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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來(lái)制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過(guò)不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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鍺化硅（SiGe）和硅（Si）之間的各向同性和選擇性蝕刻機(jī)制
引言 目前，硅的電氣和熱性能在微電子技術(shù)領(lǐng)域中應(yīng)用廣泛。鍺化硅（SiGe）合金的使用頻率越來(lái)越高，在互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)中，英思特通過(guò)使用SON結(jié)構(gòu)...
東京電子新型蝕刻機(jī)研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團(tuán)市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位
根據(jù)已公開(kāi)的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開(kāi)發(fā)...
泛林集團(tuán)業(yè)績(jī)創(chuàng)新高，中國(guó)市場(chǎng)占比48%
Yahoo Finance網(wǎng)站顯示，分析師預(yù)期泛林集團(tuán)第二季營(yíng)收、Non-GAAP每股稀釋盈余各為37.1億美元、7.1美元。
共讀好書 高曉義 陳益鋼 （上海大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院 上海飛凱材料科技股份有限公司） 摘要： 在先進(jìn)封裝的銅種子層濕法蝕刻工藝中，電鍍銅鍍層的蝕刻存在...
引言 近年來(lái)，硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此，人們對(duì)硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運(yùn)研究有相當(dāng)大的興趣。在定義Si/SiGe中的不...
韓國(guó)POSCO與中泰深冷成立合資公司，將生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需氣體
兩家公司計(jì)劃生產(chǎn)氖、氙、氪等芯片生產(chǎn)所必需的惰性氣體，按照計(jì)劃，生產(chǎn)線將于2025年投入使用。此外，這些氣體還常用于退火、光刻、等離子蝕刻和化學(xué)氣相沉積等環(huán)節(jié)。
在經(jīng)歷了近十年和五個(gè)主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開(kāi)始從 FinFET過(guò)渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。 相對(duì)于FinFE...
在過(guò)去的幾年里，200mm設(shè)備在市場(chǎng)上一直供不應(yīng)求，但現(xiàn)在整個(gè)300mm供應(yīng)鏈也出現(xiàn)了問(wèn)題。傳統(tǒng)上，300毫米設(shè)備的交貨時(shí)間為三到六個(gè)月，而特定系統(tǒng)的交...
韓國(guó)晶圓蝕刻設(shè)備優(yōu)質(zhì)制造商 APTC 今日宣布，已成功與一家美國(guó)芯片制造商達(dá)成供應(yīng)協(xié)議。APTC首席執(zhí)行官 Choi Woo-hyung 指出，成為合作...
GaN和相關(guān)合金由于其優(yōu)異的特性以及大的帶隙、高的擊穿電場(chǎng)和高的電子飽和速度而成為有吸引力的材料之一，與優(yōu)化工藝過(guò)程相關(guān)的成熟材料是有源/無(wú)源射頻光電子...
泛林集團(tuán)獨(dú)家向三星等原廠供應(yīng)HBM用TSV設(shè)備
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設(shè)備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設(shè)備，深度蝕刻到晶片內(nèi)部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的...
關(guān)于鋁鎵氮（AlGaN）上p-GaN的高選擇性、低損傷蝕刻
GaN基高電子遷移率晶體管（HEMT）由于其高頻和低導(dǎo)通電阻的特性，近來(lái)在功率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中引起了廣泛關(guān)注。二維電子氣（2DEG）是由AlGaN/GaN異質(zhì)...
Si(111)襯底上脈沖激光沉積AlN外延薄膜的界面反應(yīng)控制及其機(jī)理
通過(guò)有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長(zhǎng)高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對(duì)PLD生長(zhǎng)的AlN/Si異質(zhì)界...
懸浮波導(dǎo)SiO2薄膜的應(yīng)力和折射率控制
懸浮二氧化硅結(jié)構(gòu)對(duì)于許多光學(xué)和光子集成電路(PIC)應(yīng)用是重要的，例如寬光譜頻率梳，低傳播損耗波導(dǎo)，以及紫外-可見(jiàn)光濾光器等。除了這些應(yīng)用，懸浮波導(dǎo)還可...
俄羅斯積極開(kāi)發(fā)***，最快會(huì)2024年有成果
Vasily Shpak表示，從2024年開(kāi)始，俄羅斯將撥款211.4億盧布（約23億美元）用于國(guó)內(nèi)電子產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并計(jì)劃開(kāi)發(fā)350nm到65nm微影光刻機(jī)。
英思特研究了在低溫下用乙酸去除氧化銅。乙酸去除各種氧化銅，包括氧化亞銅、氧化銅和氫氧化銅，而不會(huì)侵蝕下面的銅膜。
通過(guò)檢測(cè)金剛石線鋸硅片表面顆粒負(fù)荷來(lái)評(píng)價(jià)清洗工藝的新方法
高效硅太陽(yáng)能電池的加工在很大程度上取決于高幾何質(zhì)量和較低污染的硅晶片的可用性。在晶圓加工結(jié)束時(shí)，有必要去除晶圓表面的潛在污染物，例如有機(jī)物、金屬和顆粒。...
2023-11-01 標(biāo)簽：太陽(yáng)能電池測(cè)試晶圓 951 0
硅集成電路(IC)的制造需要500-600個(gè)工藝步驟，具體取決于器件的具體類型。在將整個(gè)晶圓切割成單獨(dú)的芯片之前，大部分步驟都是作為單元過(guò)程進(jìn)行的。大約...
具有獨(dú)特底部輪廓的剝離光刻膠的開(kāi)發(fā)
金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過(guò)程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省成本和...
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