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標(biāo)簽 > 3d封裝
3D封裝的形式有很多種,主要可分為填埋型、有源基板型和疊層型等3類。填埋型三維立體封裝出現(xiàn)上世紀(jì)80年代,它是將元器件填埋在基板多層布線內(nèi)或填埋、制作在基板內(nèi)部,它不但能靈活方便地制作成填埋型,而且還可以作為IC芯片后布線互連技術(shù),使填埋的壓焊點(diǎn)與多層布線互連起來(lái)。這就可以大大減少焊接點(diǎn),提高電子部件封裝的可靠性。
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先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)接板的典型結(jié)構(gòu)和分類
摩爾定律精準(zhǔn)預(yù)言了近幾十年集成電路的發(fā)展。然而,逐漸逼近的物理極限、更高的性能需求和不再經(jīng)濟(jì)的工藝制程,已引發(fā)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)重新考慮集成工藝方法和系統(tǒng)縮...
先進(jìn)制程芯片的“三大攔路虎” 先進(jìn)制程芯片設(shè)計(jì)成功的關(guān)鍵
雖然摩爾定律走到極限已成行業(yè)共識(shí),但是在現(xiàn)代科技領(lǐng)域中,先進(jìn)制程芯片的設(shè)計(jì)仍是實(shí)現(xiàn)高性能、低功耗和高可靠性的關(guān)鍵。
2023-08-08 標(biāo)簽:電感器芯片設(shè)計(jì)SoC芯片 3.1k 0
3D封裝熱設(shè)計(jì):挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,芯片封裝技術(shù)也在持續(xù)進(jìn)步。目前,2D封裝和3D封裝是兩種主流的封裝技術(shù)。這兩種封裝技術(shù)在散熱路徑和熱設(shè)計(jì)方面有著各自的特點(diǎn)和挑...
2024-07-25 標(biāo)簽:半導(dǎo)體封裝芯片封裝3D封裝 3.1k 0
先進(jìn)半導(dǎo)體封裝技術(shù)的革新與演進(jìn)之路
基于熱壓鍵合(TCB)工藝的微泵技術(shù)已經(jīng)比較成熟,在各種產(chǎn)品中都一直在用。其技術(shù)路線在于不斷擴(kuò)大凸點(diǎn)間距。
2024-03-04 標(biāo)簽:處理器gpu半導(dǎo)體封裝 3.1k 0
系統(tǒng)級(jí)封裝SiP:高效集成方案與SoC比較分析
WLP 可以有效提高封裝集成度,通常采用倒裝(FC)互連技術(shù),是芯片尺寸封裝 CSP 中空間占用最小的一種。
2024-04-17 標(biāo)簽:pcbSiP系統(tǒng)封裝 2.9k 0
半導(dǎo)體芯片封裝知識(shí):2.5D和3D封裝的差異和應(yīng)用
半導(dǎo)體芯片封裝是指半導(dǎo)體器件的保護(hù)外殼。該保護(hù)殼可保護(hù)電路免受腐蝕和物理傷害,同時(shí)還便于連接電氣連接以將其與印刷電路板 (PCB) 連接。
2024-01-06 標(biāo)簽:印刷電路板半導(dǎo)體芯片3D封裝 2.8k 0
3D封裝的優(yōu)勢(shì)、結(jié)構(gòu)類型與特點(diǎn)
近年來(lái),隨著移動(dòng)通信和便攜式智能設(shè)備需求的飛速增長(zhǎng)及性能的不斷提升,對(duì)半導(dǎo)體集成電路性能的要求日益提高。然而,當(dāng)集成電路芯片特征尺寸持續(xù)縮減至幾十納米,...
易于實(shí)現(xiàn)且全面的3D堆疊裸片器件測(cè)試方法
當(dāng)裸片尺寸無(wú)法繼續(xù)擴(kuò)大時(shí),開發(fā)者開始考慮投入對(duì) 3D 堆疊裸片方法的研究。考慮用于 3D 封裝的高端器件已經(jīng)將當(dāng)前的可測(cè)試性設(shè)計(jì) (DFT) 解決方案推...
在廣告中,3D封裝通常放置在視覺設(shè)計(jì)層。視覺設(shè)計(jì)是廣告中至關(guān)重要的一個(gè)層面,通過(guò)圖像、顏色和排版等視覺元素來(lái)引起目標(biāo)受眾的注意,并傳達(dá)廣告的信息。 3D...
2024-01-04 標(biāo)簽:電子產(chǎn)品AD3D封裝 2.4k 0
3D封裝與系統(tǒng)級(jí)封裝概述 一、引言:先進(jìn)封裝技術(shù)的演進(jìn)背景 隨著摩爾定律逐漸逼近物理極限,半導(dǎo)體行業(yè)開始從單純依賴制程微縮轉(zhuǎn)向封裝技術(shù)創(chuàng)新。3D封裝和系...
2025-03-22 標(biāo)簽:系統(tǒng)級(jí)封裝3D封裝 2.3k 0
半導(dǎo)體封裝已從傳統(tǒng)的 1D PCB 設(shè)計(jì)發(fā)展到晶圓級(jí)的尖端 3D 混合鍵合。這一進(jìn)步允許互連間距在個(gè)位數(shù)微米范圍內(nèi),帶寬高達(dá) 1000 GB/s,同時(shí)保...
打破IC發(fā)展限制,向高密度封裝時(shí)代邁進(jìn)。集成電路封裝是指將制備合格芯片、元件等裝配到載體上,采用適當(dāng)連接技術(shù)形成電氣連接,安裝外殼,構(gòu)成有效組件的整個(gè)過(guò)...
2023-10-08 標(biāo)簽:芯片集成電路IC設(shè)計(jì) 2.2k 0
在進(jìn)行 Altium Designer 進(jìn)行硬件電路設(shè)計(jì)的時(shí)候,首先得有 元件庫(kù) 才能進(jìn)行后面的電路設(shè)計(jì),不然就是巧婦難為無(wú)米之炊,上哪整出最終的電路產(chǎn)...
自戈登·摩爾1965年提出晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月翻倍的預(yù)言以來(lái),摩爾定律已持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)跨越半個(gè)世紀(jì),從CPU、GPU到專用加速器均受益于此。
從 2D 擴(kuò)展到異構(gòu)集成和 3D 封裝對(duì)于提高半導(dǎo)體器件性能變得越來(lái)越重要。近年來(lái),先進(jìn)封裝技術(shù)的復(fù)雜性和可變性都在增加,以支持更廣泛的設(shè)備和應(yīng)用。在本...
如何利用3D封裝和組件放置解決POL穩(wěn)壓器散熱難題?
POL 穩(wěn)壓器之所以產(chǎn)生熱量,是因?yàn)闆]有電壓轉(zhuǎn)換效率能夠達(dá)到 100%。這樣一來(lái)就產(chǎn)生了一個(gè)問(wèn)題,由封裝結(jié)構(gòu)、布局和熱阻導(dǎo)致的熱量會(huì)有多大? 封裝的熱阻...
2018-08-13 標(biāo)簽:pcbpol穩(wěn)壓器3d封裝 2.1k 0
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