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標(biāo)簽 > 蝕刻
最早可用來制造銅版、鋅版等印刷凹凸版，也廣泛地被使用于減輕重量（Weight Reduction）儀器鑲板，銘牌及傳統(tǒng)加工法難以加工之薄形工件等的加工；經(jīng)過不斷改良和工藝設(shè)備發(fā)展，亦可以用于航空、機(jī)械、化學(xué)工業(yè)中電子薄片零件精密蝕刻產(chǎn)品的加工，特別在半導(dǎo)體制程上，蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
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韓國POSCO與中泰深冷成立合資公司，將生產(chǎn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)所需氣體
兩家公司計(jì)劃生產(chǎn)氖、氙、氪等芯片生產(chǎn)所必需的惰性氣體，按照計(jì)劃，生產(chǎn)線將于2025年投入使用。此外，這些氣體還常用于退火、光刻、等離子蝕刻和化學(xué)氣相沉積等環(huán)節(jié)。
引言 通過使用透明導(dǎo)電材料，有機(jī)發(fā)光二極管產(chǎn)生的光的提取已經(jīng)成為可能，該透明導(dǎo)電材料應(yīng)該具有明確定義的電子和光學(xué)特性。銦錫氧化物滿足了所有要求，它已迅速...
基于 KOH 的 AIN 和 GaN 體的選擇性濕化學(xué)蝕刻
我們?nèi)A林科納開發(fā)了一種可控、平滑的氫氧化鉀基濕法刻蝕技術(shù)，AlN和AlxGa1xN之間的高選擇性被發(fā)現(xiàn)對于基于AlGaN的深紫外發(fā)光二極管實(shí)現(xiàn)有效的襯底...
AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)的氧基數(shù)字蝕刻
寬帶隙GaN基高電子遷移率晶體管(HEMTs)和場效應(yīng)晶體管(fet)能夠提供比傳統(tǒng)Si基高功率器件更高的擊穿電壓和電子遷移率。常關(guān)GaN非常需要HEM...
使用 ClF 3 H 2遠(yuǎn)程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅
在濕蝕刻的情況下，隨著SiNx/SiOy層的厚度減小，剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌，蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
韓國晶圓蝕刻設(shè)備優(yōu)質(zhì)制造商 APTC 今日宣布，已成功與一家美國芯片制造商達(dá)成供應(yīng)協(xié)議。APTC首席執(zhí)行官 Choi Woo-hyung 指出，成為合作...
? 通過小心增加[H2O]來提高蝕刻速率和清洗性能。IK 73中基礎(chǔ)配方技術(shù)的有效性可以通過小心處理三種主要成分的比例來突出。在本例中，配方調(diào)整產(chǎn)生了一...
SiC高溫退火刻蝕的各向異性實(shí)驗(yàn)報(bào)告
我們研究了高溫退火法對4h-SiC蝕刻形狀的轉(zhuǎn)變。雖然蝕刻掩模是圓形的，但蝕刻的形狀是六邊形、十二邊形或十八邊形，這取決于蝕刻面積的大小(圖。 1).六...
2022-02-09 標(biāo)簽：實(shí)驗(yàn)SiC蝕刻 1.8k 0
關(guān)于氮化鎵的深紫外增強(qiáng)濕法化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告
本文探討了紫外輻照對生長在藍(lán)寶石襯底上的非有意摻雜n型氮化鎵(GaN)層的濕法化學(xué)刻蝕的影響。實(shí)驗(yàn)過程中，我們發(fā)現(xiàn)氮化鎵的蝕刻發(fā)生在pH值分別為2-1和...
關(guān)于InP在HCl溶液中的蝕刻研究報(bào)告
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應(yīng)用于InP半導(dǎo)體器件，HC1溶液中其他酸的存在對蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡單氧化劑的傳統(tǒng)蝕刻劑中，為了解決...
東京電子新型蝕刻機(jī)研發(fā)挑戰(zhàn)泛林集團(tuán)市場領(lǐng)導(dǎo)地位
根據(jù)已公開的研究報(bào)告，東京電子的新式蝕刻機(jī)具備在極低溫環(huán)境下進(jìn)行高速蝕刻的能力。據(jù)悉，該機(jī)器可在33分鐘內(nèi)完成10微米的蝕刻工作。此外，設(shè)備使用了新開發(fā)...
影響 PCB 板蝕刻的因素 電路板從發(fā)光板轉(zhuǎn)變?yōu)轱@示電路圖的過程頗為復(fù)雜。當(dāng)前，電路板加工典型采用 “圖形電鍍法”，即在電路板外層需保留的銅箔部分（即電...
印度展開鋁箔反傾銷調(diào)查，中國產(chǎn)品或進(jìn)口產(chǎn)品成為目標(biāo)
然而，經(jīng)過詳細(xì)考慮，本次調(diào)查將完全不涉及厚度低于5.5微米的非電容器用鋁箔，也不會(huì)涉及原產(chǎn)自中國、印度尼西亞、馬來西亞和泰國且厚度不超過80微米的鋁箔，...
Si(111)襯底上脈沖激光沉積AlN外延薄膜的界面反應(yīng)控制及其機(jī)理
通過有效控制AlN薄膜與Si襯底之間的界面反應(yīng)，利用脈沖激光沉積（PLD）在Si襯底上生長高質(zhì)量的AlN外延薄膜。英思特對PLD生長的AlN/Si異質(zhì)界...
等離子體蝕刻是氮化鎵器件制造的一個(gè)必要步驟，然而，載體材料的選擇可能會(huì)實(shí)質(zhì)上改變蝕刻特性。在小型單個(gè)芯片上制造氮化鎵（GaN）設(shè)備，通常會(huì)導(dǎo)致晶圓的成本...
通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用...
濕法蝕刻工藝與顯示檢測技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新
在顯示技術(shù)飛速迭代的今天，微型LED、柔性屏、透明顯示等新型器件對制造工藝提出了前所未有的挑戰(zhàn)：更精密的結(jié)構(gòu)、更低的損傷率、更高的量產(chǎn)一致性。作為研發(fā)顯...
近來，為提高IC芯片性能，倒裝芯片鍵合被廣泛采用。要實(shí)現(xiàn)倒裝芯片鍵合，需要大量的通孔。因此，硅通孔（TSV）被應(yīng)用。然而，硅有幾個(gè)缺點(diǎn)，例如其價(jià)格相對較...
VCSEL激光在蝕刻和光刻中應(yīng)用廣泛，提高精度和效率。銀月光科技提供多波長VCSEL激光器，定制化服務(wù)，助力工業(yè)生產(chǎn)高效高質(zhì)量。未來，更多種類VCSEL...
藍(lán)寶石LED蝕刻的新要求已經(jīng)被引入，因?yàn)長ED照明的新應(yīng)用正在推動(dòng)正確，壽命和穩(wěn)定性的極限。 量子效率的提高正在推動(dòng)新的垂直結(jié)構(gòu)，需要額外的蝕刻要求。 ...
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