

2022-02-09 標(biāo)簽：設(shè)備氮化鎵蝕刻 1.1k 0

關(guān)于InP在HCl溶液中的蝕刻研究報(bào)告

基于HC1的蝕刻劑被廣泛應(yīng)用于InP半導(dǎo)體器件，HC1溶液中其他酸的存在對(duì)蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡(jiǎn)單氧化劑的傳統(tǒng)蝕刻劑中，為了解決...

2022-02-09 標(biāo)簽：電極蝕刻溶液 1.7k 0

氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻的實(shí)驗(yàn)報(bào)告

索引術(shù)語(yǔ):氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意...

2022-02-07 標(biāo)簽：化學(xué)蝕刻 2.3k 0