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標簽 > 非易失性存儲器
非易失性存儲器一般指非易失性內(nèi)存,非易失性存儲器(英語:non-volatile memory,縮寫為NVM)是指當電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
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武漢新芯50nm高性能SPI NOR Flash產(chǎn)品全線量產(chǎn)
XM25QWxxC系列產(chǎn)品在1.65V至3.6V電壓范圍內(nèi)讀取速度可達133MHz(在所有單/雙/四通道和QPI模式下均支持),工作溫度范圍可達-40℃...
Silicon Storage Technology和GLOBALFOUNDRIES宣布汽車級55nm嵌入式閃存技術(shù)獲認證
2015年5月15日,全球領(lǐng)先的整合單片機、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯...
2015-05-18 標簽:非易失性存儲器GLOBALFOUNDRIES 1.8k 0
X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能
基于公司成熟的SONOS技術(shù),新增的Flash和EEPROM為汽車,醫(yī)療和工業(yè)領(lǐng)域帶來了許多新的可能性。
Everspin?MRAM解決方案供應(yīng)商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統(tǒng)的EMxxLX xSPI MRAM 非易失性存儲器解決方案。該解決方案可以替代S...
基于域或區(qū)域的ECU架構(gòu)過渡優(yōu)勢
基于區(qū)域和基于域的體系結(jié)構(gòu)都支持硬件和軟件生命周期的分離。兩者都允許制造商在不更改組件的情況下更新和升級車輛軟件。這些新架構(gòu)還提供軟件定義的車輛,可以在...
HIRO 部署新一代可擴展邊緣微型數(shù)據(jù)中心
與匈牙利創(chuàng)新硬件設(shè)計公司 PCB Design Ltd.密切合作,開發(fā)了一個堅固耐用的高性能通信與計算解決方案。
2021-12-15 標簽:物聯(lián)網(wǎng)人工智能機器學習 1.6k 0
縱觀整個市場,現(xiàn)在的汽車究竟搭載了多少復雜的功能?自動泊車、碰撞警告、主動剎車、ACC自適應(yīng)巡航、VSA車聯(lián)網(wǎng)檢查、ISA電子警察系統(tǒng)、TMC實時交通系...
Microchip推出八通道12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器,支持體積更小或空間受限的系統(tǒng)
八通道12位數(shù)模轉(zhuǎn)換器將非易失性存儲器與集成參考電壓源相結(jié)合,降低上電期間的處理器開銷,同時支持體積更小或空間受限的系統(tǒng)。
2020-10-22 標簽:混合信號microchip數(shù)模轉(zhuǎn)換器 1.5k 0
MRAM芯片MR4A16BMA35是一款適用于自動化控制器的存儲器芯片
Everspin了解客戶在工業(yè)市場中對長期數(shù)據(jù)保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中非常重要。該技術(shù)的固有耐用性通過避免使用其他非易失性存儲器技...
貿(mào)澤電子即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution產(chǎn)品
貿(mào)澤電子宣布即日起開售Fujitsu Semiconductor Memory Solution的鐵電隨機存取存儲器 (FRAM) 和高密度電阻式隨機存...
A股今年以來最大IPO!多家產(chǎn)業(yè)鏈公司爭相“打新”
今日,華虹公司(華虹半導體)開啟申購,申購代碼為787347,發(fā)行價格為52.0元/股,單一賬戶申購上限40500股,頂格申購需配市值40.5萬元。
切換(或場驅(qū)動)MRAM包括大部分的獨立MRAM設(shè)備。然而切換MRAM的規(guī)模不足以取代大多數(shù)其他記憶。STT-MRAM產(chǎn)品將擴展到更高的密度,需要更低的...
什么才是嵌入式Flash的邊界? 嵌入式Flash是一種非易失性存儲器,常用于嵌入式電子設(shè)備中,如智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機、車載娛樂系統(tǒng)等。它與傳統(tǒng)...
嵌入式存儲IP在5G、汽車電子領(lǐng)域的應(yīng)用
2022年11月16日-18日,由工業(yè)和信息化部、安徽省人民政府主辦的2022世界集成電路大會在安徽合肥舉行。本次大會的舉辦旨在進一步加強全球集成電路產(chǎn)...
羅徹斯特電子將推出采用SOIC-44封裝的Spansion 5V NOR Flash產(chǎn)品
羅徹斯特電子為長生命周期應(yīng)用提供持續(xù)支持 半導體生命周期一直面臨著供貨壓力,羅徹斯特電子擁有超過120億顆晶圓庫存,可提供70,000多種復產(chǎn)解決方案,...
過去,內(nèi)存的進步主要通過密度或每比特成本的提高來衡量。但是,隨著對非易失性存儲器的性能要求的發(fā)展,用于選擇它們的標準也發(fā)生了變化。工廠自動化、自動駕駛汽...
在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)(MTJ)STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。包括40nm,28nm及更高工藝在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的...
華虹半導體業(yè)務(wù)以功率器件全年收入創(chuàng)新高
產(chǎn)能利用率方面,2022年第四季度總產(chǎn)能利用率為103.2%,其中8英寸產(chǎn)能利用率達105.9%,12英寸產(chǎn)能利用率為99.9%。
非易失性存儲器是指當電流關(guān)掉后,所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中,依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標準,可分為二大類產(chǎn)品...
Everspin非易失性MRAM-MR0D08BMA45R的特征
MR0D08BMA45R是一款雙電源1Mbit的磁阻隨機存取存儲器(MRAM)器件。支持+1.6~+3.6V的I/O電壓。提供SRAM兼容的45ns讀/...
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