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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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摘要 微流體和光學(xué)傳感平臺(tái)通常由玻璃和熔融石英(石英)制成，因?yàn)樗鼈兙哂泄鈱W(xué)透明性和化學(xué)惰性。氫氟酸(HF)溶液是用于深度蝕刻二氧化硅襯底的選擇的蝕刻介...
玻璃表面蝕刻紋路由于5G時(shí)代玻璃手機(jī)后蓋流行成為趨勢(shì)，預(yù)測(cè)大部分中高端機(jī)型將采用玻璃作為手機(jī)的后蓋板。因此，基于玻璃材質(zhì)的微加工工藝也就成為CMF研究中...
關(guān)于GaAs在酸性和堿性溶液中的濕蝕刻研究報(bào)告
摘要 我們?nèi)A林科納用同步光電發(fā)射光譜法研究了無氧化物砷化鎵表面與酸性(鹽酸+2-丙醇)和堿性(氨水）溶液的相互作用。結(jié)果表明，兩種溶液主要處理表面鎵原子...
關(guān)于微技術(shù)中硅反應(yīng)離子刻蝕的研究
等離子體輔助刻蝕的基礎(chǔ)簡(jiǎn)單；使用氣體輝光放電來離解和離子化相對(duì)穩(wěn)定的分子，形成化學(xué)反應(yīng)性和離子性物質(zhì)，并選擇化學(xué)物質(zhì)，使得這些物質(zhì)與待蝕刻的固體反應(yīng)，形...
2022-02-14 標(biāo)簽：材料監(jiān)測(cè)蝕刻 2.5k 0
摘要 最近從一家工業(yè)薄膜制造商收集的數(shù)據(jù)表明，近 8% 的設(shè)備由于金屬過多或設(shè)備表面上不需要的金屬而被拒絕。實(shí)驗(yàn)和分析表明，這些缺陷中幾乎有一半是由于在...
二氧化硅蝕刻標(biāo)準(zhǔn)操作程序研究報(bào)告
緩沖氧化物蝕刻(BOE)或僅僅氫氟酸用于蝕刻二氧化硅在硅上晶片。 緩沖氧化蝕刻是氫氟酸和氟化銨的混合物。含氟化銨的蝕刻使硅表面具有原子平滑的表面高頻。 ...
側(cè)蝕問題是蝕刻參數(shù)中經(jīng)常被提出來討論的一項(xiàng)，它被定義為側(cè)蝕寬度與蝕刻深度之比， 稱為蝕刻因子。
硅集成電路(IC)的制造需要500-600個(gè)工藝步驟，具體取決于器件的具體類型。在將整個(gè)晶圓切割成單獨(dú)的芯片之前，大部分步驟都是作為單元過程進(jìn)行的。大約...
印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個(gè)比較復(fù)雜的物理和化學(xué)反應(yīng)的過程，本文就對(duì)其最后的一步--蝕刻進(jìn)行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝...
本研究的目的是我們?nèi)A林科納開發(fā)足夠快的氮化鈦蝕刻配方，可用于單晶片工具(SWT)，但對(duì)電介質(zhì)和金屬具有高選擇性。大多數(shù)蝕刻實(shí)驗(yàn)是在分子間Tempus F...
氮化鎵的大面積光電化學(xué)蝕刻的實(shí)驗(yàn)報(bào)告
索引術(shù)語:氮化鎵，蝕刻 摘要 本文介紹了我們?nèi)A林科納的一種利用氫氧化鉀溶液和大面積汞燈照明對(duì)氮化鎵進(jìn)行光增強(qiáng)濕法化學(xué)刻蝕的工藝。討論了n+氮化鎵、非有意...
引言 在使用濕化學(xué)硅體微機(jī)械加工制造微機(jī)電系統(tǒng)時(shí)，使用堿性溶液，如氫氧化鉀、氫氧化四甲銨和氫氧化銨。除了微機(jī)械加工之外，堿性溶液還用于單晶硅的表面紋理化...
關(guān)于氮化鎵的晶體學(xué)濕式化學(xué)蝕刻的研究
光增強(qiáng)電化學(xué)（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低、表面損傷較低的優(yōu)點(diǎn)，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切...
一站式PCBA智造廠家今天為大家講講影響pcb蝕刻性能的因素有哪些方面?影響pcb蝕刻性能的因素。PCB蝕刻是PCB制造過程中的關(guān)鍵步驟之一，影響蝕刻性...
2024-03-28 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)蝕刻PCB 2.2k 0
半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)
摘要 綜述了半導(dǎo)體各向異性蝕刻的表面化學(xué)和電化學(xué)。描述了對(duì)堿性溶液中硅的各向異性化學(xué)蝕刻和 n 型半導(dǎo)體中各向異性孔的電化學(xué)蝕刻的最新見解。強(qiáng)調(diào)了電流效...
引言 介紹了一種蝕刻后殘留物清洗配方，該配方基于平衡氫氟酸的腐蝕性及其眾所周知的殘留物去除特性。在最初由基于高k電介質(zhì)的殘留物提供的清潔挑戰(zhàn)所激發(fā)的一系...
包括汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和能源行業(yè)在內(nèi)的多種電子應(yīng)用對(duì)大功率設(shè)備的需求正在增加。如今，功率器件必須滿足高效率、高功率密度、低功耗和出色的熱管理等嚴(yán)格要求...
介紹 硅或二氧化硅已被用作犧牲層來制造獨(dú)立式結(jié)構(gòu)，例如微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)中的梁、懸臂和隔膜。傳統(tǒng)的含水HF已經(jīng)廣泛用于蝕刻二氧化硅犧牲層，因?yàn)樗杀?..
引言 我們?nèi)A林科納討論了一種高速率各向異性蝕刻工藝，適用于等離子體一次蝕刻一個(gè)晶片。結(jié)果表明，蝕刻速率主要取決于Cl濃度，而與用于驅(qū)動(dòng)放電的rf功率無關(guān)...
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