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DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動態(tài)隨機存取存儲器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的信息就會丟失。（關(guān)機就會丟失數(shù)據(jù)）

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華邦電子朱迪：AI和汽車半導(dǎo)體需求持續(xù)抬升，看好DRAM市場增長

2023年，盡管面臨宏觀環(huán)境疲弱所致的存儲行業(yè)整體景氣不佳，華邦依然依靠對行業(yè)和客戶的深度耕耘和優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品及服務(wù)取得不錯成績，業(yè)績表現(xiàn)較友商相對為佳。20...

2024-01-02 標(biāo)簽：DRAM AI 華邦電子 3.3k 0

三星半導(dǎo)體立志達成高額營業(yè)利潤

證券分析人士預(yù)計，2023年，三星電子整體營業(yè)利潤將達33.81萬億韓元，這使得該公司DS部門的營業(yè)利潤有望翻倍。然而需要注意的是，盡管這樣的預(yù)期表現(xiàn)積...

2024-01-02 標(biāo)簽：DRAM Nand 三星電子 1k 0

日本擴大投資補貼，挑戰(zhàn)韓國半導(dǎo)體行業(yè)主導(dǎo)地位

韓國新聞網(wǎng)站《東亞日報》對此發(fā)表評論指出，面臨強大的競爭環(huán)境，東京政府毅然推出了高達50％的半導(dǎo)體補貼計劃，這對于吸引當(dāng)?shù)丶皣H上的商業(yè)巨頭發(fā)揮著重要作...

2023-12-29 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 產(chǎn)業(yè)鏈 1.2k 0

海太半導(dǎo)體擬將7800萬美元應(yīng)收賬款轉(zhuǎn)給建行無錫分行

參與這項交易有助于加快海太半導(dǎo)體的資金回籠速度，降低公司的應(yīng)收賬款余額，推動其資產(chǎn)負(fù)債結(jié)構(gòu)及經(jīng)營現(xiàn)金流的優(yōu)化，最終助力海太半導(dǎo)體維持穩(wěn)健的生產(chǎn)運營以及支...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 模組 1.1k 0

日本巨額補貼半導(dǎo)體，引發(fā)韓國擔(dān)憂

據(jù)報道，美光公司正在日本廣島興建DRAM工廠，已得到來自日本政府約39%的投資額補貼，其預(yù)期的成本競爭力由提升5%-7%。在半導(dǎo)體設(shè)備投入大量資金的情況...

2023-12-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 臺積電 1.3k 0

三星及Naver展示能效比英偉達芯片高8倍的AI芯片

韓國政府計劃到2030年分三個階段增強韓國產(chǎn)AI半導(dǎo)體。

2023-12-28 標(biāo)簽：DRAM 人工智能 NPU 1.7k 0

兆易創(chuàng)新：NOR Flash和SLC Nand Flash價格已趨于平穩(wěn)

對于DRAM業(yè)務(wù)，這個公司的主要是低端市場，如小容量DDR4、DDR3等產(chǎn)品，且正在積極投入8Gb DDR4等新型DRAM研發(fā)，以便完善標(biāo)準(zhǔn)接口DRAM...

2023-12-27 標(biāo)簽：mcu DRAM DDR4 1.3k 0

佰維公司成功推出支持CXL 2.0規(guī)范的CXL DRAM內(nèi)存擴展模塊

　　近日，國內(nèi)知名存儲器制造企業(yè)佰維科技股份有限公司(以下簡稱“佰維”)欣然宣告，其在DRAM技術(shù)領(lǐng)域取得了重要突破——成功研發(fā)并量產(chǎn)了符合CXL 2....

2023-12-27 標(biāo)簽：DRAM 存儲器內(nèi)存 1.5k 0

佰維發(fā)布CXL 2.0 DRAM，賦能高性能計算

導(dǎo)語： CXL是一種開放式全新互聯(lián)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，可在主機處理器與加速器、內(nèi)存緩沖區(qū)、智能I/O設(shè)備等設(shè)備之間提供高帶寬、低延遲連接，從而滿足高性能異構(gòu)計算的...

2023-12-27 標(biāo)簽：DRAM SSD 高性能計算 1.6k 1

NOR Flash行業(yè)將迎來拐點明年可能供不應(yīng)求

在這一氛圍下，NOR Flash行業(yè)已開始醞釀漲價。臺灣經(jīng)濟日報今日有消息指出，預(yù)計NOR Flash將接棒啟動存儲芯片新一輪漲價潮，預(yù)計明年1月起先漲...

2023-12-26 標(biāo)簽：DRAM NAND NOR flash 1k 0

消息稱美光HBM3E正接受主要客戶質(zhì)量評價

美光已明確表示，預(yù)期明年將進占市場份額約5%，排名第三。為了縮小與各領(lǐng)軍者間的距離，他們決定在受到矚目的HBM3E上加大研發(fā)力度，且計劃于2023年最后...

2023-12-26 標(biāo)簽：DRAM 美光英偉達 999 0

DRAM、NAND閃存漲價意愿非常強烈

NAND產(chǎn)品中，同樣代表市場行情的256Gb TLC，第四季度單價為1.85美元左右，相比三季度上漲12％。

2023-12-26 標(biāo)簽：NOR閃存閃存 DRAM 974 0

半導(dǎo)體存儲芯片價格漲勢確立，三星等廠商減產(chǎn)刺激市場

具體來看，11月份DRAM產(chǎn)品中的DDR4 8Gb主流交易價格為每片1.65美元左右，較上個月增長11%，自2021年6月份以來首現(xiàn)該現(xiàn)象；NAND產(chǎn)品...

2023-12-26 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲芯片 1.4k 0

中美半導(dǎo)體巨頭重磅和解美光和福建晉華達成全球和解協(xié)議

中美半導(dǎo)體巨頭重磅和解美光和福建晉華達成全球和解協(xié)議據(jù)外媒彭博社的報道，美光和福建晉華已經(jīng)達成全球和解協(xié)議，據(jù)稱原始信息來源于美光科技發(fā)言人的郵件。...

2023-12-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 DRAM 內(nèi)存 4k 0

存儲芯片市場回暖多項存儲產(chǎn)品歷經(jīng)兩年首次漲價

據(jù)11月DRAM內(nèi)存大宗交易價格數(shù)據(jù)顯示，8GB DDR4的單價約為1.65美元，環(huán)比上漲11%。這是自2021年6月以來，該產(chǎn)品價格首次出現(xiàn)上漲。

2023-12-25 標(biāo)簽：DRAM 存儲器 DDR4 1.4k 0

美光科技與福建晉華達成全球和解

這場糾紛始于2016年，當(dāng)時臺灣聯(lián)華電子與福建晉華簽署了一項技術(shù)合作協(xié)議，旨在協(xié)助晉華開發(fā)32納米DRAM相關(guān)制程技術(shù)。

2023-12-25 標(biāo)簽：DRAM 美光科技存儲芯片 1.6k 0

這類存儲芯片加入漲價陣營

全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，預(yù)估明年第一季在手機品牌持續(xù)備料的帶動下，Mobile DRAM、eMMC/UFS均價漲幅將擴...

2023-12-25 標(biāo)簽：DRAM 硬盤存儲芯片 1.3k 0

6年“存儲大戰(zhàn)”落幕，達成全球和解

回顧該案件，2017年12月，美光科技在美國加州聯(lián)邦法庭起訴聯(lián)華電子與福建晉華，稱聯(lián)華電子通過美光臺灣地區(qū)員工竊取其知識產(chǎn)權(quán)，包括存儲芯片的關(guān)鍵技術(shù)，并...

2023-12-25 標(biāo)簽：DRAM 美光科技存儲芯片 1.5k 0

半導(dǎo)體存儲芯片價格飆升，DRAM、NAND漲價11%和12%

另據(jù)報道，受個人電腦和智能手機需求疲軟影響，自2022年下半年起，三星、美光、SK海力士以及鎧俠等存儲器芯片制造商紛紛減少生產(chǎn)量，意欲恢復(fù)價格行情。對此...

2023-12-25 標(biāo)簽：智能手機 DRAM 存儲器芯片 3.7k 0

深圳嘉合勁威電子科技C輪融資超2億元，實力雄厚?

深圳市嘉合勁威電子科技有限公司于2012年創(chuàng)立，主要從事DRAM及NAND Flash存儲器設(shè)計、研發(fā)、制造、銷售等業(yè)務(wù)。同時，也致力于提供各類型消費者...

2023-12-25 標(biāo)簽：DRAM NAND 存儲器 2.1k 0

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寒武紀(jì)是目前國際上少數(shù)幾家全面系統(tǒng)掌握了通用型智能芯片及其基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件研發(fā)和產(chǎn)品化核心技術(shù)的企業(yè)之一，能提供云邊端一體、軟硬件協(xié)同、訓(xùn)練推理融合、具備統(tǒng)一生態(tài)的系列化智能芯片產(chǎn)品和平臺化基礎(chǔ)系統(tǒng)軟件。
半導(dǎo)體芯片

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半導(dǎo)體芯片：在半導(dǎo)體片材上進行浸蝕，布線，制成的能實現(xiàn)某種功能的半導(dǎo)體器件。不只是硅芯片，常見的還包括砷化鎵（砷化鎵有毒，所以一些劣質(zhì)電路板不要好奇分解它），鍺等半導(dǎo)體材料。半導(dǎo)體也像汽車有潮流。二十世紀(jì)七十年代，因特爾等美國企業(yè)在動態(tài)隨機存取內(nèi)存（D-RAM）市場占上風(fēng)。
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德國易能森有限公司(EnOcean GmbH)是無線能量采集技術(shù)的開創(chuàng)者。2012年3月，國際電工技術(shù)委員會將EnOcean無線通信標(biāo)準(zhǔn)采納為國際標(biāo)準(zhǔn)“ISO/IEC 14543-3-10”，這也是世界上唯一使用能量采集技術(shù)的無線國際標(biāo)準(zhǔn)。
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Heilind為電子行業(yè)各細(xì)分市場的原始設(shè)備制造商和合約制造商提供支持，供應(yīng)來自業(yè)界頂尖制造商的產(chǎn)品，涵蓋25個不同元器件類別，并特別專注于互連與機電產(chǎn)品。其主要分銷產(chǎn)品包括互連器件、繼電器、風(fēng)扇、開關(guān)和傳感器、電路保護與熱管理、套管和線束產(chǎn)品、晶體與振蕩器。
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揭開Nvidia CEO 黃仁勛傳奇人生
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RISC-V是一個基于精簡指令集（RISC）原則的開源指令集架構(gòu)（ISA），重點在于它是開源的，這是與另外兩個主流架構(gòu)英特爾的 X86和軟銀的Arm最大區(qū)別。
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北京時間2017年2月26日，華為終端在巴塞羅那世界移動通信大會2017（MWC）上發(fā)布發(fā)布了全新華為P系列智能手機——華為P10 & P10 Plus.
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　　華為Mate 9系列是華為推出的商務(wù)旗艦手機。華為Mate 9系列搭載麒麟960海思處理器，操作系統(tǒng)為基于Android 7.0深度定制的EMUI5.0。
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Haswell是英特爾第四代CPU架構(gòu)，Haswell的最高端核芯顯卡GT3系列在移動版Core i7使用，而中端的GT2則分配給桌面版的Core i系列處理器，而最低端的奔騰、賽揚搭載GT1。此外，Haswell將會使用LGA1150插座，無法和LGA1155替換。制程方面，Haswell繼續(xù)使用IVB的22nm制程。
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北京時間2015年9月10日，美國蘋果公司發(fā)布了iPhone 6s［1］。iPhone 6s有金色、銀色、深空灰色、玫瑰金色。
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iBeacon是蘋果公司2013年9月發(fā)布的移動設(shè)備用OS（iOS7）上配備的新功能。其工作方式是，配備有低功耗藍牙（BLE）通信功能的設(shè)備使用BLE技術(shù)向周圍發(fā)送自己特有的ID，接收到該ID的應(yīng)用軟件會根據(jù)該ID采取一些行動。
比特大陸

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公司在特別依賴分布式高性能計算維護網(wǎng)絡(luò)安全的比特幣行業(yè)中脫穎而出，以絕對的優(yōu)勢在該細(xì)分市場持續(xù)保持全球第一的市場地位。比特大陸發(fā)布的每一代比特幣挖礦運算設(shè)備都在全球范圍內(nèi)保持領(lǐng)先地位。產(chǎn)品行銷全球一百多個國家和地區(qū)，深受用戶喜愛。
華天科技

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華天科技主要從事半導(dǎo)體集成電路封裝測試業(yè)務(wù)，產(chǎn)品主要應(yīng)用于計算機、網(wǎng)絡(luò)通訊、消費電子及智能移動終端、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)自動化控制、汽車電子等電子整機和智能化領(lǐng)域。
東軟

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東軟集團是中國領(lǐng)先的IT解決方案與服務(wù)供應(yīng)商，是上市企業(yè)，股票代碼600718。公司成立于1991年，前身為東北大學(xué)下屬的沈陽東大開發(fā)軟件系統(tǒng)股份有限公司和沈陽東大阿爾派軟件有限公司。
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OLED（Organic Light-Emitting Diode），全稱“有機發(fā)光二極管”，是一種顯示屏幕技術(shù)。采用OLED技術(shù)制造的OLED電視，已經(jīng)不再需要LCD液晶面板，RGB色彩信號直接由OLED二極管顯示，幾乎已經(jīng)不存在液晶的可視角度問題。

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